在必要的基礎(chǔ)理論教學(xué)中，利用先進(jìn)完備的綜合實(shí)驗(yàn)室，使學(xué)生快速掌握各類嵌入式電子產(chǎn)品的開發(fā)設(shè)計(jì)原理、開發(fā)方式和開發(fā)過程。從而培養(yǎng)出具有較強(qiáng)的實(shí)際操作能力、開發(fā)設(shè)計(jì)能力和先進(jìn)的開發(fā)手段能力，并在開發(fā)設(shè)計(jì)中能獨(dú)當(dāng)一面的開拓性電子應(yīng)用人才。
上傳時(shí)間： 2013-11-20
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在必要的基礎(chǔ)理論教學(xué)中，利用先進(jìn)完備的綜合實(shí)驗(yàn)室，使學(xué)生快速掌握各類嵌入式電子產(chǎn)品的開發(fā)設(shè)計(jì)原理、開發(fā)方式和開發(fā)過程。從而培養(yǎng)出具有較強(qiáng)的實(shí)際操作能力、開發(fā)設(shè)計(jì)能力和先進(jìn)的開發(fā)手段能力，并在開發(fā)設(shè)計(jì)中能獨(dú)當(dāng)一面的開拓性電子應(yīng)用人才。
上傳時(shí)間： 2013-11-16
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80C51系列開發(fā)平臺(tái)產(chǎn)品選型指南 DP-51PRO單片機(jī)綜合仿真實(shí)驗(yàn)儀是一款功能強(qiáng)大的綜合性單片機(jī)實(shí)際學(xué)習(xí)、調(diào)試、開發(fā)工具，為廣大初學(xué)者和工程師學(xué)習(xí)和提高技術(shù)水平提供了一條捷徑。
標(biāo)簽： 80C51 開發(fā)平臺(tái) 產(chǎn)品選型
上傳時(shí)間： 2013-10-20
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關(guān)鍵詞 DPM-S 配置升級(jí)摘 要 本文檔指導(dǎo)用戶如何配置 DPM-S 模塊及固件升級(jí)
上傳時(shí)間： 2013-10-12
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《現(xiàn)代微機(jī)原理與接口技術(shù)》實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書 TPC-H實(shí)驗(yàn)臺(tái)C語言版 1.實(shí)驗(yàn)臺(tái)結(jié)構(gòu)1）I / O 地址譯碼電路如上圖1所示地址空間280H～2BFH共分8條譯碼輸出線：Y0～Y7 其地址分別是280H～287H、288H～28FH、290H～297H、298H～29FH、2A0H～2A7H、2A8H～2AFH、2B0H～2B7H、2B8H～2BFH，8根譯碼輸出線在實(shí)驗(yàn)臺(tái)I/O地址處分別由自鎖緊插孔引出供實(shí)驗(yàn)選用（見圖2）。 2) 總線插孔采用“自鎖緊”插座在標(biāo)有“總線”區(qū)引出數(shù)據(jù)總線D7～D0；地址總線A9～A0，讀、寫信號(hào)IOR、IOW；中斷請(qǐng)求信號(hào)IRQ ；DMA請(qǐng)求信號(hào)DRQ1；DMA響應(yīng)信號(hào)DACK1 及AEN信號(hào)，供學(xué)生搭試各種接口實(shí)驗(yàn)電路使用。3) 時(shí)鐘電路如圖-3所示可以輸出1MHZ 2MHZ兩種信號(hào)供A/D轉(zhuǎn)換器定時(shí)器/計(jì)數(shù)器串行接口實(shí)驗(yàn)使用。圖34) 邏輯電平開關(guān)電路如圖-4所示實(shí)驗(yàn)臺(tái)右下方設(shè)有8個(gè)開關(guān)K7～K0，開關(guān)撥到“1”位置時(shí)開關(guān)斷開，輸出高電平。向下打到“0”位置時(shí)開關(guān)接通，輸出低電平。電路中串接了保護(hù)電阻使接口電路不直接同＋5V 、GND相連，可有效地防止因誤操作誤編程損壞集成電路現(xiàn)象。圖 4 圖 55) L E D 顯示電路如圖-5所示實(shí)驗(yàn)臺(tái)上設(shè)有8個(gè)發(fā)光二極管及相關(guān)驅(qū)動(dòng)電路（輸入端L7～L0），當(dāng)輸入信號(hào)為“1” 時(shí)發(fā)光，為“0”時(shí)滅6) 七段數(shù)碼管顯示電路如圖-6所示實(shí)驗(yàn)臺(tái)上設(shè)有兩個(gè)共陰極七段數(shù)碼管及驅(qū)動(dòng)電路，段碼為同相驅(qū)動(dòng)器，位碼為反相驅(qū)動(dòng)器。從段碼與位碼的驅(qū)動(dòng)器輸入端（段碼輸入端a、b、c、d、e、f、g、dp，位碼輸入端s1、 s2）輸入不同的代碼即可顯示不同數(shù)字或符號(hào)。
標(biāo)簽： TPC-H 實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書 C語言 實(shí)驗(yàn)臺(tái)
上傳時(shí)間： 2013-11-22
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從繼電器控制柜到現(xiàn)在的現(xiàn)場(chǎng)總線控制系統(tǒng)（FCS）的變遷，標(biāo)志著工業(yè)通信及控制技術(shù)的飛速發(fā)展?，F(xiàn)場(chǎng)總線控制系統(tǒng)作為當(dāng)今最為主流的工業(yè)通信技術(shù)，在工業(yè)生產(chǎn)活動(dòng)中起著重要的作用，其中現(xiàn)場(chǎng)總線協(xié)議在現(xiàn)場(chǎng)總線控制系統(tǒng)中具有相當(dāng)重要的作用。當(dāng)前現(xiàn)場(chǎng)總線協(xié)議主要有Modbus、MVB、Profibus、LonWorks以及基于CAN總線的CANopen、DeviceNet、J1939等協(xié)議。在國(guó)內(nèi)，Modbus由于其布線以及協(xié)議相對(duì)簡(jiǎn)單依然占有絕大部分的市場(chǎng)份額。基于CAN總線的CANopen協(xié)議正在歐洲等國(guó)興起，由于其在容錯(cuò)、可靠性以及傳輸速率上有了長(zhǎng)足的進(jìn)步，從而引領(lǐng)了工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)總線協(xié)議的發(fā)展潮流。
標(biāo)簽： CANopen Modbus 快速實(shí)現(xiàn) 網(wǎng)關(guān)
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本書旨在介紹現(xiàn)場(chǎng)總線及其應(yīng)用。全書以計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)知識(shí)為基礎(chǔ)，以基金會(huì)現(xiàn)場(chǎng)總線、PROFIBUS 總線、LonWorks 總線為代表，較全面地介紹了目前最具影響力的現(xiàn)場(chǎng)總線類型及其技術(shù)特點(diǎn)、選用原則、系統(tǒng)設(shè)計(jì)、工程實(shí)施、設(shè)備組態(tài)和安裝維護(hù)等應(yīng)用。
標(biāo)簽： 現(xiàn)場(chǎng)總線
上傳時(shí)間： 2013-11-02
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MENTOR II 的通信參數(shù)配置： ＃１４.０１：DP通訊地址 ＃０７.１１～＃０７.１５：設(shè)置為０ ＃０８.１２～＃０８.２０：設(shè)置為０，＃０８.２１設(shè)置為１ ＃１１.０１ 設(shè)置為１９４１，狀態(tài)字 ＃１１.０２ 設(shè)置為３.０２，速度反饋 ＃１１.０３ 設(shè)置為５.０１，電流反饋 ＃１１.０４設(shè)置為１９４０，控制字 ＃１１.０５設(shè)置為１.１８，速度給定 ＃１１.０６設(shè)置為４.０８，轉(zhuǎn)矩給定 TB４-３１和 TB４-４０短接
標(biāo)簽： SmartPro MENTOR 組態(tài) 圖解
上傳時(shí)間： 2013-12-22
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
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標(biāo)簽： PROFIBUS
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