帶有PPS電源適配器的60 W USB PD 3.0具有PowiGaN的InnoSwitch3-Pro(INN3379C-H302); MinE-CAP(MIN1072M);威盛Labs VP302控制器輸入：90 VAC – 265 VAC可變輸出：5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 3 APPS輸出：3.3 V – 21 V / 3 A
標(biāo)簽： InnoSwitch3-Pro PowiGaN
上傳時間： 2022-03-24
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使用InnoSwitch3-Pro PowiGaN和MinE-CAP的3.3 W-21 V PPS電源的65 W USB PD 3.0
標(biāo)簽： InnoSwitch3-Pro PowiGaN PPS電源
上傳時間： 2022-04-02
上傳用戶：kingwide
使用InnoSwitch3-CP(具有PowiGaN技術(shù)的INN3270C-H215)和HiperPFS-4的100 W USB PD Type-C充電器(5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 5 A輸出) (PFS7628C)
標(biāo)簽： InnoSwitch3-CP HiperPFS-4
上傳時間： 2022-05-09
上傳用戶：XuVshu
傅里葉光學(xué)導(dǎo)論 J.W.顧德
標(biāo)簽： 傅里葉光學(xué)
上傳時間： 2022-06-01
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本文以質(zhì)量管理理論為基礎(chǔ)，針對手機(jī)芯片封裝行業(yè)過于繁瑣的海量質(zhì)量數(shù)據(jù)，建立以數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)為基礎(chǔ)的質(zhì)量管理系統(tǒng)，通過對手機(jī)芯片封裝質(zhì)量數(shù)據(jù)的采集、分析和處理，對手機(jī)芯片的質(zhì)量缺陷和不合格產(chǎn)品進(jìn)行分析和統(tǒng)計，診斷造成產(chǎn)品不合格的原因。本文首先回顧了國內(nèi)外關(guān)于質(zhì)量管理的發(fā)展歷程及最新趨勢，并對手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理進(jìn)行了綜述。在對數(shù)據(jù)挖掘、合格率管理等方面進(jìn)行深入分析探討的基礎(chǔ)上，提出了手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)的設(shè)計目標(biāo)、設(shè)計思路和功能模塊。本文的研究工作主要有以下幾個方面：1、對手機(jī)芯片封裝的制造過程、系統(tǒng)模式進(jìn)行了分析，著重研究了合格率管理和數(shù)據(jù)挖掘在手機(jī)芯片封裝中的應(yīng)用；2、運(yùn)用數(shù)據(jù)挖掘的方法，針對影響芯片封裝質(zhì)量的多個相關(guān)因素，進(jìn)行各因素的權(quán)重判定，確定哪些因素是影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，針對影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，通過對低合格率數(shù)據(jù)的提取與分析，定位封裝過程中可能造成不合格產(chǎn)品的關(guān)鍵點(diǎn)，為質(zhì)量改善提供依據(jù)：3、搜集W公司2006年5月到8月的手機(jī)芯片封裝測試數(shù)據(jù)，進(jìn)行實(shí)證研究，驗(yàn)證了所提出的研究方法的準(zhǔn)確性。
標(biāo)簽： 手機(jī)芯片封裝 質(zhì)量管理系統(tǒng)
上傳時間： 2022-06-21
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15 W無線充電發(fā)射器解決方案（原理圖、BOM、應(yīng)用說明等）.
標(biāo)簽： 無線充電發(fā)射器
上傳時間： 2022-06-21
上傳用戶：canderile
0引言任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實(shí)際應(yīng)用過程中，大功率器件IGBT在工作時會產(chǎn)生很大的損耗，這些損耗通常表現(xiàn)為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時），必須保證1GBT的結(jié)溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當(dāng)?shù)纳嵫b置，將熱量傳導(dǎo)到外部環(huán)境。如果散熱裝置設(shè)計或選用不當(dāng)，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設(shè)計或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進(jìn)行散熱計算。散熱計算是通過計算器件工作時產(chǎn)生的損耗功率Pa、器件允許的結(jié)溫T、環(huán)境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據(jù)Raf-a）求出最大允許的散熱器到環(huán)境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據(jù)Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計算對于H型雙極模式PWM系統(tǒng)中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續(xù)流二極管FWD組成，它們各自發(fā)生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅(qū)動功耗，即構(gòu)成IGRT模塊整體發(fā)生的損耗。另外，發(fā)生損耗的情況可分為穩(wěn)態(tài)時和交換時。對上述內(nèi)容進(jìn)行整理可表述如下：
上傳時間： 2022-06-21
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45 W隔離式反激式電源(90 VAC - 265 VAC輸入; 24 V，1.88 A輸出)，適用于使用InnoSwitch3-CP(INN3268-H221)以及CV，CC和CP輸出選項的智能揚(yáng)聲器和管狀電機(jī)
標(biāo)簽： 智能揚(yáng)聲器 管狀電機(jī) 輸出隔離式反激式電源
上傳時間： 2022-07-11
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該文研究了無刷直流電機(jī)的無位置傳感器控制理論、轉(zhuǎn)矩波動抑制方法、數(shù)字仿真算法和DSP控制技術(shù).首先,該文介紹了無刷直流電機(jī)無位置傳感器控制原理,比較了目前幾種常用的無位置傳感器控制方法,提出了基于徑向基函數(shù)（RBF）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的無位置傳感器控制方法.通過離散化位置信號的映射方程,得到網(wǎng)絡(luò)的基本輸入輸出,網(wǎng)絡(luò)的輸出通過邏輯處理,處理后的結(jié)果作為電機(jī)控制信號,同時也作為網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練教師.采用在線學(xué)習(xí)和離線學(xué)習(xí)兩種方式訓(xùn)練網(wǎng)絡(luò),并詳細(xì)介紹了兩種方式的算法;其次,該文概述了無刷直流電機(jī)轉(zhuǎn)矩波動的產(chǎn)生原因,重點(diǎn)分析了換相轉(zhuǎn)矩波動產(chǎn)生的原理,提出了基于誤差反傳（BP）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的轉(zhuǎn)矩波動抑制新方法.采用兩個結(jié)構(gòu)相同三層網(wǎng)絡(luò),建立了電壓自校正調(diào)節(jié)器,對電機(jī)端電壓進(jìn)行瞬時調(diào)節(jié),保持電路中電流幅值不變,實(shí)現(xiàn)了轉(zhuǎn)矩波動的自適應(yīng)調(diào)節(jié).另外,該文推導(dǎo)了較全面的電機(jī)數(shù)學(xué)模型,重點(diǎn)研究了無刷直流電機(jī)仿真中的幾個關(guān)鍵技術(shù),包括氣隙磁場的建立、位置信號的模擬、中心點(diǎn)電壓的計算、二極管續(xù)流狀態(tài)的實(shí)現(xiàn)以及PWM電流控制的仿真.采用面向?qū)ο蟪绦蛟O(shè)計（OOP）方法,設(shè)計了多功能的仿真軟件SIMOT.最后該文介紹了數(shù)字信號處理器（DSP）TMS320LF2407的結(jié)構(gòu)和性能,給出了PWM控制和A/D轉(zhuǎn)換的算法,采用反電勢法原理實(shí)現(xiàn)了無位置傳感器控制,并給出了相關(guān)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果.
標(biāo)簽： ANN 無刷直流電機(jī) 無位置傳感器
上傳時間： 2013-07-14
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針對空間電壓欠量脈寬調(diào)制過程中存在的問題，采用理論推演與軟件設(shè)計方法，在介紹了s V P w M 的基本原理的基礎(chǔ)上，利用T I 公司的 D S P電機(jī)控制芯片 T M S 3 2 0 L F 2 4 0 7設(shè)計了S V P W M的實(shí)現(xiàn)方法，并給出 j - 變頻調(diào)速系統(tǒng)的全數(shù)字化實(shí)現(xiàn)。 通過對永磁同步電機(jī)進(jìn)行控制仿真實(shí)驗(yàn)，得到的結(jié)果表明此方法是切實(shí)可行V , J ，控制系統(tǒng)具有優(yōu)良的動靜態(tài)性能，較高的控制效果，有廣泛的應(yīng)用前景。
上傳時間： 2013-04-24
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