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sTC-MCU-SPI

8位MCU升級至32位MCU的設計方案

8位MCU升級至32位MCU的設計方案目前的MCU市場分為三個部分， 8位、16位和32位內核（4位內核MCU現在已相當少用，故在本次比較中將其忽略）。對于這三個部分中的每一個，其規模大體相同。傳統上8位內核占最大的市場份額。根據一些分析人士報告，可能32位內核市場占有率已經超過了8位內核。即使目前尚未超過，時間也不會太長。32位內核市場份額是迄今為止增長最快的。8位內核和16位內核仍在增長，但在速度方面遠不如32位內核（8位內核的增長速度仍快于16位內核）在很長的一段時間內，很多人相信16位MCU可能會被8位MCU和32位MCU取代。目前的32位MCU器件采用最新技術制造（與8位內核和16為內核相比）。

標簽： MCU 8位設計方案

上傳時間： 2014-01-21

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NEC 32位MCU參考手冊

NEC 32位MCU參考手冊

標簽： NEC MCU 參考手冊

上傳時間： 2013-11-11

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NEC 16位MCU參考手冊

NEC 16位MCU參考手冊 The 78K0R/IC3 is a 16-bit single-chip microcontroller that uses a 78K0R CPU core and incorporates peripheral functions, such as ROM/RAM, a multi-function timer, a multi-function serial interface, an A/D converter, a programmable gain amplifier (PGA), a comparator, a real-time counter, and a watchdog timer.

標簽： NEC MCU 參考手冊

上傳時間： 2013-11-02

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NEC 8位MCU參考手冊

NEC 8位MCU參考手冊

標簽： NEC MCU 8位參考手冊

上傳時間： 2013-11-17

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NEC 32位MCU V850系列產品簡介及應用

NEC 32位MCU V850系列產品簡介及應用最高可達到：200Mhz工作頻率432MIPS與8/16位MCU相比,NEC 32位MCU在相同頻率下,可以提供至少快10 倍的指令執行速度對于完成相同的應用,使用32位MCU可以比8/16位MCU的速度慢2/3或1/2,降低系統功耗 V850,V850ES,V850E1,V850E2 CPU的目標代碼向前兼容

標簽： V850 NEC MCU 產品簡介

上傳時間： 2013-11-19

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PCF2123 SPI實時時鐘日歷芯片簡介

PCF2123是低功耗的CMOS實時時鐘/日歷芯片。數據通過SPI總線傳輸，最大總線速率高達6.25Mbit/s。報警和定時器功能產生一個喚醒信號，喚醒中斷管腳。偏移寄存器可以實現時鐘的校準。

標簽： 2123 PCF SPI 實時時鐘

上傳時間： 2013-10-30

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PCA2125 汽車級SPI實時時鐘日歷芯片簡介

PCA2125是低功耗的CMOS實時時鐘/日歷芯片，工作溫度高達125℃。數據通過SPI總線傳輸，最大總線速率高達6.0Mbit/s。報警和定時器功能產生一個喚醒信號，喚醒中斷管腳。

標簽： 2125 PCA SPI 汽車級

上傳時間： 2013-11-09

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CAT25128－128Kb的SPI串行CMOS EEPRO

The CAT25128 is a 128−Kb Serial CMOS EEPROM device internally organized as 16Kx8 bits. This features a 64−byte page write buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the required bus signals are clock input (SCK), data input (SI) and data output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial communication with the CAT25128 device. The device featuressoftware and hardware write protection, including partial as well as full array protection.

標簽： 25128 EEPRO CMOS CAT

上傳時間： 2013-11-15

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基于MCU和基于ASIC的LED可控硅調光方案對比與解析

作為一種新的、最有潛力的光源，LED照明以其節能、環保的優勢越來越受到人們重視。加上國家和地方政府的政策鼓勵，我國的LED照明產業進入了加速發展階段，運用市場迅速增長。在室內照明方面，用LED燈替代傳統的可調光白熾燈或者鹵素燈也將是大勢所趨。由于傳統的白熾燈調光器采用可控硅調光器，用LED燈替代白熾燈時，要求不能改變原有線路，還要能適應現有的可控硅調光器。針對這一目標市場，目前很多大的半導體廠商（包括國際知名半導體廠商）都已經推出了自己的LED調光ASIC，但由于LED固有的發光原理，目前市面上的LED ASIC調光案都還不是很成熟，都有其固有的問題，本文就將針對目前的調光方案做一個詳細的分析，并介紹我們基于MCU的調光方案。

標簽： ASIC MCU LED 可控硅調光

上傳時間： 2013-11-21

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一款USBkey用MCU電路早期失效問題初探

我公司生產的 USBkey 產品所使用的MCU 電路，自2007 年9 月初USBkey 產品開始量產化后，我們對其部分產品做了電老化試驗，發現該款電路早期失效問題達不到我們要求，上電以后一段時間內失效率為千分之一點五左右。為此，我們從去年10 月到今年2 月對所生產的產品（已發出的除外）全部進行了電老化篩選，通過這項工作發現了一些規律性的東西，對提高電子產品的安全可靠性有一定指導意義。2 試驗條件的設定造成電路早期失效的原因很多，從 IC 設計到半導體生產工藝、電路封裝、焊接裝配等生產工序和生產設備、生產材料、生產環境及人為的因素都有可能是成因，作為電路的使用方不可能都顧及到，也不可控。通過分析，我們認為還是著眼于該款電路在完成半導體生產工藝后，在后部加工中所產生的早期失效問題更有針對性。，因此決定從電路的后部加工工序即封裝、COS 軟件以及產品SMT 加工工藝等方面入手，安排幾種比對試驗并取得試驗數據，以期找出失效原因。

標簽： USBkey MCU 電路失效

上傳時間： 2014-12-28

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