二維高斯制式的te波基于FDFT方法的Matlab仿真程序！
標簽： Matlab FDFT 二維 高斯
上傳時間： 2014-01-19
上傳用戶：ruan2570406
本程序講述了如何在FDTD中利用te波的反射系數等值
標簽： FDTD 程序 反射系數
上傳時間： 2014-01-23
上傳用戶：Divine
利用攝動方法計算高斯粗糙表面的te、tm反射率
標簽： 計算 表面 反射 高斯
上傳時間： 2014-01-27
上傳用戶：wweqas
te最新提出的適用于上行傳輸的一種新方案。相對于OFDMA（主要用于下行），其最大的優勢在于低峰值平均功率比（即PAPR）
標簽： OFDMA 上行 傳輸 方案
上傳時間： 2017-08-13
上傳用戶：qiaoyue
BC20-te-B NB-Iot 評估板評估板原廠原理圖V1.2。完整對應實物裝置。
標簽： BC20 NB-Iot Quectel
上傳時間： 2022-06-17
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有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示，應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景，吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標，除了器件的材料，結構設計外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發光機理，結構和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能；ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大，明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。 其次，針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素，其厚度在1.2μm左右時，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實驗一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進行二次封裝。實驗二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比，研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后，分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(te)、銻(Sb)進行了研究。
標簽： 機電 發光 顯示器件
上傳時間： 2013-07-11
上傳用戶：liuwei6419
整流橋堆MBF系列規格書：MB5F，MB6F，MB8F，MB10F。
標簽： te-MB MB6F MB8F 10F
上傳時間： 2013-10-12
上傳用戶：cursor
整流橋堆MBM系列規格書：MB5F，MB6F，MB8F，MB10F。
標簽： te-MB MB6M MB8M 10M
上傳時間： 2013-10-20
上傳用戶：sglccwk
名稱 管腳 說 明 A0-A11 1-8、10-13 地址管腳,用于進行地址編碼,可置為“0”,“1”,“f”(懸空), D0-D5 7-8、10-13 數據輸入端，有一個為“1”即有編碼發出，內部下拉 Vcc 18 電源正端（＋） Vss 9 電源負端（－） te 14 編碼啟動端，用于多數據的編碼發射，低電平有效； OSC1 16 振蕩電阻輸入端，與OSC2所接電阻決定振蕩頻率； OSC2 15 振蕩電阻振蕩器輸出端； Dout 17 編碼輸出端（正常時為低電平）
標簽： PT 2262 2272 編解碼
上傳時間： 2013-11-24
上傳用戶：zhishenglu
fdtd的2d算法，pml邊界條件，二維te波
標簽： fdtd 算法
上傳時間： 2013-12-05
上傳用戶：xiaoxiang
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