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u<b>COS-II</b>I

linux 中斷和設(shè)備驅(qū)動(dòng)

linux 中斷和設(shè)備驅(qū)動(dòng) 本章介紹L i n u x內(nèi)核是如何維護(hù)它支持的文件系統(tǒng)中的文件的，我們先介紹 V F S ( Vi r t u a lFile System，虛擬文件系統(tǒng))，再解釋一下L i n u x內(nèi)核的真實(shí)文件系統(tǒng)是如何得到支持的。L i n u x的一個(gè)最重要特點(diǎn)就是它支持許多不同的文件系統(tǒng)。這使 L i n u x非常靈活，能夠與許多其他的操作系統(tǒng)共存。在寫這本書的時(shí)候， L i n u x共支持1 5種文件系統(tǒng)： e x t、 e x t 2、x i a、 m i n i x、 u m s d o s、 msdos 、v f a t、 p r o c、 s m b、 n c p、 i s o 9 6 6 0、 s y s v、 h p f s、 a ffs 和u f s。無疑隨著時(shí)間的推移，L i n u x支持的文件系統(tǒng)數(shù)還會(huì)增加。

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上傳時(shí)間： 2013-11-13

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安規(guī)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

安規(guī)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)1. 件選用(1) 在件選用方面,要求掌握:a .安規(guī)件有哪些?(見三.安規(guī)件介紹)b.安規(guī)件要求安規(guī)件的要求就是要取得安規(guī)機(jī)構(gòu)的認(rèn)證或是符合相關(guān)安規(guī)標(biāo)準(zhǔn);c.安規(guī)件額定值任何件均必須依 MANUFACTURE 規(guī)定的額定值使用;I 額定電壓;II 額定電;III 溫額定值;(2). 件的溫升限制a. 一般電子件: 依件規(guī)格之額定溫值,決定其溫上限b. 線圈類: 依其絕緣系統(tǒng)耐溫決定Class A ΔT≦75℃Class E ΔT≦90℃Class B ΔT≦95℃Class F ΔT≦115℃Class H ΔT≦140℃c. 人造橡膠或PVC 被覆之線材及電源線類:有標(biāo)示耐溫值 T 者ΔT≦(T-25)℃無標(biāo)示耐溫值 T 者ΔT≦50℃d. Bobbin 類: 無一定值,但須做125℃球壓測試;e. 端子類: ΔT≦60℃f. 溫升限值I. 如果有規(guī)定待測物的耐溫值(Tmax),則:ΔT≦Tmax-TmraII. 如果有規(guī)定待測物的溫升限值(ΔTmax),則:ΔT≦ΔTmax+25-Tmra其中 Tmra=制造商所規(guī)定的設(shè)備允許操作室溫或是25℃

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51單片機(jī)讀寫u盤(含源程序和原理圖)

附件有51單片機(jī)加上sl811讀寫U盤的源程序和原理圖 /*--------------------------------------------------------------------------AT89X52.H Header file for the low voltage Flash Atmel AT89C52 and AT89LV52.Copyright (c) 1995-1996 Keil Software, Inc. All rights reserved.--------------------------------------------------------------------------*/ #ifndef AT89X52_HEADER_FILE#define AT89X52_HEADER_FILE 1 /*------------------------------------------------Byte Registers------------------------------------------------*/sfr P0 = 0x80;sfr SP = 0x81;sfr DPL = 0x82;sfr DPH = 0x83;sfr PCON = 0x87;sfr TCON = 0x88;sfr TMOD = 0x89;sfr TL0 = 0x8A;sfr TL1 = 0x8B;sfr TH0 = 0x8C;sfr TH1 = 0x8D;sfr P1 = 0x90;sfr SCON = 0x98;sfr SBUF = 0x99;sfr P2 = 0xA0;sfr IE = 0xA8;sfr P3 = 0xB0;sfr IP = 0xB8;sfr T2CON = 0xC8;sfr T2MOD = 0xC9;sfr RCAP2L = 0xCA;sfr RCAP2H = 0xCB;sfr TL2 = 0xCC;sfr TH2 = 0xCD;sfr PSW = 0xD0;sfr ACC = 0xE0;sfr B = 0xF0;

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TKS仿真器B系列快速入門

TKS仿真器B系列快速入門

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上傳時(shí)間： 2013-10-31

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realview mdk 3.2 下載

1.增加的設(shè)備支持： Atmel AT91SAM9Rxx Cirrus Logic CS7401xx-IQZ Luminary Micro LM3S576x, LM3S5752, LM3S5747, LM3S573x, LM3S5662, LM3S5652, LM3S5632, LM3S3759, LM3S3749, and LM3S3739 NXP LPC32XX and LPC2460 STMicroelectronics STR912FAZ4X, STR912FAW4X, STR911FAW4X, STR911FAM4X, STR910FAW32, and STR910FAZ32 2.修改了NXP LPC23XX/24XX的頭文件庫 3.增加了ST-LINK II的調(diào)試支持 4.增加了對(duì)Cortex-M3 內(nèi)核芯片的RTX Event Viewer 的支持 5.增加了MCBSTM32: STM32 FLASH OPTION BYTES PROGRAMMING 6.增加了ULINK2對(duì)Cortex-M3的SWV功能的調(diào)試 7.增強(qiáng)了使用GNU在MDK下調(diào)試M1,M3,ARM7,ARM9的調(diào)試功能（ Using μVision with CodeSourcery GNU ARM Toolchain.） 8.增加了大量經(jīng)典開發(fā)板例程 Boards目錄列表： ├─Embest 深圳市英蓓特公司開發(fā)板例程 │ ├─AT91EB40X-40008 │ ├─S3CEB2410 │ ├─ATEBSAM7S │ ├─LPC22EB06-I │ ├─LPCEB2000-A │ ├─LPCEB2000-B │ ├─LPCEB2000-S │ ├─str710 │ ├─str711 │ ├─str730 │ ├─str750 │ ├─STR912 │ ├─STM32V100 │ ├─STM32R100 │ ├─ATEB9200 ├─ADI ADI半導(dǎo)體的芯片例程 │ ├─ADuC702X │ └─ADuC712x ├─Atmel Atmel半導(dǎo)體的芯片例程 │ ├─AT91RM9200-EK │ ├─AT91SAM7A3-EK │ ├─AT91SAM7S-EK │ ├─AT91SAM7SE-EK │ ├─AT91SAM7X-EK │ ├─AT91SAM9260-EK │ ├─AT91SAM9261-EK │ ├─AT91SAM9263-EK ├─Keil Keil公司的開發(fā)板例程 │ ├─MCB2100 │ ├─MCB2103 │ ├─MCB2130 │ ├─MCB2140 │ ├─MCB2300 │ ├─MCB2400 │ ├─MCB2900 │ ├─MCBLM3S │ ├─MCBSTM32 │ ├─MCBSTR7 │ ├─MCBSTR730 │ ├─MCBSTR750 │ └─MCBSTR9 ├─Luminary Luminary半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─ek-lm3s1968 │ ├─ek-lm3s3748 │ ├─ek-lm3s3768 │ ├─dk-lm3s101 │ ├─dk-lm3s102 │ ├─dk-lm3s301 │ ├─dk-lm3s801 │ ├─dk-lm3s811 │ ├─dk-lm3s815 │ ├─dk-lm3s817 │ ├─dk-lm3s818 │ ├─dk-lm3s828 │ ├─ek-lm3s2965 │ ├─ek-lm3s6965 │ ├─ek-lm3s811 │ └─ek-lm3s8962 ├─NXP NXP半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─LH79524 │ ├─LH7A404 │ └─SJA2510 ├─OKI OKI半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─ML674000 │ ├─ML67Q4003 │ ├─ML67Q4051 │ ├─ML67Q4061 │ ├─ML67Q5003 │ └─ML69Q6203 ├─Samsung Samsung半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─S3C2440 │ ├─S3C44001 │ └─S3F4A0K ├─ST ST半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─CQ-STARM2 │ ├─EK-STM32F │ ├─STM32F10X_EVAL │ ├─STR710 │ ├─STR730 │ ├─STR750 │ ├─STR910 │ └─STR9_DONGLE ├─TI TI半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─TMS470R1A256 │ └─TMS470R1B1M ├─Winbond Winbond半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ └─W90P710 └─ ...

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上傳時(shí)間： 2013-10-13

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磁芯電感器的諧波失真分析

磁芯電感器的諧波失真分析摘要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)，磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。一、歷史回顧總諧波失真（Total harmonic distortion），簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測試。這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器，阻抗 150Ω，增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。測量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝，（線架為一格），其空心電感值為 318μH（誤差1％）被測磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz，使輸出電平值為+17.4 dB，即選頻表在 22′端子測得的主波電平（P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3），則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證，就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求，必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制）轉(zhuǎn)換時(shí)期，日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

標(biāo)簽： 磁芯電感器分諧波失真

上傳時(shí)間： 2013-12-15

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一個(gè)簡單好用的B+樹算法實(shí)現(xiàn)

一個(gè)簡單好用的B+樹算法實(shí)現(xiàn)

標(biāo)簽： 樹算法

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一個(gè)用Basic實(shí)現(xiàn)的B-Tree算法

一個(gè)用Basic實(shí)現(xiàn)的B-Tree算法

標(biāo)簽： B-Tree Basic 算法

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一個(gè)用Java applet實(shí)現(xiàn)的B-Tree算法

一個(gè)用Java applet實(shí)現(xiàn)的B-Tree算法

標(biāo)簽： B-Tree applet Java 算法

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用C++實(shí)現(xiàn)的B-Tree算法

用C++實(shí)現(xiàn)的B-Tree算法

標(biāo)簽： B-Tree 算法

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