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  • GB6109.11-1990漆包圓繞組線 第11部分:200級聚酯亞胺 聚酰胺酰亞胺復(fù)合漆包銅圓線

    GB6109.11-1990漆包圓繞組線 第11部分:200級聚酯亞胺 聚酰胺酰亞胺復(fù)合漆包銅圓線

    標(biāo)簽: 6109.11 1990 200 GB

    上傳時間: 2013-07-06

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  • GB6109.6-1988漆包圓繞組線 第6部分:溫度指數(shù)220的聚酰亞胺漆包圓銅線

    GB6109.6-1988漆包圓繞組線 第6部分:溫度指數(shù)220的聚酰亞胺漆包圓銅線

    標(biāo)簽: 6109.6 1988 220 GB

    上傳時間: 2013-07-24

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  • 396 信息技術(shù) 安全技術(shù) 實(shí)體鑒別第2部分:采用對稱加密算法的機(jī)制 GB 15843.2-1997 L80 國家技術(shù)監(jiān)督局 1997-09-02 1998-04-01 pdf

    396 信息技術(shù) 安全技術(shù) 實(shí)體鑒別第2部分:采用對稱加密算法的機(jī)制 GB 15843.2-1997 L80 國家技術(shù)監(jiān)督局 1997-09-02 1998-04-01 pdf

    標(biāo)簽: 1997 15843.2 1998 396

    上傳時間: 2013-04-15

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  • GB6109.5-1988漆包圓繞組線 第5部分:溫度指數(shù)180的聚酯亞胺漆包圓銅線

    GB6109.5-1988漆包圓繞組線 第5部分:溫度指數(shù)180的聚酯亞胺漆包圓銅線

    標(biāo)簽: 6109.5 1988 180 GB

    上傳時間: 2013-07-04

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  • GB2099.2-1997《家用和類似用途插頭插座 第二部分:器具插座的特殊要求》

    GB2099.2-1997《家用和類似用途插頭插座 第二部分:器具插座的特殊要求》

    標(biāo)簽: 2099.2 1997 GB

    上傳時間: 2013-04-15

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  • GB 4706.1-2005 家用和類似用途電器的安全 第1部分:通用要求

    GB 4706.1-2005 家用和類似用途電器的安全 第1部分:通用要求

    標(biāo)簽: 4706.1 2005 GB

    上傳時間: 2013-04-15

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  • GB-T17213.1-1998 工業(yè)過程控制閥 第部分控制閥術(shù)語和總則

    GB-T17213.1-1998 工業(yè)過程控制閥 第部分控制閥術(shù)語和總則

    標(biāo)簽: 17213.1 GB-T 1998 控制閥

    上傳時間: 2013-04-15

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  • 華為WCDMA全網(wǎng)解決方案.rar

    華為WCDMA全網(wǎng)解決方案:本章首先介紹WCDMA系統(tǒng)不同版本之間演進(jìn)過程,使讀者對WCDMA制式有總體的認(rèn)識;接著從具體的網(wǎng)絡(luò)建設(shè)角度出發(fā),介紹了華為WCDMA全網(wǎng)解決方案。 10.1 WCDMA演進(jìn)概述 10.1.1 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展概述 WCDMA技術(shù)從出現(xiàn)以來逐漸演進(jìn)發(fā)展為R99/R4/R5/R6等多個階段,其中R99協(xié)議于2000年3月(3GPP官方說法是1999年12月)凍結(jié)功能,經(jīng)過兩年時間的完善,協(xié)議已經(jīng)成熟;R4協(xié)議于2001年3月凍結(jié)功能,協(xié)議已經(jīng)穩(wěn)定。R5協(xié)議于2002年3月 (部分功能6月)凍結(jié)功能。R6協(xié)議預(yù)計(jì)在2004年12月左右凍結(jié)功能。 圖10-1 3G協(xié)議的發(fā)展趨勢 WCDMA系統(tǒng)相對于GSM網(wǎng)絡(luò)和GPRS網(wǎng)絡(luò)來說,一個最重要的變化就是無線網(wǎng)絡(luò)的改變。WCDMA網(wǎng)絡(luò)中,使用無線接入系統(tǒng)RAN來取代了GSM中的基站子系統(tǒng)BSS。 R99版本的WCDMA核心網(wǎng)從網(wǎng)絡(luò)形態(tài)上來說,可以看作是GSM的核心網(wǎng)絡(luò)和GPRS的核心網(wǎng)絡(luò)的組合。也即R99的核心網(wǎng)絡(luò)分為電路域和分組域。電路域與GSM的核心網(wǎng)構(gòu)造基本相同,分組域與GPRS的核心網(wǎng)構(gòu)造基本相同。 R4版本的核心網(wǎng)絡(luò)相對于R99版本來說,最大的變化就在于R99核心網(wǎng)電路域中MSC網(wǎng)元的功能在R4版本中由MSC Server和MGW來完成。其中MSC Server處理信令,MGW處理話音。分組域沒有什么變化。具體可參見第三章系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的相關(guān)內(nèi)容。 R4協(xié)議的核心網(wǎng)絡(luò)具有TDM和IP兩種組網(wǎng)方式。采用TDM方式組網(wǎng)時,R4網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃建設(shè)與R99網(wǎng)絡(luò)有不少相近之處。比如在建設(shè)匯接網(wǎng)絡(luò)、信令網(wǎng)絡(luò)等方面,很多考慮都是相同的。采用IP方式組網(wǎng)的時候,R4的網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃建設(shè)則與R99有了不小的區(qū)別。 R5版本的核心網(wǎng)絡(luò)相對于R4版本來說,多了一個IMS(IP多媒體子系統(tǒng))域,增加了相應(yīng)的設(shè)備和接口;電路域和分組域的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)則沒有什么大變化。同時由于網(wǎng)絡(luò)功能的增強(qiáng),部分設(shè)備功能也進(jìn)行了升級。

    標(biāo)簽: WCDMA 華為 方案

    上傳時間: 2013-07-24

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  • 電子元器件抗ESD技術(shù)講義.rar

    電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點(diǎn) 5 1.2 對靜電認(rèn)識的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式(MM) 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點(diǎn) 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器(消電器、電中和器或離子平衡器) 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運(yùn)送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度(ESDS)檢測及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法的主要內(nèi)容(以MIL-STD-883E 方法3015.7為例) 3.4 實(shí)際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計(jì)及分析 3.4.1 試驗(yàn)條件 3.4.2 ESD評價試驗(yàn)結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I-V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計(jì)技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.2抗場感應(yīng)ESD失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計(jì)策略 4.4.1 設(shè)計(jì)保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計(jì)的輔助工具-TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計(jì)方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理

    標(biāo)簽: ESD 電子元器件 講義

    上傳時間: 2013-07-13

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  • 高頻功率電子學(xué)-直流變換部分-449頁-7.6M.pdf

    專輯類-開關(guān)電源相關(guān)專輯-119冊-749M 高頻功率電子學(xué)-直流變換部分-449頁-7.6M.pdf

    標(biāo)簽: 449 7.6 高頻

    上傳時間: 2013-04-24

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