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偏轉(zhuǎn)

  • GB-T 2689.4-1981 命試驗和加速壽命試驗的最好線性無偏估計法 (用于威布爾分布)

    GB-T 2689.4-1981 命試驗和加速壽命試驗的最好線性無偏估計法 (用于威布爾分布)

    標簽: 2689.4 GB-T 1981 壽命

    上傳時間: 2013-05-18

    上傳用戶:eeworm

  • GB-T 2689.3-1981 壽命試驗和加速壽命試驗的簡單線性無偏估計法 (用于威布爾分布)

    GB-T 2689.3-1981 壽命試驗和加速壽命試驗的簡單線性無偏估計法 (用于威布爾分布)

    標簽: 2689.3 GB-T 1981 壽命

    上傳時間: 2013-06-14

    上傳用戶:eeworm

  • 大型換流變壓器直流偏磁問題的研究.rar

    直流偏磁是變壓器的一種非正常工作狀態(tài),是指在變壓器的勵磁電流中出現(xiàn)了直流分量。在直流輸電系統(tǒng)中,由于換流站的工作特性,有直流電流分量流過換流變壓器的繞組,產(chǎn)生直流偏磁現(xiàn)象,這一現(xiàn)象將對換流變壓器的正常運行產(chǎn)生不利的影響,如勵磁電流發(fā)生畸變、變壓器鐵心損耗增加及鐵心高度飽和引起的漏磁通增加。因此,從電磁場的角度分析這一現(xiàn)象是必要的。 由于鐵磁材料的非線性,不能應(yīng)用疊加原理分析直流偏磁時的勵磁情況。為此,本文應(yīng)用了二維瞬態(tài)場路直接耦合有限元法,借助大型有限元分析軟件Ansoft,定量分析了在不同等級直流偏磁電流作用下,換流變壓器空載運行狀態(tài)下的勵磁電流波形情況,結(jié)果表明,直流偏磁使鐵心中的磁通密度發(fā)生偏移,對應(yīng)的勵磁電流波形呈現(xiàn)正負半波極不對稱的形狀,并且直流偏磁量越大勵磁電流的畸變越嚴重。 在求出直流偏磁量與勵磁電流峰值關(guān)系的基礎(chǔ)上,應(yīng)用一種基于鐵心空載損耗數(shù)據(jù)的方法,定量分析了在不同等級直流偏磁電流作用下,換流變壓器鐵心損耗情況,結(jié)果表明,隨著直流偏磁電流的增加,鐵心損耗也會隨之增加,這會導(dǎo)致鐵心溫升上升,嚴重時會導(dǎo)致鐵心局部過熱,影響變壓器的正常運行。 在漏磁場分析中,討論了變壓器漏磁場的類型和作用,經(jīng)過合理簡化,建立了換流變壓器二維漏磁場計算模型,應(yīng)用二維瞬態(tài)場路直接耦合有限元法,分析了不同等級直流偏磁電流作用下,換流變壓器漏磁場分布情況,結(jié)果表明,隨著直流偏磁量的增加,不同位置處漏磁場分量的變化規(guī)律基本不變,但漏磁在增加,且不同位置漏磁分量增加的速率不同。

    標簽: 大型 變壓器 直流偏磁

    上傳時間: 2013-06-25

    上傳用戶:zxc23456789

  • 單電源運放的偏置原因分析與偏置方法.doc

    介紹了單電源運放為什么需要加偏置電源,以及試驗單電源運放的注意事項。

    標簽: 單電源 運放

    上傳時間: 2013-07-29

    上傳用戶:kgylah

  • iSensor IMU快速入門指南和偏置優(yōu)化技巧

    iSensor IMU快速入門指南和偏置優(yōu)化技巧

    標簽: iSensor IMU 快速入門

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:小草123

  • 用于圖像分類的有偏特征采樣方法

    為了模擬圖像分類任務(wù)中待分類目標的可能分布,使特征采樣點盡可能集中于目標區(qū)域,基于Yang的有偏采樣算法提出了一種改進的有偏采樣算法。原算法將目標基于區(qū)域特征出現(xiàn)的概率和顯著圖結(jié)合起來,計算用于特征采樣的概率分布圖,使用硬編碼方式對區(qū)域特征進行編碼,導(dǎo)致量化誤差較大。改進的算法使用局部約束性編碼代替硬編碼,并且使用更為精確的后驗概率計算方式以及空間金字塔框架,改善了算法性能。在PASCAL VOC 2007和2010兩個數(shù)據(jù)集上進行實驗,平均精度比隨機選取的特征采樣方法能夠提高約0.5%,驗證了算法的有效性。

    標簽: 圖像分類 特征采樣

    上傳時間: 2013-10-24

    上傳用戶:wawjj

  • CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路

    共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng),在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路,且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。

    標簽: CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:debuchangshi

  • 反激式控制器簡化了低輸入電壓DCDC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計

    LT®3837 從一個 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓,但可通過采用一個 VCC 穩(wěn)壓器和 / 或變壓器上的一個偏壓繞組使該轉(zhuǎn)換器的輸入範圍向上擴展。

    標簽: DCDC 反激式控制器 輸入電壓 轉(zhuǎn)換器

    上傳時間: 2013-11-01

    上傳用戶:

  • 基于FPGA技術(shù)的偏振模色散自適應(yīng)補償技術(shù)設(shè)計與仿真

    我國的骨干通信網(wǎng)上的傳輸速率已經(jīng)向40 GB/s甚至是160 GB/s發(fā)展,傳輸線路以光纖作為主要的傳輸通道。與光纖相關(guān)的損耗和單模光纖的主要色散,即偏振模色散,不僅僅限制了光信號在通信過程中的傳輸距離,還很大程度上影響其通信容量。其中,偏振模色散對單模光纖高速和長距離通信的影響尤為突出。因此應(yīng)現(xiàn)代光纖通信技術(shù)網(wǎng)的高速發(fā)展的需要,把當(dāng)前流行的FPGA技術(shù)應(yīng)用到單模光纖的偏振模色散的自適應(yīng)補償技術(shù)中,用硬件描述語言來實現(xiàn),可以大大提高光纖的偏振模色散自適應(yīng)補償對實時性和穩(wěn)定性的要求。

    標簽: FPGA 偏振模 仿真 補償技術(shù)

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:zhaiye

  • 通信輻射源抗ARM的有源誘偏研究

    反輻射導(dǎo)彈是現(xiàn)代戰(zhàn)爭條件下通信設(shè)備等電磁輻射源所面對的最具威脅性的武器之一,而有源誘偏是對抗反輻射導(dǎo)彈攻擊的一種相對簡單而有效的方法。基于有源相參和有源非相參條件下的幾種模型,從反輻射導(dǎo)彈的攻擊過程入手,得到Matlab仿真結(jié)果。最后根據(jù)仿真彈著點位置分布和位置分布的概率統(tǒng)計曲線,為通信輻射源的布設(shè)提供理論依據(jù)。

    標簽: ARM 通信輻射源 有源

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:solmonfu

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