共源共柵兩級運放中兩種補償方法的比較
給出了兩種應用于兩級CMOS 運算放大器的密勒補償技術的比較,用共源共柵密勒補償技術設計出的CMOS 運放與直接密勒補償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號建立時間等優點,還可以在達到相同補償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過電路級小信號等效電路的分析和仿真,對兩種補償技術進...
給出了兩種應用于兩級CMOS 運算放大器的密勒補償技術的比較,用共源共柵密勒補償技術設計出的CMOS 運放與直接密勒補償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號建立時間等優點,還可以在達到相同補償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過電路級小信號等效電路的分析和仿真,對兩種補償技術進...
共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應,在放大器領域有很多的應用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路,且能應用于任意電流密度。根據飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關系,并設計一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。 ...
并聯有源共模電流抑制方法的matlab仿真,建立仿真模型,分析補償特性...
介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上,通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法,大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明:在-40~100 ℃的溫度范圍內,輸出電壓擺動僅為1.7 mV,在...
在傳統正溫度系數電流基礎上,增加兩種不同材料的電阻以實現帶隙基準的二階溫度補償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運算放大器,使得所設計的帶隙基準電路,具有較高的精度和溫度穩定性。 ...