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插入損耗

  • 理想二極管提供了針對(duì)電源布線錯(cuò)誤的保護(hù)作用

    高可用性繫統(tǒng)常常采用雙路饋送功率分配,旨在實(shí)現(xiàn)冗餘並增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。“或”二極管把兩路電源一起連接在負(fù)載點(diǎn)上,最常用的是肖特基二極管,目的在於實(shí)現(xiàn)低損耗

    標(biāo)簽: 理想二極管 保護(hù) 電源布線 錯(cuò)誤

    上傳時(shí)間: 2013-10-19

    上傳用戶:BOBOniu

  • 四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí),必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

    標(biāo)簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器

    上傳時(shí)間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計(jì)中,工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問題,或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案,但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽: MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶:阿譚電器工作室

  • 通過分析MOSFET功耗產(chǎn)生機(jī)制來提高同步整流效率

    降低電源損耗,提高電源效率

    標(biāo)簽: MOSFET 功耗 機(jī)制

    上傳時(shí)間: 2013-11-16

    上傳用戶:angle

  • GB1002-1996《家用和類似用途單相插頭插入插座型式、基本參數(shù)和尺寸》

    GB1002-1996《家用和類似用途單相插頭插入插座型式、基本參數(shù)和尺寸》

    標(biāo)簽: 1002 1996 GB

    上傳時(shí)間: 2013-06-13

    上傳用戶:eeworm

  • GB1002-1996《家用和類似用途單相插頭插入插座型式、基本參數(shù)和尺寸》.pdf

    專輯類-國(guó)標(biāo)類相關(guān)專輯-313冊(cè)-701M GB1002-1996《家用和類似用途單相插頭插入插座型式、基本參數(shù)和尺寸》.pdf

    標(biāo)簽: 1002 1996 GB

    上傳時(shí)間: 2013-06-06

    上傳用戶:tccc

  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • EMI電源濾波器的插入損耗分析

    提出了共模插入損耗和差模插入損耗的計(jì)算方法,推導(dǎo)了濾波器插入損耗與阻抗關(guān)系的表達(dá)式,并且對(duì)這一關(guān)系作了仿真分析,仿真結(jié)果驗(yàn)證了理論計(jì)算和分析的正確性。

    標(biāo)簽: EMI 電源濾波器 插入損耗

    上傳時(shí)間: 2013-11-20

    上傳用戶:baba

  • MCP定時(shí)器的死區(qū)插入

    MCP定時(shí)器的死區(qū)插入: 在雙極性PWM驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,上下橋臂的電力開關(guān)器件交替導(dǎo)通(如圖1-1的半橋電路)。圖1-1 電力開關(guān)半橋電路理想情況下,電力開關(guān)器件的開啟和關(guān)斷是不需要時(shí)間的,這時(shí)只要上下橋臂的驅(qū)動(dòng)信號(hào)只要相反就可以;而實(shí)際的電力開關(guān)器件的開啟和關(guān)斷是需要時(shí)間的,而且關(guān)斷時(shí)間比開啟時(shí)間要長(zhǎng),這時(shí)就會(huì)出現(xiàn)一橋臂尚沒有完全關(guān)閉的情況下,另一橋臂就導(dǎo)通了,這就會(huì)出現(xiàn)上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通的情況,致使電源短路,出現(xiàn)很大的直通電流,導(dǎo)致電力器件大量發(fā)熱,不但會(huì)造成電源浪費(fèi),還可能燒毀電力開關(guān)器件。因此,為避免出現(xiàn)上下橋臂直通的現(xiàn)象,就需要在一橋臂開始前,保證另一橋臂完全關(guān)斷,為此,在PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)中插入死區(qū)保護(hù)時(shí)間,如圖1-2中的灰條所示(這個(gè)信號(hào)是電力器件在低電平導(dǎo)通,高電平關(guān)斷的情況)。

    標(biāo)簽: MCP 定時(shí)器 死區(qū)

    上傳時(shí)間: 2013-11-14

    上傳用戶:dgann

  • C語言冒泡、插入法、選擇排序算法分析

    C語言冒泡、插入法、選擇排序算法分析

    標(biāo)簽: C語言 排序 算法分析

    上傳時(shí)間: 2014-12-29

    上傳用戶:leyesome

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