<li id="4aacg"></li> 砷化鎵微波功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其集成電路.pdf
標(biāo)簽： 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 集成電路
上傳時(shí)間： 2022-01-07
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隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應(yīng)用，例如行動(dòng)電話、無(wú)線個(gè)人計(jì)算機(jī)、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)等，高頻電路的技術(shù)也日新月異。良好的高頻電路設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎(chǔ)上。被動(dòng)組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關(guān)系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數(shù)萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術(shù)，而近年來(lái)，由于高頻與高速電路的應(yīng)用日益廣泛，加上電路設(shè)計(jì)趨向輕薄短小，電感制作的材質(zhì)與技術(shù)也不斷的進(jìn)步。例如射頻機(jī)體電路（RFIC）運(yùn)用硅材質(zhì)，微波集成電路則廣泛的運(yùn)用砷化鎵（GaAs）技術(shù)；此外，在低成本的無(wú)線通訊射頻應(yīng)用上，如混合（Hybrid）集成電路則運(yùn)用有機(jī)多芯片模塊（MCMs）結(jié)合傳統(tǒng)的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術(shù)，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質(zhì)量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點(diǎn)包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見(jiàn)的電感結(jié)構(gòu)，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設(shè)計(jì)為例，說(shuō)明電感參數(shù)的萃取。
標(biāo)簽： 被動(dòng)組件 電感 設(shè)計(jì)與分析
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：yuanxiaoqiang
基于槽式聚光熱電聯(lián)供系統(tǒng)，深入分析晶硅電池陣列和砷化鎵電池陣列在高倍聚光下的輸出特性及輸出功率的影響因素+ 研究結(jié)果表明，聚光光強(qiáng)下砷化鎵電池陣列輸出性能優(yōu)于晶硅電池陣列，高光強(qiáng)會(huì)導(dǎo)致光伏電池禁帶寬度變窄，短路電流成倍增加，增加輸出功率，但同時(shí)耗盡層復(fù)合率變大，開(kāi)路電壓降低，制約陣列的輸出功率；高光強(qiáng)還引起電池溫度升高，電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻增加+ 分析表明聚光作用下電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻對(duì)輸出功率影響巨大，串聯(lián)內(nèi)阻從&!增加!!，四種電池陣列輸出功率分別損失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：趙一霞a
當(dāng)光照較弱時(shí)漏電電阻對(duì)光電流的影響較小，而對(duì)開(kāi)路電壓的影響較大 當(dāng)光照較強(qiáng)時(shí)，二極管電流遠(yuǎn)大于漏電電流，此時(shí)并聯(lián)電阻對(duì)光電池影響較小，串聯(lián)電阻對(duì)開(kāi)路電壓機(jī)會(huì)沒(méi)有影響，但對(duì)短路電流影響很大。 所以要制備并聯(lián)電阻較大但串聯(lián)電阻較小的光電池，提高其填充因子FF。 砷化鎵電池的旁路電阻大于1K，對(duì)輸出特情基本沒(méi)有影響，當(dāng)總串聯(lián)電阻增加到5時(shí)，電池的轉(zhuǎn)換效率就要下降30%，可見(jiàn)串聯(lián)電阻對(duì)砷化鎵太陽(yáng)能電池的影響是較大的，最近對(duì)于硅電池，要求實(shí)用化的產(chǎn)品的串聯(lián)電阻在0.5以下。 影響太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的一些因素 主要以硅電池為例 光生電流的光學(xué)損失，有三種：
標(biāo)簽： 轉(zhuǎn)換效率 太陽(yáng)能 薄膜
上傳時(shí)間： 2014-01-21
上傳用戶：離殤
隨著航天科技發(fā)展，三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池具有很高的光電轉(zhuǎn)換效率，將成為新一代航天飛行器能源太陽(yáng)電池陣的基本組件。在三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率測(cè)試中，發(fā)現(xiàn)一些三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池測(cè)試后電性能下降。研究表明是電池在測(cè)試過(guò)程中反向擊穿，通過(guò)試驗(yàn)改進(jìn)了測(cè)試儀器，完善三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池測(cè)試新技術(shù)。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：zhyfjj
敘述GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的發(fā)展現(xiàn)狀。
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：dumplin9
隨著微波半導(dǎo)體器件的成熟，工藝加工技術(shù)的改進(jìn)，以及砷化鎵材料設(shè)備的完善，器件成品率提高，使單片微波電路的研究已具備現(xiàn)實(shí)的條件。微波開(kāi)關(guān)也被單片集成化。這使得微波開(kāi)關(guān)具有體積小，重量輕，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作容易、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，是微波和毫米波控制電路的重要器件，廣泛用于微波和毫米波雷達(dá)，通信，電子對(duì)抗和測(cè)量系統(tǒng)中。
標(biāo)簽： SPDT 微波開(kāi)關(guān)
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶：c12228
隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應(yīng)用，例如行動(dòng)電話、無(wú)線個(gè)人計(jì)算機(jī)、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)等，高頻電路的技術(shù)也日新月異。良好的高頻電路設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎(chǔ)上。被動(dòng)組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關(guān)系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數(shù)萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術(shù)，而近年來(lái)，由于高頻與高速電路的應(yīng)用日益廣泛，加上電路設(shè)計(jì)趨向輕薄短小，電感制作的材質(zhì)與技術(shù)也不斷的進(jìn)步。例如射頻機(jī)體電路（RFIC）運(yùn)用硅材質(zhì)，微波集成電路則廣泛的運(yùn)用砷化鎵（GaAs）技術(shù)；此外，在低成本的無(wú)線通訊射頻應(yīng)用上，如混合（Hybrid）集成電路則運(yùn)用有機(jī)多芯片模塊（MCMs）結(jié)合傳統(tǒng)的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術(shù)，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質(zhì)量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點(diǎn)包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見(jiàn)的電感結(jié)構(gòu)，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設(shè)計(jì)為例，說(shuō)明電感參數(shù)的萃取。
標(biāo)簽： 被動(dòng)組件 電感 設(shè)計(jì)與分析
上傳時(shí)間： 2014-06-16
上傳用戶：南國(guó)時(shí)代
PCB聯(lián)盟網(wǎng)-科普知識(shí)--《電子封裝材料與工藝》 學(xué)習(xí)筆記 54頁(yè)本人主要從事 IC 封裝化學(xué)材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產(chǎn)業(yè)的動(dòng)態(tài)和技術(shù)，自學(xué)了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯(cuò)的教材，在此總結(jié)出一些個(gè)人的學(xué)習(xí)筆記和大家分享。此筆記原發(fā)在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發(fā)展與制造 1、原子結(jié)構(gòu)：原子是由高度密集的質(zhì)子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級(jí)）上旋 轉(zhuǎn)的荷負(fù)電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當(dāng)原子彼此靠近時(shí)，它們之間發(fā)生交互作用 的形成所謂的化學(xué)鍵，化學(xué)鍵可以分成離子鍵、共價(jià)鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問(wèn)世于 1883 年 Edison（愛(ài)迪生）發(fā)明白熾燈時(shí)，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發(fā)現(xiàn)了真 空管類似極管的作用。在愛(ài)迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽(yáng)極； b.當(dāng)電子管含有兩個(gè)電極（陽(yáng)極和陰極）時(shí)，這種電路被稱為二極管，1906 年美國(guó)發(fā)明家 Lee DeForest 在陰極和陽(yáng)極之間加入了一個(gè)柵極（一個(gè)精細(xì)的金屬絲網(wǎng)），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴(kuò)大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應(yīng)用于工業(yè)已有半個(gè)多世紀(jì)，但是有很多缺點(diǎn)，包括體積大，產(chǎn)生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態(tài)器件的進(jìn)展消除了真空管的缺點(diǎn)，真空管開(kāi)始從許多電子產(chǎn)品的使 用中退出； 3、半導(dǎo)體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導(dǎo)體材料有元素半導(dǎo)體硅、鍺、硒，半導(dǎo)體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個(gè) p-n 結(jié)），當(dāng)結(jié)上為正向偏壓時(shí)可以導(dǎo)通電流，當(dāng)反向偏壓時(shí)則電流停止； c.結(jié)型雙極晶體管：把兩個(gè)或兩個(gè)以上的 p-n 結(jié)組合成一個(gè)器件，導(dǎo)致了之！
上傳時(shí)間： 2022-02-06
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模數(shù)化終端電器選用指南
上傳時(shí)間： 2013-06-10
上傳用戶：eeworm
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