砷化鎵微波功率場效應晶體管及其集成電路.pdf
上傳時間： 2022-01-07
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隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應用，例如行動電話、無線個人計算機、無線網絡等，高頻電路的技術也日新月異。良好的高頻電路設計的實現與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎上。被動組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術，而近年來，由于高頻與高速電路的應用日益廣泛，加上電路設計趨向輕薄短小，電感制作的材質與技術也不斷的進步。例如射頻機體電路（RFIC）運用硅材質，微波集成電路則廣泛的運用砷化鎵（GaAs）技術；此外，在低成本的無線通訊射頻應用上，如混合（Hybrid）集成電路則運用有機多芯片模塊（MCMs）結合傳統的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見的電感結構，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設計為例，說明電感參數的萃取。
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：yuanxiaoqiang
基于槽式聚光熱電聯供系統，深入分析晶硅電池陣列和砷化鎵電池陣列在高倍聚光下的輸出特性及輸出功率的影響因素+ 研究結果表明，聚光光強下砷化鎵電池陣列輸出性能優于晶硅電池陣列，高光強會導致光伏電池禁帶寬度變窄，短路電流成倍增加，增加輸出功率，但同時耗盡層復合率變大，開路電壓降低，制約陣列的輸出功率；高光強還引起電池溫度升高，電池陣列串聯內阻增加+ 分析表明聚光作用下電池陣列串聯內阻對輸出功率影響巨大，串聯內阻從&!增加!!，四種電池陣列輸出功率分別損失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：趙一霞a
當光照較弱時漏電電阻對光電流的影響較小，而對開路電壓的影響較大 當光照較強時，二極管電流遠大于漏電電流，此時并聯電阻對光電池影響較小，串聯電阻對開路電壓機會沒有影響，但對短路電流影響很大。 所以要制備并聯電阻較大但串聯電阻較小的光電池，提高其填充因子FF。 砷化鎵電池的旁路電阻大于1K，對輸出特情基本沒有影響，當總串聯電阻增加到5時，電池的轉換效率就要下降30%，可見串聯電阻對砷化鎵太陽能電池的影響是較大的，最近對于硅電池，要求實用化的產品的串聯電阻在0.5以下。 影響太陽能電池轉換效率的一些因素 主要以硅電池為例 光生電流的光學損失，有三種：
上傳時間： 2014-01-21
上傳用戶：離殤
隨著航天科技發展，三結砷化鎵太陽電池具有很高的光電轉換效率，將成為新一代航天飛行器能源太陽電池陣的基本組件。在三結砷化鎵太陽電池光電轉換效率測試中，發現一些三結砷化鎵太陽電池測試后電性能下降。研究表明是電池在測試過程中反向擊穿，通過試驗改進了測試儀器，完善三結砷化鎵太陽電池測試新技術。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：zhyfjj
敘述GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的發展現狀。
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：dumplin9
隨著微波半導體器件的成熟，工藝加工技術的改進，以及砷化鎵材料設備的完善，器件成品率提高，使單片微波電路的研究已具備現實的條件。微波開關也被單片集成化。這使得微波開關具有體積小，重量輕，結構簡單、制作容易、可靠性高等優點，是微波和毫米波控制電路的重要器件，廣泛用于微波和毫米波雷達，通信，電子對抗和測量系統中。
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：c12228
隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應用，例如行動電話、無線個人計算機、無線網絡等，高頻電路的技術也日新月異。良好的高頻電路設計的實現與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎上。被動組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術，而近年來，由于高頻與高速電路的應用日益廣泛，加上電路設計趨向輕薄短小，電感制作的材質與技術也不斷的進步。例如射頻機體電路（RFIC）運用硅材質，微波集成電路則廣泛的運用砷化鎵（GaAs）技術；此外，在低成本的無線通訊射頻應用上，如混合（Hybrid）集成電路則運用有機多芯片模塊（MCMs）結合傳統的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見的電感結構，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設計為例，說明電感參數的萃取。
上傳時間： 2014-06-16
上傳用戶：南國時代
PCB聯盟網-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學習筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產業的動態和技術，自學了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯的教材，在此總結出一些個人的學習筆記和大家分享。此筆記原發在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發展與制造 1、原子結構：原子是由高度密集的質子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋 轉的荷負電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當原子彼此靠近時，它們之間發生交互作用 的形成所謂的化學鍵，化學鍵可以分成離子鍵、共價鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問世于 1883 年 Edison（愛迪生）發明白熾燈時，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發現了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極； b.當電子管含有兩個電極（陽極和陰極）時，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發明家 Lee DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個柵極（一個精細的金屬絲網），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應用于工業已有半個多世紀，但是有很多缺點，包括體積大，產生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態器件的進展消除了真空管的缺點，真空管開始從許多電子產品的使 用中退出； 3、半導體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導體材料有元素半導體硅、鍺、硒，半導體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個 p-n 結），當結上為正向偏壓時可以導通電流，當反向偏壓時則電流停止； c.結型雙極晶體管：把兩個或兩個以上的 p-n 結組合成一個器件，導致了之！
上傳時間： 2022-02-06
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模數化終端電器選用指南
上傳時間： 2013-06-10
上傳用戶：eeworm
