2推薦：串口擴展芯片GM812X和非易失性存
標簽： 812X 812 GM 串口擴展
上傳時間： 2015-06-16
上傳用戶：iswlkje
全面理解非易失存儲器(Flash,EPROM,EEPROM
標簽： EEPROM Flash EPROM 非易失
上傳時間： 2014-01-10
上傳用戶：a6697238
本書內容包括： 快速有效的測試存儲器芯片 如何寫入和擦除快閃存儲器 用循環冗余校驗碼驗證非易失性存儲器數據 與芯片的內部外設和外部外設接口 設計和實現設備驅動 優化嵌入式軟件 最大限度高性能的應用C++特性 本書適用于嵌入式系統程序員、設計師和項目管理人員
標簽： 測試 存儲器芯片 存儲器數據 外設
上傳時間： 2016-08-31
上傳用戶：yph853211
FM25L256B是采用先進的鐵電技術制造的256Kb非易失性存儲器。鐵電隨機存儲器（FRAM）具有非易失性，并且可以象RAM一樣快速讀寫。數據在掉電后可以保存10年，同時消除由EEPROM和其他非易失性存儲器導致的復雜性，開銷和系統級別可靠性問題。
標簽： 256 256B L256 FRAM
上傳時間： 2016-09-26
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程控增益線性脈沖放大器的設計。 設計了一種新型程控增益線性脈沖放大器。采用準高斯CR2RC2CR 成形電路結構,使用非易失性數字電位器和精密運放,使電路結構大大簡化,抗干擾能力強,增益多級連續變化平穩,且具有溫漂低、脈沖線性好等特點
標簽： CR2RC2CR 增益 程控 放大器
上傳時間： 2013-11-27
上傳用戶：wcl168881111111
C8051F系列單片機Flash讀寫程序,可存儲非易失數據.
標簽： C8051F Flash 單片機 讀寫程序
上傳時間： 2013-11-26
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fm1808中文資料 描述 FM1808是用先進的鐵電技術制造的 256K位的非易失性的記憶體 鐵電隨機 存儲器 FRAM 是一種具有非易失 性 并且可以象RAM一樣快速讀寫 但 它沒有BBSRAM模組系統的設計復雜 性 缺點和相關的可靠性問題 數據在 掉電可以保存10年 高速寫以及高擦寫 次數使得它比EEPROM或其他非易失性 存儲器可靠性更高 系統更簡單
標簽： 1808 256K FRAM RAM
上傳時間： 2014-01-11
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VRS51L3074是一款嵌入非易失性 FRAM存儲器的8051MCU。該器件8KB真正的非易失性隨機存儲器映像到VRS51L3074的XRAM存儲尋址空間上充分發揮其快速讀寫以及讀寫壽命無限的特點。單周期8051處理器 內核可以提供高達 4O MIPS的吞吐量，并且與標準8051s指令兼容。
標簽： L3074 3074 VRS 51L
上傳時間： 2014-01-03
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非移失性x9241與89c2051的接口電路與編程
標簽： 89c2051 x9241 接口電路 編程
上傳時間： 2013-12-23
上傳用戶：Divine
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術,本文介紹了兩者的區別!
標簽： NAND NOR 非易失 閃存技術
上傳時間： 2014-01-27
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