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高阻抗

  • 簡(jiǎn)單的耳機(jī)放大器輕松搞定.rar

    教你制作簡(jiǎn)單的耳機(jī)功放電路,可以推動(dòng)較高阻抗的耳塞。

    標(biāo)簽: 耳機(jī)放大器

    上傳時(shí)間: 2013-07-17

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  • 針對(duì)高速應(yīng)用的電流回授運(yùn)算放大器

    訊號(hào)路徑設(shè)計(jì)講座(9)針對(duì)高速應(yīng)用的電流回授運(yùn)算放大器電流回授運(yùn)算放大器架構(gòu)已成為各類(lèi)應(yīng)用的主要解決方案。該放大器架構(gòu)具有很多優(yōu)勢(shì),并且?guī)缀蹩蓪?shí)施于任何需要運(yùn)算放大器的應(yīng)用當(dāng)中。電流回授放大器沒(méi)有基本的增益頻寬產(chǎn)品的局限,隨著訊號(hào)振幅的增加,而頻寬損耗依然很小就證明了這一點(diǎn)。由于大訊號(hào)具有極小的失真,所以在很高的頻率情況下這些放大器都具有極佳的線性度。電流回授放大器在很寬的增益范圍內(nèi)的頻寬損耗很低,而電壓回授放大器的頻寬損耗卻隨著增益的增加而增加。準(zhǔn)確地說(shuō)就是電流回授放大器沒(méi)有增益頻寬產(chǎn)品的限制。當(dāng)然,電流回授放大器也不是無(wú)限快的。變動(dòng)率受制于晶體管本身的速度限制(而非內(nèi)部偏置(壓)電流)。這可以在給定的偏壓電流下實(shí)現(xiàn)更大的變動(dòng)率,而無(wú)需使用正回授和其它可能影響穩(wěn)定性的轉(zhuǎn)換增強(qiáng)技術(shù)。那么,我們?nèi)绾蝸?lái)建立這樣一個(gè)奇妙的電路呢?電流回授運(yùn)算放大器具有一個(gè)與差動(dòng)對(duì)相對(duì)的輸入緩沖器。輸入緩沖器通常是一個(gè)射極追隨器或類(lèi)似的器件。非反向輸入是高阻抗的,而緩沖器的輸出(即放大器的反向輸入)是低阻抗的。相反,電壓回授放大器的2個(gè)輸入均是高阻抗的。電流回授運(yùn)算放大器輸出的是電壓,而且與透過(guò)稱(chēng)為互阻抗Z(s)的復(fù)變函數(shù)流出或流入運(yùn)算放大器的反向輸入端的電流有關(guān)。在直流電情況下,互阻抗很高(與電壓回授放大器類(lèi)似),并且隨著頻率的增加而單極滾降。

    標(biāo)簽: 電流 運(yùn)算放大器

    上傳時(shí)間: 2013-10-19

    上傳用戶(hù):黃蛋的蛋黃

  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程,分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來(lái),變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門(mén)話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡(jiǎn)稱(chēng)THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法,專(zhuān)用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很?chē)?yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí),所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很?chē)?yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿(mǎn)足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶(hù):7891

  • 級(jí)聯(lián)Blumlein型脈沖網(wǎng)絡(luò)電感設(shè)計(jì)

    為了利用級(jí)聯(lián)Blumlein型脈沖形成網(wǎng)絡(luò)在高阻抗負(fù)載產(chǎn)生理想的高壓平頂脈沖輸出,開(kāi)展了構(gòu)成該脈沖功率源關(guān)鍵單元的始端電感和終端電感設(shè)計(jì)。從充電電壓一致性,輸出脈沖不發(fā)生嚴(yán)重畸變,高的電壓疊加效率,可接受的負(fù)載預(yù)脈沖幅值出發(fā),確定了始端電感和終端電感值的計(jì)算方法,利用錳鋅鐵氧體磁芯的飽和特性設(shè)計(jì)電感,通過(guò)實(shí)驗(yàn)開(kāi)展錳鋅鐵氧體磁芯參數(shù)測(cè)試。研究表明錳鋅鐵氧體飽和和剩余磁感應(yīng)強(qiáng)度之和約為1.75,飽和磁導(dǎo)率約3.3,非飽和磁導(dǎo)率約1 462,飽和電感值為7.3 mH,非飽和電感值3.2 mH。

    標(biāo)簽: Blumlein 級(jí)聯(lián) 電感設(shè)計(jì) 脈沖

    上傳時(shí)間: 2013-10-09

    上傳用戶(hù):lyson

  • ADM2582E完全集成式隔離數(shù)據(jù)收發(fā)器

    ADM2582E/ADM2587E是具備±15 kV ESD保護(hù)功能的完全集成式隔離數(shù)據(jù)收發(fā)器,適合用于多點(diǎn)傳輸線路上的高速通信應(yīng)用。ADM2582E/ADM2587E包含一個(gè)集成式隔離DC-DC電源,不再需要外部DC/DC隔離模塊。 該器件針對(duì)均衡的傳輸線路而設(shè)計(jì),符合ANSI TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)標(biāo)準(zhǔn)。 它采用ADI公司的iCoupler®技術(shù),在單個(gè)封裝內(nèi)集成了一個(gè)三通道隔離器、一個(gè)三態(tài)差分線路驅(qū)動(dòng)器、一個(gè)差分輸入接收器和一個(gè)isoPower DC/DC轉(zhuǎn)換器。該器件采用5V或3.3V單電源供電,從而實(shí)現(xiàn)了完全集成的信號(hào)和電源隔離RS-485解決方案。 ADM2582E/ADM2587E驅(qū)動(dòng)器帶有一個(gè)高電平有效使能電路,并且還提供一個(gè)高電平接收機(jī)有效禁用電路,可使接收機(jī)輸出進(jìn)入高阻抗狀態(tài)。 該器件具備限流和熱關(guān)斷特性,能夠防止輸出短路。 隔離的RS-485/RS-422收發(fā)器,可配置成半雙工或全雙工模式 isoPower™集成式隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器 在RS-485輸入/輸出引腳上提供±15 kV ESD保護(hù)功能 符合ANSI/TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)標(biāo)準(zhǔn) ADM2587E數(shù)據(jù)速率: 500 kbps 5 V或3.3V電源供電 總線上擁有256個(gè)節(jié)點(diǎn) 開(kāi)路和短路故障安全接收機(jī)輸入 高共模瞬態(tài)抑制能力: >25 kV/μs 熱關(guān)斷保護(hù)

    標(biāo)簽: 2582E 2582 ADM 集成式

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

    上傳用戶(hù):名爵少年

  • PCA9519 4通道I2C-bus SMBus 中繼器

    PCA9519 是一個(gè)4 通道的I2C 總線/SMBus 中繼器,可以實(shí)現(xiàn)將低電壓兩線串行總線接口的處理器與標(biāo)準(zhǔn)的I2C 總線或SMBus I/O 相連。該中繼器在電平轉(zhuǎn)換中保持I2C 總線系統(tǒng)所有的模式和特點(diǎn)的同時(shí),允許通過(guò)給數(shù)據(jù)總線(SDA)和時(shí)鐘總線(SCK)提供雙向緩沖區(qū)來(lái)擴(kuò)展I2C 總線,從而使I2C 總線或SMBus 在高電壓下最大容限電容為400PF。SDA 和SCL 引腳具有耐壓保護(hù)功能,當(dāng)PCA9519 掉電時(shí),均呈現(xiàn)出高阻抗特性。

    標(biāo)簽: C-bus SMBus 9519 PCA

    上傳時(shí)間: 2013-11-23

    上傳用戶(hù):brilliantchen

  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程,分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來(lái),變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門(mén)話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡(jiǎn)稱(chēng)THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法,專(zhuān)用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很?chē)?yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí),所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很?chē)?yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿(mǎn)足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時(shí)間: 2013-12-15

    上傳用戶(hù):天空說(shuō)我在

  • ADC簡(jiǎn)化測(cè)量高阻抗傳感器

      Delta-sigma ADCs, with their high accuracy and high noiseimmunity, are ideal for directly measuring many typesof sensors. Nevertheless, input sampling currents canoverwhelm high source impedances or low-bandwidth,micropower signal conditioning circuits. The LTC®2484family of delta sigma converters solves this problem bybalancing the input currents, thussimplifying or eliminatingthe need for signal conditioning circuits.

    標(biāo)簽: ADC 測(cè)量 傳感器 高阻抗

    上傳時(shí)間: 2015-01-03

    上傳用戶(hù):潛水的三貢

  • 找了很久才找到的。現(xiàn)上傳上來(lái)共享。 M74HC595 是一個(gè)八位串行輸入

    找了很久才找到的。現(xiàn)上傳上來(lái)共享。 M74HC595 是一個(gè)八位串行輸入,平行輸出的位移緩存器;平行輸出為三態(tài)輸出。在SCK 的上升緣,串行數(shù)據(jù)由SDI輸入到內(nèi)部的八位位移緩存器,并由Q7’輸出。 而平行輸出,則是在LCK 的上升緣,將在八位位移緩存器的數(shù)據(jù)存入到八位平行輸出緩存器。當(dāng)OE 的控制訊號(hào)為低致能時(shí), 平行輸出端的輸出值,等于平行輸出緩存器所儲(chǔ)存的質(zhì)。而當(dāng)OE 的控制訊號(hào)為高電位,也就是輸出關(guān)閉時(shí),平行輸出端會(huì)維持在高阻抗狀態(tài)。. M74HC595 保持了和一般74HC595 功能上以及腳位上的兼容性之外,并針對(duì)一些特性予以強(qiáng)化。這些強(qiáng)化的特性,使得M74HC595 非常適合用于像是LED 數(shù)組指示器、LED 訊號(hào)顯示矩陣等需要較大的灌電流應(yīng)用。每個(gè)通道可接受的灌電流都被加大了,使得M74HC595 可以支持更大的LED 電流。而增大的接地電流,可支持?jǐn)?shù)個(gè)平行輸入通道的同時(shí)打開(kāi),并灌大電流。比起傳統(tǒng)的74HC595,平行輸出端同時(shí)有較大灌電流時(shí),可靠度增強(qiáng)了四倍以上。

    標(biāo)簽: M74 595 74 HC

    上傳時(shí)間: 2014-11-23

    上傳用戶(hù):heart520beat

  • at89c52芯片資料中文版

    AT89C52是美國(guó)ATMEL,公司生產(chǎn)的低電壓,高性能CMOS 8位單片機(jī),片內(nèi)含8k bytes的可反復(fù)擦寫(xiě)的Flash只讀程序存儲(chǔ)器和256 bytes的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(RAM),器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn),與標(biāo)準(zhǔn)MCS-51指令系統(tǒng)及8052產(chǎn)品引腳兼容,片內(nèi)置通用8位中央處理器(CPU)和Flash存儲(chǔ)單元,功能強(qiáng)大AT89C52單片機(jī)適合于許多較為復(fù)雜控制應(yīng)用場(chǎng)合主要性能參數(shù):·與MCS-51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容.8k字節(jié)可重擦寫(xiě)Flash閃速存儲(chǔ)器.1000次擦寫(xiě)周期靜態(tài)操作:OHz-24MHz·三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器?256х8 hA部RAM?32編程1/0口線.3個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器?8個(gè)中斷源·程串行UART通道低功耗空閑和掉電模式·PO口:P0口是一組8位漏極開(kāi)路型雙向1/0口,也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí),每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏輯門(mén)電路,對(duì)端口P0寫(xiě)"1"時(shí),可作為高阻抗輸入端用.在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí),這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址(低8位)和數(shù)據(jù)總線復(fù)用,在訪問(wèn)期間滋活內(nèi)部上拉電阻.在Flash編程時(shí),PO口接收指令字節(jié),而在程序校驗(yàn)時(shí),輸出指令字節(jié),校驗(yàn)時(shí),要求外接上拉電阻。

    標(biāo)簽: at89c52

    上傳時(shí)間: 2022-06-19

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