一種無片外電容LDO的瞬態增強電路設計 - 免費下載

電源技術資源 文件大小：1645 K

?? 資源詳細信息

文件格式
ZIP
所屬分類
上傳用戶
上傳時間
文件大小
1645 K
所需積分
2 積分
推薦指數
???? (4/5)

?? 溫馨提示：本資源由用戶 qseng 上傳分享，僅供學習交流使用。如有侵權，請聯系我們刪除。

資源簡介

利用RC高通電路的思想，針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度，而且瞬態增強電路工作的過程中，系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明：整個LDO是靜態電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時，其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs；而在負載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內，由1.8 V跳變到2.3 V時，輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。

源碼文件列表

?? 共 1 個源碼文件 點擊文件名可在線查看源代碼

??
溫馨提示：點擊文件名或"查看源碼"按鈕可在線瀏覽源代碼，支持語法高亮顯示。

立即下載此資源

提示：下載后請用壓縮軟件解壓，推薦使用 WinRAR 或 7-Zip

資源說明

?? 下載說明

  • 下載需消耗 2積分
  • 24小時內重復下載不扣分
  • 支持斷點續傳
  • 資源永久有效

?? 使用說明

  • 下載后用解壓軟件解壓
  • 推薦 WinRAR 或 7-Zip
  • 如有密碼請查看說明
  • 解壓后即可使用

?? 積分獲取

  • 上傳資源獲得積分
  • 每日簽到免費領取
  • 邀請好友注冊獎勵
  • 查看詳情 →

相關標簽

點擊標簽查看更多相關資源：

相關資源推薦