AO3403
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資源簡(jiǎn)介：Tmos功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理和應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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資源簡(jiǎn)介：VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-07-25
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資源簡(jiǎn)介：Motorola 集成電路應(yīng)用技術(shù)叢書 TMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理及應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-07-16
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資源簡(jiǎn)介：VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-07-30
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資源簡(jiǎn)介：專輯類----單片機(jī)專輯 Motorola-集成電路應(yīng)用技術(shù)叢書-TMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理及應(yīng)用-292頁(yè)-9.9M.rar
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資源簡(jiǎn)介：專輯類-實(shí)用電子技術(shù)專輯-385冊(cè)-3.609G VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用-225頁(yè)-3.2M.pdf
上傳時(shí)間： 2013-05-23
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資源簡(jiǎn)介：專輯類-器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯-120冊(cè)-2.15G Tmos功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理和應(yīng)用-292頁(yè)-9.9M.pdf
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資源簡(jiǎn)介：專輯類-器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯-120冊(cè)-2.15G VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用-225頁(yè)-3.2M.pdf
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資源簡(jiǎn)介：專輯類-單片機(jī)專輯-258冊(cè)-4.20G Motorola-集成電路應(yīng)用技術(shù)叢書-TMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理及應(yīng)用-292頁(yè)-9.9M.pdf
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資源簡(jiǎn)介： 場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路的動(dòng)態(tài)分析 共源組態(tài)基本放大電路的動(dòng)態(tài)分析 共漏組態(tài)基本放大電路的動(dòng)態(tài)分析
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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資源簡(jiǎn)介：實(shí)用電子技術(shù)專輯 385冊(cè) 3.609GVMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用 225頁(yè) 3.2M.pdf
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資源簡(jiǎn)介：器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15GTmos功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理和應(yīng)用 292頁(yè) 9.9M.pdf
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資源簡(jiǎn)介：器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15GVMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用 225頁(yè) 3.2M.pdf
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資源簡(jiǎn)介：單片機(jī)專輯 258冊(cè) 4.20GMotorola 集成電路應(yīng)用技術(shù)叢書 TMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理及應(yīng)用 292頁(yè) 9.9M.pdf
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資源簡(jiǎn)介：砷化鎵微波功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其集成電路.pdf
上傳時(shí)間： 2022-01-07
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資源簡(jiǎn)介：Motorola 集成電路應(yīng)用技術(shù)叢書 TMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理及應(yīng)用.pdf
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資源簡(jiǎn)介：VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用.pdf
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資源簡(jiǎn)介：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 原理與應(yīng)用.pdf結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 原理與應(yīng)用.pdf
上傳時(shí)間： 2022-01-10
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資源簡(jiǎn)介：摘要：以N溝道増強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管為核心，基于H橋PWM控制原理，設(shè)計(jì)了一種直流電機(jī)正反轉(zhuǎn)調(diào)速驅(qū)動(dòng)控制電路，滿足大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。實(shí)驗(yàn)表明該驅(qū)動(dòng)控制電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、功耗低的特點(diǎn)。關(guān)鍵詞：N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管；H橋；PWM控制；電荷泵；功...
上傳時(shí)間： 2022-04-10
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資源簡(jiǎn)介：怎樣判斷IGBT MOS管的好壞？怎么檢測(cè)它的引腳？IGBT1、判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ 擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)， 若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大， 則判斷此極為柵極（G ）。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量， 若測(cè)得阻值為...
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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資源簡(jiǎn)介：巧識(shí)晶體管_場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào)的意義巧識(shí)晶體管_場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào)的意義
上傳時(shí)間： 2016-08-10
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資源簡(jiǎn)介：電子教程-MOS門電路.ppt場(chǎng)效應(yīng)三極管：電壓控制元件，僅用一種載流子參與導(dǎo)電。電子作為載流子稱為N溝道器件，空穴作為載流子的稱為P溝道器件。每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種
上傳時(shí)間： 2022-02-18
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資源簡(jiǎn)介：? ? 場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)輸出是一個(gè)比較常見(jiàn)的問(wèn)題。雖然場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻比晶體管要低很多很多，但要讓它完全導(dǎo)通與關(guān)閉并不簡(jiǎn)單。比較簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)辦法是用專門的集成電路。美國(guó)IR2110芯片系常用的雙通道驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管的集成芯片。設(shè)計(jì)為高、低雙通道驅(qū)動(dòng)輸出。本...
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資源簡(jiǎn)介：場(chǎng)效應(yīng)管替換手冊(cè) PDF版
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資源簡(jiǎn)介：最新世界場(chǎng)效應(yīng)管特性代換手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
資源簡(jiǎn)介：專輯類-器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯-120冊(cè)-2.15G 場(chǎng)效應(yīng)管替換手冊(cè)-1429頁(yè)-PDF版.pdf
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資源簡(jiǎn)介：專輯類-器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯-120冊(cè)-2.15G 最新世界場(chǎng)效應(yīng)管特性代換手冊(cè)-951頁(yè)-10.6M.pdf
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資源簡(jiǎn)介：三極管,場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)大全，里面記錄了市面上各種常用的三級(jí)管，場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)及其基本參數(shù)
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資源簡(jiǎn)介：場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)(5000種),Excel 文件格式
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