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基于太赫茲時域光譜的半導體材料參數測量

資 源 簡 介

提出了一個考慮FP 效應的半導體材料參數測量方案。利用該方案可以在時域波形中,截取多個反射回峰,以提高材料參數提取的精確度。另外,考慮到多重反射對樣品厚度的準確性要求較高,提出了一種有效的厚度優化方法。以GaAs 為待測樣品,利用上述方法精確提取了其折射率與消光系數譜.

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