相 關(guān) 資 源

• 大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)免費(fèi)下載

  資源簡介：大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

  標(biāo)簽： MOSFET 大功率開關(guān)電源 功率 驅(qū)動技術(shù)

  上傳時(shí)間： 2013-04-15

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• 實(shí)用晶閘管電路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT應(yīng)用指南）免費(fèi)下載

  資源簡介：實(shí)用晶閘管電路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT應(yīng)用指南）

  標(biāo)簽： MOSFET IGBT SCR GTR

  上傳時(shí)間： 2013-06-05

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• 大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù).pdf免費(fèi)下載

  資源簡介：專輯類-開關(guān)電源相關(guān)專輯-119冊-749M 大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù).pdf

  標(biāo)簽： MOSFET 大功率開關(guān)電源 功率

  上傳時(shí)間： 2013-06-22

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• 實(shí)用晶閘管電路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT應(yīng)用指南）481頁-11.3M.pdf免費(fèi)下載

  資源簡介：專輯類-實(shí)用電子技術(shù)專輯-385冊-3.609G 實(shí)用晶閘管電路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT應(yīng)用指南）481頁-11.3M.pdf

  標(biāo)簽： MOSFET 11.3 IGBT SCR

  上傳時(shí)間： 2013-07-25

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• 內(nèi)置高壓MOSFET電流模式PWM控制器系列免費(fèi)下載

  資源簡介：SD4840/4841/4842/4843/4844是用于開關(guān)電源的內(nèi)置高壓MOSFET電流模式PWM控制器系列產(chǎn)品。該電路待機(jī)功耗低，啟動電流低。在待機(jī)模式下，電路進(jìn)入打嗝模式，從而有效地降低電路的

  標(biāo)簽： MOSFET PWM 內(nèi)置 電流模式

  上傳時(shí)間： 2013-04-24

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• 大功率LED集成的高壓側(cè)LED驅(qū)動器 電流檢測和PWM調(diào)光MOSFET驅(qū)動器免費(fèi)下載

  資源簡介：A dimming driver designed to drive an external n-channel MOSFET in series with the LED string pro

  標(biāo)簽： LED MOSFET PWM 驅(qū)動器

  上傳時(shí)間： 2013-07-06

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• 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器中MOSFET的驅(qū)動設(shè)計(jì)免費(fèi)下載

  資源簡介：本文介紹了在步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器中利用IR2110S完成MOSFET驅(qū)動的設(shè)計(jì)，并給出試驗(yàn)結(jié)果。關(guān)鍵詞 步進(jìn)電機(jī)；MOSFET 驅(qū)動器

  標(biāo)簽： MOSFET 步進(jìn)電機(jī) 驅(qū)動器 驅(qū)動設(shè)計(jì)

  上傳時(shí)間： 2013-08-01

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• MOSFET免費(fèi)下載

  資源簡介：高精度MOSFET設(shè)計(jì)指南，很不錯(cuò)的資料-MOSFET design high-precision guide

  標(biāo)簽： MOSFET

  上傳時(shí)間： 2013-05-25

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• 詳解MOSFET的驅(qū)動技術(shù)及應(yīng)用免費(fèi)下載

  資源簡介：摘要: MOSFET 作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET 作為電壓型驅(qū)動器件，其驅(qū)動表面上看來是非常簡單，但是詳細(xì)分析起來并不簡單。

  標(biāo)簽： MOSFET 驅(qū)動技術(shù)

  上傳時(shí)間： 2013-07-05

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• 詳解MOSFET驅(qū)動設(shè)計(jì)免費(fèi)下載

  資源簡介：詳解MOSFET驅(qū)動設(shè)計(jì)，在網(wǎng)絡(luò)上下載的一篇介紹MOSFET驅(qū)動設(shè)計(jì)的文章，調(diào)試MOSFET驅(qū)動時(shí)參考不錯(cuò)！

  標(biāo)簽： MOSFET 驅(qū)動設(shè)計(jì)

  上傳時(shí)間： 2013-06-07

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• 關(guān)于MOSFET應(yīng)用時(shí)的散熱設(shè)計(jì)方法免費(fèi)下載

  資源簡介：關(guān)于MOSFET應(yīng)用時(shí)的熱設(shè)計(jì)方法。

  標(biāo)簽： MOSFET 散熱 設(shè)計(jì)方法

  上傳時(shí)間： 2013-10-31

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• BJT與MOSFET的開關(guān)應(yīng)用免費(fèi)下載

  資源簡介：　　本文是關(guān)于電路中的 BJT 與 MOSFET開關(guān)應(yīng)用的討論。 　　前段時(shí)間，一同學(xué)跟我說，他用單片機(jī)做了一個(gè)簡單的 LED 臺燈，用 PWM的方式控制燈的亮度，但是發(fā)現(xiàn) BJT 總是很燙。他給我的電路圖如圖一，我問他3V 時(shí) LED 的發(fā)光電流是多大，他說大概十幾到二...

  標(biāo)簽： MOSFET BJT 開關(guān)應(yīng)用

  上傳時(shí)間： 2013-11-02

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• 功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路方案免費(fèi)下載

  資源簡介：分析了對功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測功機(jī)勵(lì)磁線圈驅(qū)動電路中的實(shí)際應(yīng)用證明，該電路驅(qū)動能力及保護(hù)功能效果良好。

  標(biāo)簽： MOSFET 功率 驅(qū)動保護(hù)電路 方案

  上傳時(shí)間： 2014-01-25

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• 功率MOSFET的開通和關(guān)斷原理免費(fèi)下載

  資源簡介：開通過程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅(qū)動開通； -- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs 充電而上升，在t1 時(shí)刻，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開始導(dǎo)電；

  標(biāo)簽： MOSFET 功率 關(guān)斷

  上傳時(shí)間： 2013-10-14

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• 實(shí)際應(yīng)用條件下Power+MOSFET開關(guān)特性研究免費(fèi)下載

  資源簡介：摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度，對功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動功率進(jìn)行了研究，提出了有關(guān)參數(shù)的計(jì)算方法，并對多種因素對開關(guān)特性的影響效果進(jìn)行...

  標(biāo)簽： MOSFET Power 實(shí)際應(yīng)用 條件下

  上傳時(shí)間： 2013-11-10

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• 高頻功率MOSFET驅(qū)動電路及并聯(lián)特性研究免費(fèi)下載

  資源簡介：本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，對驅(qū)動電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動電路。此外，對功率MOSFET在兆...

  標(biāo)簽： MOSFET 高頻 功率 驅(qū)動電路

  上傳時(shí)間： 2013-11-22

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• 功率MOSFET并聯(lián)應(yīng)用免費(fèi)下載

  資源簡介：從線路布線和參數(shù)配置等方面分析了導(dǎo)致MOSFET并聯(lián)時(shí)電壓和電流不均衡的原因，并聯(lián)MOSFET易產(chǎn)生振蕩的原因作了詳細(xì)的分析，并輔以仿真說明振蕩產(chǎn)生的原因。

  標(biāo)簽： MOSFET 功率 并聯(lián)

  上傳時(shí)間： 2014-12-23

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• 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析免費(fèi)下載

  資源簡介：結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了...

  標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分

  上傳時(shí)間： 2013-11-14

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• 功率MOSFET的驅(qū)動電路和保護(hù)技術(shù)免費(fèi)下載

  資源簡介：功率MOSFET的驅(qū)動電路和保護(hù)技術(shù)

  標(biāo)簽： MOSFET 功率 保護(hù)技術(shù) 驅(qū)動電路

  上傳時(shí)間： 2013-10-22

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• 理解功率MOSFET的RDS免費(fèi)下載

  資源簡介：深入理解理解功率MOSFET的RDSON

  標(biāo)簽： MOSFET RDS 功率

  上傳時(shí)間： 2013-10-12

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• 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI免費(fèi)下載

  資源簡介：經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60...

  標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

  上傳時(shí)間： 2014-09-08

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• 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件免費(fèi)下載

  資源簡介：在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗x擇...

  標(biāo)簽： MOSFET 獨(dú)立元件

  上傳時(shí)間： 2013-11-19

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• IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊免費(fèi)下載

  資源簡介：IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊

  標(biāo)簽： MOSFET IGBT 功率模塊 應(yīng)用手冊

  上傳時(shí)間： 2013-11-19

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• MOSFET的驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計(jì)免費(fèi)下載

  資源簡介：功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配；設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動模塊的MOSFET驅(qū)動保護(hù)電...

  標(biāo)簽： MOSFET 驅(qū)動保護(hù)電路

  上傳時(shí)間： 2013-12-18

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• Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DP免費(fèi)下載

  資源簡介：Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DPAK封裝

  標(biāo)簽： Vishay MOSFET 252 DP

  上傳時(shí)間： 2013-11-09

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• 以C8051F330為核心,開發(fā)單端正激型開關(guān)電源充電器,C8051F330負(fù)責(zé)電流環(huán)及電壓環(huán)采樣及對應(yīng)脈寬PWM輸出,控制主電路MOSFET管,構(gòu)成負(fù)反饋.免費(fèi)下載

  資源簡介：以C8051F330為核心,開發(fā)單端正激型開關(guān)電源充電器,C8051F330負(fù)責(zé)電流環(huán)及電壓環(huán)采樣及對應(yīng)脈寬PWM輸出,控制主電路MOSFET管,構(gòu)成負(fù)反饋.

  標(biāo)簽： C8051F330 MOSFET 8051 330

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• MOSFET in Zero-Current-Quasi-Resonant Converter 在simulink中仿真MOSFET的模型程序。免費(fèi)下載

  資源簡介：MOSFET in Zero-Current-Quasi-Resonant Converter 在simulink中仿真MOSFET的模型程序。

  標(biāo)簽： Zero-Current-Quasi-Resonant Converter simulink MOSFET

  上傳時(shí)間： 2016-01-18

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• 雙極性晶體管VS MOSFET 非常的具有實(shí)用價(jià)值免費(fèi)下載

  資源簡介：雙極性晶體管VS MOSFET 非常的具有實(shí)用價(jià)值

  標(biāo)簽： MOSFET 雙極性晶體管 價(jià)值

  上傳時(shí)間： 2014-01-25

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• 介紹MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動態(tài)特性免費(fèi)下載

  資源簡介：介紹MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動態(tài)特性，并對動態(tài)特性的改進(jìn)進(jìn)行了論述，簡介了MOSFET的驅(qū)動電路及其發(fā)展動態(tài)。

  標(biāo)簽： MOSFET 工作原理 動態(tài)特性

  上傳時(shí)間： 2016-08-31

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• 功率MOSFET知識介紹.pdf 功率MOSFET知識介紹.pdf免費(fèi)下載

  資源簡介：功率MOSFET知識介紹.pdf 功率MOSFET知識介紹.pdf

  標(biāo)簽： MOSFET 功率

  上傳時(shí)間： 2014-01-13

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