分析了對功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測功機(jī)勵(lì)磁線圈驅(qū)動(dòng)電路中的實(shí)際應(yīng)用證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。
資源簡介：分析了對功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測功機(jī)勵(lì)磁線圈驅(qū)動(dòng)電路中的實(shí)際應(yīng)用證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。
上傳時(shí)間： 2014-01-25
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資源簡介：功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過載的能力較弱，使 其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET 驅(qū)動(dòng)器與MOSFET 的匹配；設(shè)計(jì)了基于IR2130 驅(qū)動(dòng)模塊的 MOSFET 驅(qū)...
上傳時(shí)間： 2016-01-11
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資源簡介：功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配；設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電...
上傳時(shí)間： 2013-12-18
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資源簡介：Renesas鋰電池保護(hù)電路方案
上傳時(shí)間： 2014-01-01
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資源簡介：mos管驅(qū)動(dòng)板電路方案設(shè)計(jì)（電路圖）
上傳時(shí)間： 2021-12-12
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資源簡介：IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路作為變頻器主回路和控制回路之間的接口電路，具有承接前后作用.設(shè)計(jì)好驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路對于變頻器正常工作起著舉足輕重的作用，死區(qū)補(bǔ)償對改善變頻器輸出電壓波形，減小輸出電流諧波含量具有重要意義.本文在詳細(xì)分析IGBT的結(jié)構(gòu)和工作特性的基礎(chǔ)上...
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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資源簡介：本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的要求，對驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動(dòng)電路。此外，對功率MOSFET在兆...
上傳時(shí)間： 2013-11-22
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資源簡介：本文把所研制的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路應(yīng)用在電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)上，并且針對注塑機(jī)的特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一款電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)。其中包括整流濾波電路、半橋逆變電路、控制電路、驅(qū)動(dòng)電路和溫度、電流等檢測電路。本文的另一個(gè)重點(diǎn)分析了IGBT對驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的要求，并且研制了...
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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資源簡介：闡述了平臺(tái)產(chǎn)生倒臺(tái)的基本原理和某型慣性平臺(tái)的測角原理，提出了防倒臺(tái)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)思想，針對慣性平臺(tái)倒臺(tái)導(dǎo)致的嚴(yán)重后果，給出了具體的設(shè)計(jì)過程，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了保護(hù)電路的有效性。
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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資源簡介：功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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資源簡介：IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合器件，它具有開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)功率小和驅(qū)動(dòng)電路簡單的特點(diǎn)，又具有通態(tài)壓降小、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn).IGBT作為主流的功率輸出器件，特別是在大功率的場合，已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。本文在介紹了1GBT結(jié)構(gòu)、工作特...
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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資源簡介：IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用.IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)。但是，IGBT和其它電力電子器件一樣，其...
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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資源簡介：大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
資源簡介：專輯類-開關(guān)電源相關(guān)專輯-119冊-749M 大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù).pdf
上傳時(shí)間： 2013-06-22
上傳用戶：jiachuan666
資源簡介：論文以研制直接驅(qū)動(dòng)洗衣機(jī)用無刷直流電動(dòng)機(jī)調(diào)速控制系統(tǒng)為目的,包括設(shè)計(jì)系統(tǒng)的硬件電路和編制相應(yīng)的控制軟件.論文在分析80C196MC芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能的基礎(chǔ)上,進(jìn)行硬件系統(tǒng)的總體設(shè)計(jì),并分別設(shè)計(jì)了控制電路、Hall位置信號檢測電路、使用IR2103的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)...
上傳時(shí)間： 2013-06-30
上傳用戶：陽光少年2016
資源簡介：直流電動(dòng)機(jī)具有優(yōu)良的調(diào)速特性,調(diào)速平滑、簡單,且范圍大.同時(shí)其過載能力大,能承受頻繁的沖擊負(fù)載,廣泛應(yīng)用于切削機(jī)床、造紙機(jī)等高性能可控電力拖動(dòng)領(lǐng)域. 以往直流調(diào)速系統(tǒng)控制器采用分立元件,其故障率高,穩(wěn)定性差,技術(shù)落后,很難滿足生產(chǎn)的需要.隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)...
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶：kennyplds
資源簡介：結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了...
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
資源簡介：基于輸入28.5 VDC，輸出總功率180 W的機(jī)載計(jì)算機(jī)電源的設(shè)計(jì)，為滿足“GJB181飛機(jī)供電特性”中對飛機(jī)用電設(shè)備輸入28.5 VDC時(shí)過壓浪涌80 V/50ms的要求，采用檢測輸入電壓并控制MOSFET導(dǎo)通和關(guān)斷的方法，通過對該電路的理論數(shù)據(jù)分析及與實(shí)際測試數(shù)據(jù)做比較，模擬...
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：cuibaigao
資源簡介：較詳細(xì)的論述了IPM模塊的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路
上傳時(shí)間： 2014-03-11
上傳用戶：changeboy
資源簡介：設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的權(quán)威參考手冊，系統(tǒng)概述了MOSFET的特點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)要求，應(yīng)用注意要點(diǎn)，尤其給出了經(jīng)典的系統(tǒng)電路原理圖。非常適合電機(jī)的數(shù)字化控制應(yīng)用編程參考。
上傳時(shí)間： 2014-01-08
上傳用戶：FreeSky
資源簡介：0271、大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
上傳時(shí)間： 2014-04-09
上傳用戶：wincoder
資源簡介：開關(guān)電源相關(guān)專輯 119冊 749M大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù).pdf
上傳時(shí)間： 2014-05-05
上傳用戶：時(shí)代將軍
資源簡介：半橋逆變IGBT模塊壓電驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)_馮國雨
上傳時(shí)間： 2022-01-10
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資源簡介：SIC780驅(qū)動(dòng)電路方案設(shè)計(jì)（pcb）SIC780驅(qū)動(dòng)電路方案設(shè)計(jì)（pcb）SIC780驅(qū)動(dòng)電路方案設(shè)計(jì)（pcb）
上傳時(shí)間： 2022-01-16
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資源簡介：摘要：以N溝道増強(qiáng)型場效應(yīng)管為核心，基于H橋PWM控制原理，設(shè)計(jì)了一種直流電機(jī)正反轉(zhuǎn)調(diào)速驅(qū)動(dòng)控制電路，滿足大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。實(shí)驗(yàn)表明該驅(qū)動(dòng)控制電路具有結(jié)構(gòu)簡單、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、功耗低的特點(diǎn)。關(guān)鍵詞：N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管；H橋；PWM控制；電荷泵；功...
上傳時(shí)間： 2022-04-10
上傳用戶：jiabin
資源簡介：IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理及保護(hù)電路，有需要的可以參考！
上傳時(shí)間： 2022-04-13
上傳用戶：jason_vip1
資源簡介：圖像處理技術(shù)應(yīng)用越來越廣泛，特別是工業(yè)檢測領(lǐng)域。然而，圖像處理技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)是圖像的獲取，為了更加靈活地設(shè)計(jì)各種應(yīng)用產(chǎn)品，本課題研究基于FPGA的面陣 CCD驅(qū)動(dòng)傳輸電路設(shè)計(jì)，利用該電路能夠獲取高質(zhì)量、高分辨率的圖像，為后續(xù)的圖像處理技術(shù)應(yīng)用打下基...
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶：prczsf
資源簡介：大功率IGBT驅(qū)動(dòng)模塊是專門針對大功率IGBT模塊驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的模塊化產(chǎn)品，產(chǎn)品內(nèi)部集成具有隔離的大功率DC/DC變換器以及完善的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，產(chǎn)品已獲得國家專利授權(quán)功率范圍5W至8W，驅(qū)動(dòng)頻率最高可達(dá)500kHz，適用于驅(qū)動(dòng)1700V 至6500V電壓等級的各種大功率IGBT模塊...
上傳時(shí)間： 2019-04-11
上傳用戶：yntoppower
資源簡介：設(shè)計(jì)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路時(shí)需重點(diǎn)考慮寄生參數(shù)對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項(xiàng)重要參數(shù),在驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注。重點(diǎn)觀察了MOSFET的開通和關(guān)斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數(shù)對...
上傳時(shí)間： 2022-04-02
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資源簡介：摘要：為解決絕緣柵雙極性品體管（ICET）在實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常出現(xiàn)的過流擊穿問題，在分析了ICET過流特性和過流檢測方法的基礎(chǔ)上，根據(jù)過流時(shí)IGBT集電極電流的大小分別設(shè)計(jì)了過載保護(hù)電路和短路保護(hù)電路。過載保護(hù)電路在檢測到過載時(shí)立即關(guān)斷ICBT.根據(jù)不同的過載...
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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