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一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設計

  • 資源大小:960 K
  • 上傳時間: 2013-10-18
  • 上傳用戶:dragn
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標      簽: LDMOS 射頻集成電路 擊穿

資 源 簡 介

提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS,該結構改善了表面電場分布,從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證,并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化,結果表明,在保證LDMOS器件參數不變的條件下,采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。

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