提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化，結果表明，在保證LDMOS器件參數不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。
標簽： LDMOS 射頻集成電路 擊穿
上傳時間： 2013-10-18
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基于ADS軟件，選取合適的靜態直流工作點，采用負載牽引法得到LDMOS晶體管BLF7G22L130的輸出和輸入阻抗特性，并通過設計和優化得到最佳的共軛匹配網絡，設計出高效率功率放大器。ADS設計仿真表明該功率放大器在中心頻率2 160 MHz處的效率達到70%，穩定性好、增益平坦度小等優點。
標簽： ADS 高效率 微波功率 放大器設計
上傳時間： 2013-11-21
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過去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開發者遇到更加復雜的挑戰：需要滿足多種標準、信號變化和嚴格的帶寬要求等。針對這一問題，飛思卡爾半導體(NYSE：FSL)日前推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案，將性能和能效提升至新的高度。飛思卡爾通過新的產品系列解決了這種模式轉變帶來的問題，該產品系列基于一種更加全面、完整的系統級RF功率技術方法。
標簽： Airfast 飛思卡爾 功率 方案
上傳時間： 2013-11-25
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主要介紹了高效率E類射頻功率振蕩器的原理和設計方法，通過電路等效變換，E類射頻功率振蕩器最終轉換成與E類放大器相同的結構，MOS管工作在軟開關狀態，漏極高電壓、大電流不會同時交疊，大大降低了功率損耗，在同等工作條件下，能夠獲得與E類放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做為功率器件，結合E類射頻振蕩器在等離子體源中的應用，給出了的設計實例。ADS仿真結果表明，在13.56MHz的工作頻率下，振蕩器輸出功率46W，效率為92%，符合設計預期。
標簽： 高效率 E類射頻 功率振蕩器
上傳時間： 2014-02-10
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成電張玉興教授的專門闡述射頻功率放大器的書籍，結合工程實踐較為多些，闡述了LDMOS線性功放設計，及傳統功率合成的方法以及比較流行的Doherty功放的設計都有所涉及，在國內射頻類書籍里算是結合工程實踐較為多的一本書。
標簽： 射頻 微波晶體管 功率放大器
上傳時間： 2022-04-21
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