一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設計
提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化，結果表明，在保證LDMOS器件參數不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。 ...
LDMOS技術資料
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LDMOS（laterally-diffusedmetal-oxidesemiconductor）是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。
?? LDMOS熱門資料
基于ADS高效率微波功率放大器設計
基于ADS軟件，選取合適的靜態直流工作點，采用負載牽引法得到LDMOS晶體管BLF7G22L130的輸出和輸入阻抗特性，并通過設計和優化得到最佳的共軛匹配網絡，設計出高效率功率放大器。ADS設計仿真表明該功率放大器在中心頻率2 160 MHz處的效率達到70%，穩定性好、增益平坦度小等優點。 ...
飛思卡爾使用新型Airfast RF功率解決方案
過去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開發者遇到更加復雜的挑戰：需要滿足多種標準、信號變化和嚴格的帶寬要求等。針對這一問題，飛思卡爾半導體(NYSE：FSL)日前推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案，將性能和能效提升至新的高度。飛思卡爾通過新的產品系列解決了...
高效率E類射頻功率振蕩器的設計
主要介紹了高效率E類射頻功率振蕩器的原理和設計方法，通過電路等效變換，E類射頻功率振蕩器最終轉換成與E類放大器相同的結構，MOS管工作在軟開關狀態，漏極高電壓、大電流不會同時交疊，大大降低了功率損耗，在同等工作條件下，能夠獲得與E類放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做為功率器件，結合...
射頻與微波晶體管功率放大器工程_張玉興教授
成電張玉興教授的專門闡述射頻功率放大器的書籍，結合工程實踐較為多些，闡述了LDMOS線性功放設計，及傳統功率合成的方法以及比較流行的Doherty功放的設計都有所涉及，在國內射頻類書籍里算是結合工程實踐較為多的一本書。...
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