提出了一種具有深阱結(jié)構(gòu)的RF LDMOS，該結(jié)構(gòu)改善了表面電場(chǎng)分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過(guò)silvaco器件模擬軟件對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行驗(yàn)證，并對(duì)器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長(zhǎng)進(jìn)行優(yōu)化，結(jié)果表明，在保證LDMOS器件參數(shù)不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。
標(biāo)簽： LDMOS 射頻集成電路 擊穿
上傳時(shí)間： 2013-10-18
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基于ADS軟件，選取合適的靜態(tài)直流工作點(diǎn)，采用負(fù)載牽引法得到LDMOS晶體管BLF7G22L130的輸出和輸入阻抗特性，并通過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化得到最佳的共軛匹配網(wǎng)絡(luò)，設(shè)計(jì)出高效率功率放大器。ADS設(shè)計(jì)仿真表明該功率放大器在中心頻率2 160 MHz處的效率達(dá)到70%，穩(wěn)定性好、增益平坦度小等優(yōu)點(diǎn)。
標(biāo)簽： ADS 高效率 微波功率 放大器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：王慶才
過(guò)去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開(kāi)發(fā)者遇到更加復(fù)雜的挑戰(zhàn)：需要滿足多種標(biāo)準(zhǔn)、信號(hào)變化和嚴(yán)格的帶寬要求等。針對(duì)這一問(wèn)題，飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE：FSL)日前推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案，將性能和能效提升至新的高度。飛思卡爾通過(guò)新的產(chǎn)品系列解決了這種模式轉(zhuǎn)變帶來(lái)的問(wèn)題，該產(chǎn)品系列基于一種更加全面、完整的系統(tǒng)級(jí)RF功率技術(shù)方法。
標(biāo)簽： Airfast 飛思卡爾 功率 方案
上傳時(shí)間： 2013-11-25
上傳用戶：drink！
主要介紹了高效率E類(lèi)射頻功率振蕩器的原理和設(shè)計(jì)方法，通過(guò)電路等效變換，E類(lèi)射頻功率振蕩器最終轉(zhuǎn)換成與E類(lèi)放大器相同的結(jié)構(gòu)，MOS管工作在軟開(kāi)關(guān)狀態(tài)，漏極高電壓、大電流不會(huì)同時(shí)交疊，大大降低了功率損耗，在同等工作條件下，能夠獲得與E類(lèi)放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做為功率器件，結(jié)合E類(lèi)射頻振蕩器在等離子體源中的應(yīng)用，給出了的設(shè)計(jì)實(shí)例。ADS仿真結(jié)果表明，在13.56MHz的工作頻率下，振蕩器輸出功率46W，效率為92%，符合設(shè)計(jì)預(yù)期。
標(biāo)簽： 高效率 E類(lèi)射頻 功率振蕩器
上傳時(shí)間： 2014-02-10
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成電張玉興教授的專門(mén)闡述射頻功率放大器的書(shū)籍，結(jié)合工程實(shí)踐較為多些，闡述了LDMOS線性功放設(shè)計(jì)，及傳統(tǒng)功率合成的方法以及比較流行的Doherty功放的設(shè)計(jì)都有所涉及，在國(guó)內(nèi)射頻類(lèi)書(shū)籍里算是結(jié)合工程實(shí)踐較為多的一本書(shū)。
標(biāo)簽： 射頻 微波晶體管 功率放大器
上傳時(shí)間： 2022-04-21
上傳用戶：XuVshu
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