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逆變器IGBT損壞原因分析及處理

  • 資源大小:323 K
  • 上傳時(shí)間: 2022-06-22
  • 上傳用戶:woyaotandang
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  • 標(biāo)      簽: 逆變器 igbt

資 源 簡(jiǎn) 介

1前言

萊鋼型鋼廠大型生產(chǎn)線傳動(dòng)系統(tǒng)采用西門子

SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電,變頻器采用公共直流母線式結(jié)構(gòu);冷床傳輸鏈采用4臺(tái)電機(jī)單獨(dú)傳動(dòng),每臺(tái)電機(jī)分別由獨(dú)立的逆變單元控制,逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制,相互之間依靠速度給定的同時(shí)性保持同步。自2005年投入生產(chǎn)以來,冷床傳輸鏈運(yùn)行較為穩(wěn)定,但2007年2月以后,冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管(Insolated Gate Bipolar Transistor,IGBT)損壞現(xiàn)象,具體故障情況統(tǒng)計(jì)見表1

由表1可知,冷床傳輸鏈4臺(tái)逆變器都出現(xiàn)過IGBT損壞的現(xiàn)象,故障代碼是F025和F0272原因分析

1)IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實(shí)際情況上看,檢查輸出電纜及電機(jī)等外部條件沒有問題,并且更換新的IGBT后,系統(tǒng)可以立即正常運(yùn)行,從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。

2)IGBT存在過壓。該系統(tǒng)采用公共直流母線控制方式,制動(dòng)電阻直接掛接于直流母線上,當(dāng)逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時(shí),制動(dòng)單元?jiǎng)幼鳎M(jìn)行能耗制動(dòng);此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現(xiàn)IGBT損壞的現(xiàn)象,因此不是由于制動(dòng)反饋過壓造成IGBT燒壞。

3)由于負(fù)荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實(shí)際運(yùn)行波形上看,負(fù)荷分配相對(duì)較為均勻,相互差別僅為2%左右,應(yīng)該不會(huì)造成IGBT損壞。此外,4只逆變單元都出現(xiàn)了IGBT損壞現(xiàn)象,如果是由于負(fù)荷分配不均造成,應(yīng)該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞,因此排除由于負(fù)荷分配不均造成IGBT損壞。

4)逆變單元容量選擇不合適,裝置容量偏小造成長(zhǎng)期過流運(yùn)行,從而導(dǎo)致IGBT燒毀。逆變單元型號(hào)及電機(jī)參數(shù):額定功率90kw,額定電流186A,負(fù)載電流169 A,短時(shí)電流254 A,中間同路額定電流221 A,電源電流205 A,電機(jī)功率110kw,電機(jī)額定電流205 A,電機(jī)正常運(yùn)行時(shí)的電流及轉(zhuǎn)矩波形如圖1所示。


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