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  • ATmega8-Protues仿真之三_鍵盤掃描

    ATmega8-Protues仿真之三_鍵盤掃描

    標簽: Protues ATmega 仿真 鍵盤掃描

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:BOBOniu

  • Altium Designer 6 三維元件庫建模教程

    Altium Designer 6 三維元件庫建模教程 文檔名稱:AD系列軟件三維元件庫建模教程 文檔描述:介紹在 AltiumDesigner集成開發(fā)平臺下三維模型建立和使用方法 文檔版本:V1.0 作     者:林加添(lineay) 編寫時間:2009 年1 月 QQ:181346072 第一章:介紹 在傳統(tǒng)的電子整機設計過程中,電路設計部門和結構設計部門(或者由外部設計工作室設計)往往是被分為 兩個完全獨立的部門,因此在新產(chǎn)品開發(fā)過程中,都是結構設計好了,然后出內(nèi)部 PCB 位置圖給 PCB 工程師, 而結構工程師并不了解電路設計過程中一些要點。對 PCB布局一些高度較高元器件位置很多并不符合 PCB 工程 師電路設計的要求。以至 PCB 工程師不得不將就結構工程師所設計的元件布局。最后產(chǎn)品出來時,因為 PCB 布 局不合理等各種因素,問題百出。這不僅影響產(chǎn)品開發(fā)速度。也會導致企業(yè)兩部門之間發(fā)生沖突。 然而目前國內(nèi)大多的電子企業(yè)都是停留于這種狀態(tài),關鍵原因目前電路部門和結構部門沒有一個有效、快捷 的軟件協(xié)作接口來幫助兩個部分之間更好協(xié)調(diào)工作、來有效提高工作效率。而面對競爭日益激烈的市場。時間就 是金錢,產(chǎn)品開發(fā)周期加長而導致開發(fā)成本加劇,也延誤了產(chǎn)品上市的時間。這不僅降低了企業(yè)在市場的競爭力 也加速了企業(yè)倒退的步伐。對于企業(yè)來說,都希望有一個有效的協(xié)調(diào)接口來加速整機的開發(fā)速度,從而提高產(chǎn)品

    標簽: Designer Altium 元件庫 建模

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:chongchong1234

  • EDA技術實用教程課后答案———潘松版(第三版)

    EDA技術實用教程課后答案———潘松版(第三版)

    標簽: EDA 實用教程

    上傳時間: 2013-10-29

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  • protel99se常用封裝庫元件&分立元件庫(三份資料匯總)

    protel99se常用封裝庫元件&分立元件庫(三份資料匯總)

    標簽: protel 99 se 封裝庫

    上傳時間: 2013-10-12

    上傳用戶:xyipie

  • 用單層PCB設計超低成本混合調(diào)諧器

    今天,電視機與視訊轉換盒應用中的大多數(shù)調(diào)諧器采用的都是傳統(tǒng)單變換MOPLL概念。這種調(diào)諧器既能處理模擬電視訊號也能處理數(shù)字電視訊號,或是同時處理這兩種電視訊號(即所謂的混合調(diào)諧器)。在設計這種調(diào)諧器時需考慮的關鍵因素包括低成本、低功耗、小尺寸以及對外部組件的選擇。本文將介紹如何用英飛凌的MOPLL調(diào)諧芯片TUA6039-2或其影像版TUA6037實現(xiàn)超低成本調(diào)諧器參考設計。這種單芯片ULC調(diào)諧器整合了射頻和中頻電路,可工作在5V或3.3V,功耗可降低34%。設計采用一塊單層PCB,進一步降低了系統(tǒng)成本,同時能處理DVB-T/PAL/SECAM、ISDB-T/NTSC和ATSC/NTSC等混合訊號,可支持幾乎全球所有地區(qū)標準。圖1為采用TUA6039-2/TUA6037設計單變換調(diào)諧器架構圖。該調(diào)諧器實際上不僅是一個射頻調(diào)諧器,也是一個half NIM,因為它包括了中頻模塊。射頻輸入訊號透過一個簡單的高通濾波器加上中頻與民間頻段(CB)陷波器的組合電路進行分離。該設計沒有采用PIN二極管進行頻段切換,而是采用一個非常簡單的三工電路進行頻段切換。天線阻抗透過高感抗耦合電路變換至已調(diào)諧的輸入電路。然后透過英飛凌的高增益半偏置MOSFET BF5030W對預選訊號進行放大。BG5120K雙MOSFET可以用于兩個VHF頻段。在接下來的調(diào)諧后帶通濾波器電路中,則進行信道選擇和鄰道與影像頻率等多余訊號的抑制。前級追蹤陷波器和帶通濾波器的容性影像頻率補償電路就是專門用來抑制影像頻率。

    標簽: PCB 調(diào)諧器

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:時代將軍

  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標控制上,進行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施,促進了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細的工作,其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴,阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀 70 年代初,1409 所和四機部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結,出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎上,還實現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術差異。當時正處于通信技術由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉換時期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時間: 2013-12-15

    上傳用戶:天空說我在

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產(chǎn)品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:372825274

  • 基于PLC的三層電梯課程設計報告

    電梯,基于PLC的三層電梯課程設計報告。

    標簽: PLC 三層電梯 報告

    上傳時間: 2013-11-05

    上傳用戶:h886166

  • PLC(三菱實驗指導書)

    PLC(三菱

    標簽: PLC 三菱 實驗指導書

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:athjac

  • 基于FreescaleHCS08的汽車電控空氣懸架系統(tǒng)設計

    汽車電控空氣懸架系統(tǒng)設計

    標簽: FreescaleHCS 08 汽車電控 空氣懸架

    上傳時間: 2013-10-13

    上傳用戶:hanhanj

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