•1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時域分析 •1-3 正弦狀的行進波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配
上傳時間: 2013-11-21
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半導體的產(chǎn)品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間: 2014-01-20
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大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠得不到滿足。電源必須滿足晶體管數(shù)目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求,並且還不能占用太大的板級空間。
標簽: TFT-LCD 輸出穩(wěn)壓器 大型 顯示器
上傳時間: 2014-12-24
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時至今日,以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術仍在當今的網(wǎng)絡世界中不斷地普及。由供電設備 (PSE) 提供並傳輸至受電設備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源
上傳時間: 2013-11-06
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在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設計師當中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時,必須在功率器件中實現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要
標簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器
上傳時間: 2014-12-01
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模塊電源的電氣性能是通過一系列測試來呈現(xiàn)的,下列為一般的功能性測試項目,詳細說明如下: 電源調(diào)整率(Line Regulation) 負載調(diào)整率(Load Regulation) 綜合調(diào)整率(Conmine Regulation) 輸出漣波及雜訊(Ripple & Noise) 輸入功率及效率(Input Power, Efficiency) 動態(tài)負載或暫態(tài)負載(Dynamic or Transient Response) 起動(Set-Up)及保持(Hold-Up)時間 常規(guī)功能(Functions)測試 1. 電源調(diào)整率 電源調(diào)整率的定義為電源供應器于輸入電壓變化時提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。測試步驟如下:于待測電源供應器以正常輸入電壓及負載狀況下熱機穩(wěn)定后,分別于低輸入電壓(Min),正常輸入電壓(Normal),及高輸入電壓(Max)下測量并記錄其輸出電壓值。 電源調(diào)整率通常以一正常之固定負載(Nominal Load)下,由輸入電壓變化所造成其輸出電壓偏差率(deviation)的百分比,如下列公式所示: [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal) 2. 負載調(diào)整率 負載調(diào)整率的定義為開關電源于輸出負載電流變化時,提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。測試步驟如下:于待測電源供應器以正常輸入電壓及負載狀況下熱機穩(wěn)定后,測量正常負載下之輸出電壓值,再分別于輕載(Min)、重載(Max)負載下,測量并記錄其輸出電壓值(分別為Vo(max)與Vo(min)),負載調(diào)整率通常以正常之固定輸入電壓下,由負載電流變化所造成其輸出電壓偏差率的百分比,如下列公式所示: [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal) 3. 綜合調(diào)整率 綜合調(diào)整率的定義為電源供應器于輸入電壓與輸出負載電流變化時,提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。這是電源調(diào)整率與負載調(diào)整率的綜合,此項測試系為上述電源調(diào)整率與負載調(diào)整率的綜合,可提供對電源供應器于改變輸入電壓與負載狀況下更正確的性能驗證。 綜合調(diào)整率用下列方式表示:于輸入電壓與輸出負載電流變化下,其輸出電壓之偏差量須于規(guī)定之上下限電壓范圍內(nèi)(即輸出電壓之上下限絕對值以內(nèi))或某一百分比界限內(nèi)。 4. 輸出雜訊 輸出雜訊(PARD)系指于輸入電壓與輸出負載電流均不變的情況下,其平均直流輸出電壓上的周期性與隨機性偏差量的電壓值。輸出雜訊是表示在經(jīng)過穩(wěn)壓及濾波后的直流輸出電壓上所有不需要的交流和噪聲部份(包含低頻之50/60Hz電源倍頻信號、高于20 KHz之高頻切換信號及其諧波,再與其它之隨機性信號所組成)),通常以mVp-p峰對峰值電壓為單位來表示。 一般的開關電源的規(guī)格均以輸出直流輸出電壓的1%以內(nèi)為輸出雜訊之規(guī)格,其頻寬為20Hz到20MHz。電源實際工作時最惡劣的狀況(如輸出負載電流最大、輸入電源電壓最低等),若電源供應器在惡劣環(huán)境狀況下,其輸出直流電壓加上雜訊后之輸出瞬時電壓,仍能夠維持穩(wěn)定的輸出電壓不超過輸出高低電壓界限情形,否則將可能會導致電源電壓超過或低于邏輯電路(如TTL電路)之承受電源電壓而誤動作,進一步造成死機現(xiàn)象。 同時測量電路必須有良好的隔離處理及阻抗匹配,為避免導線上產(chǎn)生不必要的干擾、振鈴和駐波,一般都采用雙同軸電纜并以50Ω于其端點上,并使用差動式量測方法(可避免地回路之雜訊電流),來獲得正確的測量結(jié)果。 5. 輸入功率與效率 電源供應器的輸入功率之定義為以下之公式: True Power = Pav(watt) = Vrms x Arms x Power Factor 即為對一周期內(nèi)其輸入電壓與電流乘積之積分值,需注意的是Watt≠VrmsArms而是Watt=VrmsArmsxP.F.,其中P.F.為功率因素(Power Factor),通常無功率因素校正電路電源供應器的功率因素在0.6~0.7左右,其功率因素為1~0之間。 電源供應器的效率之定義為為輸出直流功率之總和與輸入功率之比值。效率提供對電源供應器正確工作的驗證,若效率超過規(guī)定范圍,即表示設計或零件材料上有問題,效率太低時會導致散熱增加而影響其使用壽命。 6. 動態(tài)負載或暫態(tài)負載 一個定電壓輸出的電源,于設計中具備反饋控制回路,能夠?qū)⑵漭敵鲭妷哼B續(xù)不斷地維持穩(wěn)定的輸出電壓。由于實際上反饋控制回路有一定的頻寬,因此限制了電源供應器對負載電流變化時的反應。若控制回路輸入與輸出之相移于增益(Unity Gain)為1時,超過180度,則電源供應器之輸出便會呈現(xiàn)不穩(wěn)定、失控或振蕩之現(xiàn)象。實際上,電源供應器工作時的負載電流也是動態(tài)變化的,而不是始終維持不變(例如硬盤、軟驅(qū)、CPU或RAM動作等),因此動態(tài)負載測試對電源供應器而言是極為重要的。可編程序電子負載可用來模擬電源供應器實際工作時最惡劣的負載情況,如負載電流迅速上升、下降之斜率、周期等,若電源供應器在惡劣負載狀況下,仍能夠維持穩(wěn)定的輸出電壓不產(chǎn)生過高激(Overshoot)或過低(Undershoot)情形,否則會導致電源之輸出電壓超過負載組件(如TTL電路其輸出瞬時電壓應介于4.75V至5.25V之間,才不致引起TTL邏輯電路之誤動作)之承受電源電壓而誤動作,進一步造成死機現(xiàn)象。 7. 啟動時間與保持時間 啟動時間為電源供應器從輸入接上電源起到其輸出電壓上升到穩(wěn)壓范圍內(nèi)為止的時間,以一輸出為5V的電源供應器為例,啟動時間為從電源開機起到輸出電壓達到4.75V為止的時間。 保持時間為電源供應器從輸入切斷電源起到其輸出電壓下降到穩(wěn)壓范圍外為止的時間,以一輸出為5V的電源供應器為例,保持時間為從關機起到輸出電壓低于4.75V為止的時間,一般值為17ms或20ms以上,以避免電力公司供電中于少了半周或一周之狀況下而受影響。 8. 其它 在電源具備一些特定保護功能的前提下,還需要進行保護功能測試,如過電壓保護(OVP)測試、短路保護測試、過功保護等
上傳時間: 2013-10-22
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UCD30xx 系列數(shù)字電源控制器包括UCD3040、UCD3020 以及UCD3028,主要應用在交直變換(AC/DC)電源和隔離的直直變換(DC/DC)電源上。數(shù)字電源和模擬電源原理是一樣的,但數(shù)字電源所使用的值都是數(shù)字量,是模擬量離散化后的值,所以不可避免的精度會有所損失。觀察UCD30xx 數(shù)字脈寬調(diào)制(DPWM)的下降沿,會發(fā)現(xiàn)在電源穩(wěn)態(tài)運行時DPWM 下降沿有抖動現(xiàn)象(此時示波器用上升沿觸發(fā));而根據(jù)環(huán)路帶寬的不同,DPWM下降沿抖動范圍也會不一樣,帶寬高抖動就大,帶寬低抖動就小。對于大多數(shù)應用,這沒有任何問題,但如果帶寬要求很高,那么抖動范圍就會比較大,嚴重時會引起變壓器噪聲超標。本文主要介紹如何利用外加模擬零極點的方法,在不降低系統(tǒng)帶寬的同時降低DPWM抖動范圍。
上傳時間: 2013-11-14
上傳用戶:shen954166632
設計時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個可控矽整流器(SCR),結(jié)合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護。
上傳時間: 2013-11-11
上傳用戶:zq70996813
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間: 2014-09-08
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在電源設計中,工程人員時常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題,或者因為閘極驅(qū)動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案,但因為成本考量,工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
上傳時間: 2013-11-19
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