附件是一款PCB阻抗匹配計(jì)算工具，點(diǎn)擊CITS25.exe直接打開使用，無需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計(jì)算方法，連板的排法和PCB聯(lián)板的設(shè)計(jì)驗(yàn)驗(yàn)。 PCB設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)建議: 1.一般連板長寬比率為1：1~2.5：1,同時(shí)注意For FuJi Machine:a.最大進(jìn)板尺寸為:450*350mm, 2.針對(duì)有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向?yàn)閮?yōu)先,考量對(duì)稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時(shí),需加補(bǔ)強(qiáng)邊. 5.陰陽板的設(shè)計(jì)需作特殊考量. 6.工藝邊需根據(jù)實(shí)際需要作設(shè)計(jì)調(diào)整,軌道邊一般不少於6mm,實(shí)際中需考量板邊零件的排布,軌道設(shè)備正常卡壓距離為不少於3mm,及符合實(shí)際要求下的連板經(jīng)濟(jì)性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學(xué)定位點(diǎn),一般設(shè)計(jì)在對(duì)角處,為2個(gè)或4個(gè),同時(shí)MARK點(diǎn)面需平整,無氧化,脫落現(xiàn)象;定位孔設(shè)計(jì)在板邊,為對(duì)稱設(shè)計(jì),一般為4個(gè),直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據(jù)連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設(shè)計(jì)的同時(shí),需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設(shè)備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯(lián)接：需請(qǐng)考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機(jī)上的夾具穩(wěn)定工作,還應(yīng)考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.
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上傳時(shí)間： 2013-10-15
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隨著HDL Hardware Description Language 硬件描述語言語言綜合工具及其它相關(guān)工具的推廣使廣大設(shè)計(jì)工程師從以往煩瑣的畫原理圖連線等工作解脫開來能夠?qū)⒐ぷ髦匦霓D(zhuǎn)移到功能實(shí)現(xiàn)上極大地提高了工作效率任何事務(wù)都是一分為二的有利就有弊我們發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在越來越多的工程師不關(guān)心自己的電路實(shí)現(xiàn)形式以為我只要將功能描述正確其它事情交給工具就行了在這種思想影響下工程師在用HDL語言描述電路時(shí)腦袋里沒有任何電路概念或者非常模糊也不清楚自己寫的代碼綜合出來之后是什么樣子映射到芯片中又會(huì)是什么樣子有沒有充分利用到FPGA的一些特殊資源遇到問題立刻想到的是換速度更快容量更大的FPGA器件導(dǎo)致物料成本上升更為要命的是由于不了解器件結(jié)構(gòu)更不了解與器件結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)的設(shè)計(jì)技巧過分依賴綜合等工具工具不行自己也就束手無策導(dǎo)致問題遲遲不能解決從而嚴(yán)重影響開發(fā)周期導(dǎo)致開發(fā)成本急劇上升 目前我們的設(shè)計(jì)規(guī)模越來越龐大動(dòng)輒上百萬門幾百萬門的電路屢見不鮮同時(shí)我們所采用的器件工藝越來越先進(jìn)已經(jīng)步入深亞微米時(shí)代而在對(duì)待深亞微米的器件上我們的設(shè)計(jì)方法將不可避免地發(fā)生變化要更多地關(guān)注以前很少關(guān)注的線延時(shí)我相信ASIC設(shè)計(jì)以后也會(huì)如此此時(shí)如果我們不在設(shè)計(jì)方法設(shè)計(jì)技巧上有所提高是無法面對(duì)這些龐大的基于深亞微米技術(shù)的電路設(shè)計(jì)而且現(xiàn)在的競(jìng)爭越來越激勵(lì)從節(jié)約公司成本角度出 也要求我們盡可能在比較小的器件里完成比較多的功能 本文從澄清一些錯(cuò)誤認(rèn)識(shí)開始從FPGA器件結(jié)構(gòu)出發(fā)以速度路徑延時(shí)大小和面積資源占用率為主題描述在FPGA設(shè)計(jì)過程中應(yīng)當(dāng)注意的問題和可以采用的設(shè)計(jì)技巧本文對(duì)讀者的技能基本要求是熟悉數(shù)字電路基本知識(shí)如加法器計(jì)數(shù)器RAM等熟悉基本的同步電路設(shè)計(jì)方法熟悉HDL語言對(duì)FPGA的結(jié)構(gòu)有所了解對(duì)FPGA設(shè)計(jì)流程比較了解
標(biāo)簽： Xilinx FPGA 華為 高級(jí)技巧
上傳時(shí)間： 2015-01-02
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PCB Layout Rule Rev1.70, 規(guī)範(fàn)內(nèi)容如附件所示, 其中分為: (1) ”PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)”:為R&D Layout時(shí)必須遵守的事項(xiàng), 否則SMT,DIP,裁板時(shí)無法生產(chǎn). (2) “錫偷LAYOUT RULE建議規(guī)範(fàn)”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. (3) “PCB LAYOUT 建議規(guī)範(fàn)”:為製造單位為提高量產(chǎn)良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. (4) ”零件選用建議規(guī)範(fàn)”: Connector零件在未來應(yīng)用逐漸廣泛, 又是SMT生產(chǎn)時(shí)是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時(shí)能顧慮製造的需求, 提高自動(dòng)置件的比例.
標(biāo)簽： LAYOUT PCB 設(shè)計(jì)規(guī)范
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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我是專業(yè)做PCB的，在線路板災(zāi)個(gè)行業(yè)呆久了，看到了上百家公司設(shè)計(jì)的PCB板，各行各業(yè)的，如有空調(diào)的，液晶電視的，DVD的，數(shù)碼相框的，安防的等等，因此我從我所站的角度來說，就覺得有些PCB文件設(shè)計(jì)得好，有些PCB文件設(shè)計(jì)則不是那么理想，標(biāo)準(zhǔn)就是怎能么樣PCB廠的工程人員看得一目了然，而不產(chǎn)生誤解，導(dǎo)致做錯(cuò)板子，下面我會(huì)從PCB的制作流程來說，說的不好，請(qǐng)各位多多包涵！1 制作要求對(duì)于板材 板厚 銅厚 工藝 阻焊/字符顏色等要求清晰。以上要求是制作一個(gè)板子的基礎(chǔ)，因此R&D工程師必須寫清晰，這個(gè)在我所接觸的客戶來看，格力是做得相對(duì)好的，每個(gè)文件的技術(shù)要求都寫得很清晰，哪怕就是平時(shí)我們認(rèn)為最正常的用綠色阻焊油墨白色字符都寫在技術(shù)要求有體現(xiàn)，而有些客戶則是能免則免，什么都不寫，就發(fā)給廠家打樣生產(chǎn)，特別是有些廠家有些特別的要求都沒有寫出來，導(dǎo)致廠家在收到郵件之后，第一件事情就是要咨詢這方面的要求，或者有些廠家最后做出來的不符要求。2 鉆孔方面的設(shè)計(jì) 最直接也是最大的問題，就是最小孔徑的設(shè)計(jì)，一般板內(nèi)的最小孔徑都是過孔的孔徑，這個(gè)是直接體現(xiàn)在成本上的，有些板的過孔明明可以設(shè)計(jì)為0.50MM的孔，即只放0.30MM，這樣成本就直接大幅上升，廠家成本高了，就會(huì)提高報(bào)價(jià)；另外就是過孔太多，有些DVD以及數(shù)碼相框上面的過孔真的是整板都放滿了，動(dòng)不動(dòng)就1000多孔，做過太多這方面的板，認(rèn)為正常應(yīng)該在500-600孔，當(dāng)然有人會(huì)說過孔多對(duì)板子的信號(hào)導(dǎo)通方面，以及散熱方面有好處，我認(rèn)為這就要取一個(gè)平衡，在控制這些方面的同時(shí)還要不會(huì)導(dǎo)致成本上升，我在這里可以說個(gè)例子：我們公司有個(gè)客戶是深圳做DVD的，量很大，在最開始合作的時(shí)候也是以上這種情況，后來成本對(duì)雙方來說，實(shí)在是個(gè)大問題，經(jīng)過與 R&D溝通，將過孔的孔徑盡量加大，刪除大銅皮上的部分過孔，像主IC中間的散熱孔用4個(gè)3.00MM的孔代替， 這樣一來,鉆孔的費(fèi)用就降低了，一平方就可以降幾十塊錢的鉆孔費(fèi)，對(duì)于雙方來說達(dá)到了雙贏；另外就是一些槽孔，比如說1.00MM X 1.20MM的超短槽孔，對(duì)于廠家來說，真的是非常之難做，第一很難控制公差，第二鉆也來的槽也不是直的，有些彎曲，以前我們也做過部分這樣的板子，結(jié)果幾毛錢人民幣的板，由于槽孔不合格，扣款1美金/塊，我們也與客戶溝通過這方面的問題，后來就直接改用1.20MM的圓孔。
標(biāo)簽： PCB
上傳時(shí)間： 2015-01-02
上傳用戶：zaizaibang
第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計(jì).............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時(shí)序要求.............................................................................1493.1 無緩沖（Unbuffered）內(nèi)存模塊的時(shí)序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內(nèi)存模塊時(shí)序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號(hào)設(shè)計(jì).................................................................................1594.1 時(shí)鐘信號(hào)的設(shè)計(jì).......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號(hào)的設(shè)計(jì)..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計(jì)...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號(hào)線的設(shè)計(jì)...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計(jì)算.............................................................................172第六章 實(shí)際設(shè)計(jì)案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討，本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)就是針對(duì)SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存，其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn)，所以DDR 有時(shí)也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率，但是其時(shí)鐘頻率沒有增加，只是在時(shí)鐘的上升和下降沿都可以用來進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作。對(duì)于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存模塊 設(shè)計(jì)技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：宋桃子
現(xiàn)代的電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品的復(fù)雜度、時(shí)鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢(shì)，但系統(tǒng)的電壓卻不斷在減小，所有的這一切加上產(chǎn)品投放市場(chǎng)的時(shí)間要求給設(shè)計(jì)師帶來了前所未有的巨大壓力。要想保證產(chǎn)品的一次性成功就必須能預(yù)見設(shè)計(jì)中可能出現(xiàn)的各種問題，并及時(shí)給出合理的解決方案，對(duì)于高速的數(shù)字電路來說，最令人頭大的莫過于如何確保瞬時(shí)跳變的數(shù)字信號(hào)通過較長的一段傳輸線，還能完整地被接收，并保證良好的電磁兼容性，這就是目前頗受關(guān)注的信號(hào)完整性（SI）問題。本章就是圍繞信號(hào)完整性的問題，讓大家對(duì)高速電路有個(gè)基本的認(rèn)識(shí)，并介紹一些相關(guān)的基本概念。 第一章 高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設(shè)計(jì)流程剖析...............................................................61.3 相關(guān)的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報(bào)方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質(zhì).................................................................................142.3.2 特征阻抗相關(guān)計(jì)算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對(duì)信號(hào)完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報(bào)方程及推導(dǎo).............................................................................182.5 趨膚效應(yīng)和集束效應(yīng).................................................................................232.6 信號(hào)的反射.................................................................................................252.6.1 反射機(jī)理和電報(bào)方程.........................................................................252.6.2 反射導(dǎo)致信號(hào)的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負(fù)載的匹配.................................................................................41第三章 串?dāng)_的分析...............................................................................................423.1 串?dāng)_的基本概念.........................................................................................423.2 前向串?dāng)_和后向串?dāng)_.................................................................................433.3 后向串?dāng)_的反射.........................................................................................463.4 后向串?dāng)_的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對(duì)串?dāng)_的影響.................................................................483.6 連接器的串?dāng)_問題.....................................................................................513.7 串?dāng)_的具體計(jì)算.........................................................................................543.8 避免串?dāng)_的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產(chǎn)生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號(hào)的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場(chǎng)屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場(chǎng)屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場(chǎng)屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設(shè)計(jì)中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設(shè)計(jì)抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對(duì)回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規(guī)則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎(chǔ)...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設(shè)計(jì).............................................................................................855.3 同步開關(guān)噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內(nèi)部開關(guān)噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關(guān)噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應(yīng)用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質(zhì)和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統(tǒng)時(shí)序.................................................................................................1006.1 普通時(shí)序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時(shí)序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時(shí)序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時(shí)序系統(tǒng).......................................................................................1086.2.1 源同步系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)...................................................................1096.2.2 源同步時(shí)序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構(gòu)成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關(guān)工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設(shè)計(jì)理論在實(shí)際中的運(yùn)用.............................................................1228.1 疊層設(shè)計(jì)方案...........................................................................................1228.2 過孔對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊?..........................................................................1278.3 一般布局規(guī)則...........................................................................................1298.4 接地技術(shù)...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134
標(biāo)簽： 信號(hào)完整性
上傳時(shí)間： 2013-11-01
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•1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時(shí)域分析 •1-3 正弦狀的行進(jìn)波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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TI 滿足不斷增長的視頻安全需求 智能視頻系統(tǒng)行業(yè)市值預(yù)計(jì)到 2011 年將超過 90 億美元，大幅增長主要?dú)w功于市場(chǎng)對(duì)安全需求不斷上升，以及技術(shù)創(chuàng)新的不斷發(fā)展，特別是我們將向數(shù)字化、全面網(wǎng)絡(luò)化的視頻系統(tǒng)過渡。 iSuppli 多媒體內(nèi)容和服務(wù)部副總裁Mark Kirstein ：“TI 推出的高性能 DSP 可滿足上述趨勢(shì)的發(fā)展要求，這種 DSP 允許在整體網(wǎng)絡(luò)視頻監(jiān)控系統(tǒng)中集成更高的靈活性、可升級(jí)性以及智能性。DSP 支持的 NVR 與DVR 等高級(jí)攝像頭系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了視頻內(nèi)容分析等功能，將逐步代現(xiàn)有的 CCTV 攝像頭，因?yàn)樗鼈兺ㄟ^網(wǎng)絡(luò)化技術(shù)將支持更大規(guī)模的安全系統(tǒng)。”
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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