這是STM32F1開發(fā)指南(精英版)-寄存器版本開發(fā)手冊，主要用于正點原子的精英開發(fā)板的學(xué)習(xí)和研究。 本手冊將結(jié)合《STM32 參考手冊》和《Cortex-M3 權(quán)威指南》兩者的優(yōu)點，并從寄存器級 別出發(fā)，深入淺出，向讀者展示 STM32 的各種功能。總共配有 38 個實例，基本上每個實例在 均配有軟硬件設(shè)計，在介紹完軟硬件之后，馬上附上實例代碼，并帶有詳細(xì)注釋及說明，讓讀者快速理解代碼。STM32 擁有非常多的寄存器，其中斷管理更是復(fù)雜，對于新手來說，看ST 提供的庫函數(shù) 雖然可以很好的使用，但是沒法深入理解，一旦出錯，查問題就非常痛苦了。另外，庫函數(shù)在效率和代碼量上面都是不如直接操作寄存器的。 這些實例涵蓋了 STM32 的絕大部分內(nèi)部資源，并且提供很多實用級別的程序，如：內(nèi)存 管理、文件系統(tǒng)讀寫、圖片解碼、IAP 等。所有實例在 MDK5.10 編譯器下編譯通過，大家只需 下載程序到 ALIENTEK MiniSTM32 開發(fā)板，即可驗證實驗。 不管你是一個 STM32 初學(xué)者，還是一個老手，本手冊都非常適合。尤其對于初學(xué)者，本 手冊將手把手的教你如何使用 MDK，包括新建工程、編譯、仿真、下載調(diào)試等一系列步驟， 讓你輕松上手。本手冊不適用于想通過庫函數(shù)學(xué)習(xí) STM32 的讀者，因為本手冊的絕大部分內(nèi) 容都是直接操作 STM32 寄存器的。 本手冊的實驗平臺是 ALIENTEK MiniSTM32 V3.0 開發(fā)板，有這款開發(fā)板的朋友則直接可 以拿本手冊配套的光盤上的例程在開發(fā)板上運行、驗證。而沒有這款開發(fā)板而又想要的朋友， 可以上淘寶購買。當(dāng)然你如果有了一款自己的開發(fā)板，而又不想再買，也是可以的，只要你的 板子上有 ALIENTEK MiniSTM32 V3.0 開發(fā)板上的相同資源（需要實驗用到的），代碼一般都 是可以通用的，你需要做的就只是把底層的驅(qū)動函數(shù)（一般是 IO 操作）稍做修改，使之適合 你的開發(fā)板即可
上傳時間： 2022-06-21
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本文圍繞光伏離網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)的高效率發(fā)電技術(shù)和逆變控制技術(shù)進(jìn)行了研究，主要內(nèi)容如下：（1）研究了單相全橋光伏離網(wǎng)逆變器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，詳細(xì)分析了全橋逆變電路的工作原理。研究了面積中心等效SPWM控制算法及電壓電流雙閉環(huán)PI控制算法，在此基礎(chǔ)上實現(xiàn)逆變器的穩(wěn)壓控制。（2）重點研究了光伏陣列的輸出特性、最大功率點跟蹤（MPPT）控制算法和蓄電池充電特性。在對比分析幾種常見MPPT控制算法的基礎(chǔ)上，提出了一種改進(jìn)型變步長擾動觀察的MPPT控制方法，同時介紹了幾種實現(xiàn)MPPT算法的常用DCIDC變換電路，對Boost變換電路的原理進(jìn)行了分析，并基于Boost電路建立了改進(jìn)型變步長擾動觀察法MPPT控制系統(tǒng)的Matlab/Simulink仿真模型，仿真結(jié)果表明改進(jìn)型變步長擾動觀察的MPPT算法能有效地跟蹤太陽能光伏系統(tǒng)的最大功率點，提高了系統(tǒng)動態(tài)和穩(wěn)態(tài)性能；設(shè)計了帶MPPT和恒壓充電功能的光伏充電控制器，有效地提高了光伏陣列的利用率并實現(xiàn)了蓄電池充電控制的優(yōu)化。（3）給出了20KW光伏離網(wǎng)逆變器的主電路元件參數(shù)及部分硬件電路的原理圖設(shè)計。（4）給出了詳細(xì)的軟件控制系統(tǒng)設(shè)計方案和各功能子模塊的軟件流程圖.重點闡述了帶死區(qū)補償?shù)腄SPWM控制信號、穩(wěn)壓控制及信號檢測的軟件實現(xiàn)方法。
上傳時間： 2022-06-21
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變頻器是指利用電力電子器件將工頰的交流電源變換為用戶所需頻率的交流電源，它分為直接變頻（交一交變頻）和間接變頻（交一直-交變頻），間接變頻技術(shù)在穩(wěn)頻穩(wěn)壓和調(diào)頻調(diào)壓的利用率以及變頻電源對負(fù)載特性的影響等方面，都具有明顯的優(yōu)勢，是目前變頻技術(shù)領(lǐng)域普遍采取的方式，本課題所研究的正是間接變頻中的脈寬調(diào)制（PWM）變頻器技術(shù)由于IGBT器件的開關(guān)速度很快，當(dāng)IGBT關(guān)斷或績流二極管反向恢復(fù)時會產(chǎn)生很大的di/dr，該dild在主電路的布線電感上引發(fā)較大的尖峰電壓（關(guān)斷浪涌電壓）.在采用PWM開關(guān)控創(chuàng)模式的IGBT變頻器中，IGBT的開關(guān)狀態(tài)不但與PWM脈沖有關(guān)，還與變頻器主電路元器件及負(fù)載特性有很大關(guān)系，為了確保IGBT安全可靠的工作，有必要進(jìn)一步分析主電路和緩沖電路各器件的工作情況和接相過程，以期設(shè)計出有效的IGBT保護(hù)電路。本文推導(dǎo)了兩電平PWM三相變頻器的數(shù)學(xué)模型，對變頻器主電路的換相過程及緩沖電路的工作方式利用PSIM軟件進(jìn)行了細(xì)致的仿真分析，同時也仿真研究了布線電感及緩沖電路各參數(shù)對1GBT關(guān)斷電壓的影響；詳細(xì)介紹了變頻器所包含的各電路環(huán)節(jié)的理論基礎(chǔ)及設(shè)計過程：并在大量的文獻(xiàn)資料和相關(guān)仿真分析的基礎(chǔ)上推導(dǎo)出套級沖電路器件參數(shù)的計算公式，實踐表明計算結(jié)果符合要求并取得了良好的效果。經(jīng)過大量的實驗和反復(fù)的改進(jìn)，并給出了調(diào)試結(jié)果及變頻器的額定輸出電壓、電流波形。通過將試驗結(jié)果與理論外析進(jìn)行比較驗證，證明了理論分析的合理性，本文所研究設(shè)計的變頻器性能穩(wěn)定，運行可靠，完全滿足設(shè)計要求.
上傳時間： 2022-06-21
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1前言萊鋼型鋼廠大型生產(chǎn)線傳動系統(tǒng)采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結(jié)構(gòu)；冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動，每臺電機分別由獨立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產(chǎn)以來，冷床傳輸鏈運行較為穩(wěn)定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）損壞現(xiàn)象，具體故障情況統(tǒng)計見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現(xiàn)過IGBT損壞的現(xiàn)象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看，檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統(tǒng)可以立即正常運行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統(tǒng)采用公共直流母線控制方式，制動電阻直接掛接于直流母線上，當(dāng)逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時，制動單元動作，進(jìn)行能耗制動；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現(xiàn)IGBT損壞的現(xiàn)象，因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負(fù)荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看，負(fù)荷分配相對較為均勻，相互差別僅為2%左右，應(yīng)該不會造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現(xiàn)了IGBT損壞現(xiàn)象，如果是由于負(fù)荷分配不均造成，應(yīng)該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負(fù)荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長期過流運行，從而導(dǎo)致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數(shù)：額定功率90kw，額定電流186A，負(fù)載電流169 A，短時電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機功率110kw，電機額定電流205 A，電機正常運行時的電流及轉(zhuǎn)矩波形如圖1所示。
上傳時間： 2022-06-22
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本文主要研究基于嵌入式實時操作系統(tǒng)uC/OS-11在AM上的移植。從成本、性能和功耗三方面考慮，系統(tǒng)硬件平臺采用ARMTDM微處理器。從系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和資源有效管理的角度，軟件平臺采用實時操作系統(tǒng)uC/OS-II.系統(tǒng)采取軟硬件協(xié)同設(shè)計的方法完成整個平臺的構(gòu)建，全文從硬件平臺、關(guān)鍵代碼的設(shè)計、操作系統(tǒng)的移植三個方面闡述了基于ARM的嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計過程。關(guān)鍵代碼的設(shè)計包括啟動代碼、中斷處理程序、FASH燒寫程序的設(shè)計和開發(fā)，文中分析了各部分代碼的設(shè)計流程，并給出關(guān)鍵程序流程圖和部分源碼，是設(shè)計嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的關(guān)鍵部分。在操作系統(tǒng)的移植過程中，實現(xiàn)了嵌入式系統(tǒng)對ARM微處理器的移植，論文介紹了uCOS-11的文件結(jié)構(gòu)和ARMTM的寄存器結(jié)構(gòu)及運行模式，結(jié)合具體源代碼討論了操作系統(tǒng)移植的實現(xiàn)流程。整個系統(tǒng)設(shè)計完成以后在多刃劍開發(fā)板上進(jìn)行了試驗，基本達(dá)到所要求的各項性能指標(biāo)。
標(biāo)簽： 嵌入式 操作系統(tǒng) arm
上傳時間： 2022-06-22
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以下是使用本書的推薦步驟和方法：1.學(xué)習(xí)用Protel進(jìn)行電路設(shè)計。按照功能定義、方案選定、電路原理圖設(shè)計、采購元件、硬件電路板設(shè)計的流程，自己動手，實踐各個環(huán)節(jié)，掌握了這些環(huán)節(jié)以后，就在一定程度上具備了自己解決問題的能力。在原理圖和印制電路板設(shè)計過程中，可以參考配套網(wǎng)站上中的相關(guān)內(nèi)容，但電路印制電路板設(shè)計完成以后，暫不制板。有關(guān)內(nèi)容見“硬件電路設(shè)計與制作”篇中的第1~5章。2.進(jìn)行電路板焊接和調(diào)試。使用本書所配印制電路板，自己購買元件，按照“硬件電路設(shè)計與制作”篇中的第7章的詳細(xì)步驟進(jìn)行電路板焊接和調(diào)試。調(diào)試過程中直接使用配套網(wǎng)站上中提供的各種調(diào)試時需要的固件程序，暫不關(guān)心這些固件的程序是如何寫就的。3.理解源程序。MP3+U盤調(diào)試完成以后，對整個調(diào)試開發(fā)環(huán)境就應(yīng)該很熟悉了。接下來，閱讀本書“C51程序設(shè)計”篇的有關(guān)內(nèi)容，并閱讀附錄中對KeilC編譯器、Source Insight源碼閱讀軟件的介紹，閱讀配套網(wǎng)站上調(diào)試過程所用固件對應(yīng)的C源程序，并結(jié)合源碼中的注釋，理解MP3源程序設(shè)計的方法。4.進(jìn)行個性化設(shè)計與調(diào)整。到此，讀者對于硬件電路設(shè)計與制作過程中的軟件、硬件電路設(shè)計與制作有了相當(dāng)了解了。此時，可以將自己原先設(shè)計的印制電路圖進(jìn)行必要的個性化設(shè)計與調(diào)整，自己制作MP3播放器的印制電路板，根據(jù)所做調(diào)整，在原有調(diào)試所需固件的基礎(chǔ)上，進(jìn)行相應(yīng)的修改，重復(fù)電路調(diào)試過程，以便提高和融會貫通。電路板加工可以參考“硬件電路設(shè)計與制作”篇中的第6章內(nèi)容。5.進(jìn)行USB通信的學(xué)習(xí)，了解USB有關(guān)概念。先學(xué)習(xí)“USB海量存儲設(shè)備（U盤）設(shè)計”篇中第14~17章的內(nèi)容，建立起USB通信的概念。6.了解設(shè)計一個USB海量存儲設(shè)備所需的知識，進(jìn)一步加深對USB通信的理解。閱讀“USB海量存儲設(shè)備（U盤）設(shè)計”篇中第18~20章的內(nèi)容。7.用C語言編程實現(xiàn)U盤的固件編寫，掌握USB通信的調(diào)試方法。閱讀“USB海量存儲設(shè)備（U盤）設(shè)計”篇中第21章、第22章的有關(guān)內(nèi)容。
上傳時間： 2022-06-23
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5KW_PCS逆變器_并網(wǎng)充放電，并網(wǎng)離網(wǎng)切換STM32F103為主控主控平臺：STM32F103RCT6逆變拓?fù)洌喝珮蚬δ埽翰⒕W(wǎng)充電、放電；并網(wǎng)離網(wǎng)自動切換；485通訊，在線升級；描述：本方案適用于戶用儲能系統(tǒng)，提供完善的通訊協(xié)議適配BMS和上位機 本方案可實現(xiàn)并網(wǎng)充電、放電；自動判斷并離網(wǎng)切換；可實現(xiàn)并機功能；風(fēng)扇智能控制；提供過流、過壓、短路、過溫等全方位的保護(hù)基于arm的方案區(qū)別于DSP，提供一種性價比極高的選擇可在此基礎(chǔ)上開發(fā)各衍生的電源產(chǎn)品
上傳時間： 2022-06-24
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基于TDS2285芯片的正弦波1200W逆變器開發(fā)指南以TDS2285芯片為核心，打造一款正弦波1200W逆變機器，使大家對TDS2285芯片有更深入的了解。我們知道在許多逆變的場合中，都是低壓DC直流電源要變成高壓AC電源，所以中間是需要升壓才能完成這一變化，我們此次討論的依然是采用高穎的方式來做逆變，采用高頻的方式相對于工頻方式來做有許多優(yōu)點：高轉(zhuǎn)換效率，極低的空載電流，重量輕，體積小等。也許有人會說工頻的皮實，耐沖擊，對于這一點我也非常認(rèn)同，不過需要指出的是，高頻的做的好，一點也不會輸于工額的，這一點，已經(jīng)通過我們公司的產(chǎn)品和TDS2285的出貨情況得到了肯定，所以，以下就讓大家看看TDS2285芯片在該系統(tǒng)中表現(xiàn)吧！DC-DC升壓部分：此次設(shè)計是采用DC24V輸入，為了要保證輸出AC220，在此環(huán)節(jié)中，DC-DC升壓部分至少需要將DC24V升壓到220VAC*1.414-DC31 1v，這樣在311V的基礎(chǔ)上才能有穩(wěn)定的AC220V出來，為了能達(dá)到這一目地，我們采用非常熟悉的推挽電路TOP來做該DC-DC變換，電路圖如下：
上傳時間： 2022-06-26
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電路見圖1當(dāng)把開關(guān)K1打向“逆變”位置時，BG1導(dǎo)通，由時基電路NE555及外圍元件組成的無穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器開始振蕩，其充？放電時間常數(shù)可調(diào)節(jié)？如果選擇R1=R2則輸出脈沖的占空比為50%，該多諧振蕩器的振蕩頻率f=1.443/（R1+R2+2W）C2，圖中的元件數(shù)值可使振蕩頻率調(diào)在50Hz，振蕩脈沖由役腳輸出，波形為方波，該方波經(jīng)C4耦合，R3？C5積分變?yōu)槿遣ǎ@個三角波又經(jīng)RPC6，第二次積分和R5？C7第三次積分，變?yōu)榻频恼也ǎㄟ^C8耦合到BG2，由BG2放大后在B1的L2線圈上輸出？當(dāng)L2上端電壓為正時，D4截止，D3導(dǎo)通，使BGPBG6截止，BG3？BG5導(dǎo)通，電流由電瓶正極→B2的L1-BG5-電瓶負(fù)極；當(dāng)L2上端電壓為負(fù)時，D3截止，D4導(dǎo)通，使BG2BG5截止，BG4？BG6導(dǎo)通，電流由電瓶正極一B2的L2-BG6電瓶負(fù)極？BGBG6交替導(dǎo)通？截止，經(jīng)變壓器B2合成正負(fù)對稱的正弦波，并由L3升壓送至逆變輸出插座CZ12CZ2，供用電器使用，同時LED1（紅色）亮，指示逆變狀態(tài)？當(dāng)開關(guān)打向“充電”位置時，市電經(jīng)變壓器B2降壓？D5？D6全波整流？R11限流后對電瓶充電，同時LED2（綠色）亮，指示充電狀態(tài)？
上傳時間： 2022-06-27
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這個機器，輸入電壓是直流是12V，也可以是24V，12V時我的目標(biāo)是800W，力爭1000W，整體結(jié)構(gòu)是學(xué)習(xí)了鐘工的3000W機器.具體電路圖請參考：1000W正弦波逆變器（直流12V轉(zhuǎn)交流220V）電路圖也是下面一個大散熱板，上面是一塊和散熱板一樣大小的功率主板，長228MM，寬140MM。升壓部分的4個功率管，H橋的4個功率管及4個TO220封裝的快速二極管直接擰在散熱板；DC-DC升壓電路的驅(qū)動板和SPWM的驅(qū)動板直插在功率主板上。因為電流較大，所以用了三對6平方的軟線直接焊在功率板上如上圖：在板子上預(yù)留了一個儲能電感的位置，一般情況用準(zhǔn)開環(huán)，不裝儲能電感，就直接搭通，如果要用閉環(huán)穩(wěn)壓，就可以在這個位置裝一個EC35的電感上圖紅色的東西，是一個0.6W的取樣變壓器，如果用差分取樣，這個位置可以裝二個200K的降壓電阻，取樣變壓器的左邊，一個小變壓器樣子的是預(yù)留的電流互感器的位置，這次因為不用電流反饋，所以沒有裝互感器，PCB下面直接搭通。
標(biāo)簽： 正弦波逆變器
上傳時間： 2022-06-27
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