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中國(guó)市場(chǎng)

  • IGBT在UPS中的應(yīng)用

    UPS簡介，IGBT在UPS中的應(yīng)用 DC/AC逆變器，BOOST升壓電路，AC/DC整流，充電電路 防止IGBT損壞措施

    標(biāo)簽： IGBT UPS 中的應(yīng)用

    上傳時間： 2013-12-03

    上傳用戶：ly1994

  • 新型組合式COOLMOS器件在開關(guān)電源中的應(yīng)用研究

    　　COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片，其突出特點(diǎn)是由其組成的開關(guān)電源，在市電電網(wǎng)中工作時，無需外加散熱器即可輸出20～50W的輸出功率;且能自動降低空載時的工作頻率，從而降低待機(jī)狀態(tài)的損耗;同時還具有過、欠壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過流保護(hù)以及自恢復(fù)功能，因而在中小功率開關(guān)電源中有著廣泛 的應(yīng)用前景

    標(biāo)簽： COOLMOS 組合式 器件 中的應(yīng)用

    上傳時間： 2013-10-17

    上傳用戶：HGH77P99

  • 從PCB中畫出原理圖

    從PCB中畫出原理圖的方法

    標(biāo)簽： PCB 原理圖

    上傳時間： 2013-11-21

    上傳用戶：南國時代

  • 直驅(qū)式風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中TSMC的研究

    分析了將TSMC（雙級矩陣變換器）作為直驅(qū)式永磁同步風(fēng)力發(fā)電系的全功率變流器，并且分別對TSMC的整流級的PWM調(diào)制和逆變級空間矢量調(diào)制進(jìn)行了推導(dǎo)和計算，簡要分析了TSMC的換流方法。然后運(yùn)用MATLAB對整流級和逆變級調(diào)制方法和對直驅(qū)式風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的要求進(jìn)行仿真驗(yàn)證，仿真結(jié)果驗(yàn)證了本文的理論分析和調(diào)制方法的正確型，說明了TSMC具有調(diào)制方法簡單、輸出電能質(zhì)量高等優(yōu)點(diǎn)，同時也說明TSMC非常適合用于直驅(qū)式風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中，并且為進(jìn)一步地研究TSMC提供了理論基礎(chǔ)。

    標(biāo)簽： TSMC 直驅(qū) 風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)

    上傳時間： 2014-01-02

    上傳用戶：ouyangtongze

  • 雙向可控硅在三相交流調(diào)壓電路中的應(yīng)用

    雙向可控硅在三相交流調(diào)壓電路中的應(yīng)用

    標(biāo)簽： 雙向可控硅 三相交流 中的應(yīng)用 調(diào)壓電路

    上傳時間： 2013-11-16

    上傳用戶：不懂夜的黑

  • 電源電路中旁路和退耦

    電源電路中旁路和退耦

    標(biāo)簽： 電源電路 旁路 退耦

    上傳時間： 2013-12-03

    上傳用戶：xy@1314

  • 填谷式無源PFC在離線LED照明電源中的應(yīng)用研究

    該文介紹了填谷式無源功率因數(shù)校正( PFC)電路的工作原理及其在基于離線式電源開關(guān)IC的LED驅(qū)動器中的應(yīng)用。

    標(biāo)簽： PFC LED 無源 中的應(yīng)用

    上傳時間： 2013-11-08

    上傳用戶：84425894

  • 開關(guān)電源中電磁兼容性設(shè)計原理

    開關(guān)電源中電磁兼容性設(shè)計原理

    標(biāo)簽： 開關(guān)電源 電磁兼容性 設(shè)計原理

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：yepeng139

  • 運(yùn)放中恒流源電路分析方法

    運(yùn)放電路中的恒流源電路分析方法 普通鏡像恒流源、多集電極恒流源、高精度鏡像恒流源、高內(nèi)阻恒流源和鏡像微恒流源電路，以及恒流源電路輸出電阻的計算等。   分析恒流源電路的方法是：         （1）確定恒流源電路中的基準(zhǔn)晶體管或場效應(yīng)管；         （2） 計算或確定基準(zhǔn)電流；  &nbbsp;       （4）繪制恒流部分的交流通路，確定恒流源的內(nèi)阻。         由于恒流源的內(nèi)阻較大，計算恒流源內(nèi)阻時不能忽略三極管集電極與發(fā)射極之間，或場效應(yīng)管漏極與源極之間的動態(tài)電阻

    標(biāo)簽： 運(yùn)放 恒流源電路 分析方法

    上傳時間： 2013-10-09

    上傳用戶：gxmm

  • CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術(shù)

    設(shè)計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設(shè)計的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。

    標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：ewtrwrtwe

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