這書還沒看過，不知道怎樣。感興趣的可以下載看看。
標(biāo)簽： C語言 缺陷
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶：小鵬
FPGA中實(shí)現(xiàn)rs232串口通信程序，上位機(jī)和FPGA互發(fā)數(shù)據(jù)
標(biāo)簽： FPGA 232 rs 串口通信
上傳時(shí)間： 2013-08-14
上傳用戶：xc216
原版的外文書，基于FPGA的SDRAM設(shè)計(jì)，相信大家都會(huì)感興趣！
標(biāo)簽： SDRAM FPGA
上傳時(shí)間： 2013-08-19
上傳用戶：heart_2007
FPGA實(shí)現(xiàn)SPI的內(nèi)核驅(qū)動(dòng) 相信感興趣的朋友一定會(huì)喜歡
標(biāo)簽： FPGA SPI 內(nèi)核 驅(qū)動(dòng)
上傳時(shí)間： 2013-08-24
上傳用戶：hehuaiyu
dsp下載器cpld程序\r\n感興趣的朋友可以下來
標(biāo)簽： cpld dsp 下載器 程序
上傳時(shí)間： 2013-09-02
上傳用戶：tedo811
protel畢業(yè)設(shè)計(jì)電路圖，是自動(dòng)化專業(yè)的，感興趣的可以看看
標(biāo)簽： protel 畢業(yè)設(shè)計(jì) 電路圖
上傳時(shí)間： 2013-09-11
上傳用戶：bhqrd30
看到不少網(wǎng)友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個(gè)人理解發(fā)出來，與大家共享。個(gè)人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？
標(biāo)簽： COOLMOS
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：標(biāo)點(diǎn)符號
RF前置放大電路即讀取光碟片射頻信號的放大電路.其放大電路性能的好壞會(huì)直接影響到DVD-ROM產(chǎn)品性能的好壞.其主要功能如下: (1)對鐳射二極體供電進(jìn)行控制.并產(chǎn)生參考 電壓. (2)對從光感檢測器輸出的微弱電流信號轉(zhuǎn)成 電壓信號進(jìn)行放大處理.
標(biāo)簽： 前置放大電路 基礎(chǔ)知識
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：linlin
對反激變壓器漏感的一些認(rèn)識_漏感與氣隙的大小關(guān)系不大。耦合系數(shù)隨著氣隙的增大而下降。氣隙增大會(huì)引起效率降低是因?yàn)镮pk的增大，漏感能量增大。氣隙增大會(huì)引起繞組損耗增大是因?yàn)闅庀稊U(kuò)散損耗的增大。
標(biāo)簽： 反激變換器 變壓器
上傳用戶：84425894
BucK變換器在開關(guān)轉(zhuǎn)換瞬間．由于線路上存在感抗，會(huì)在主功率管和二極管上產(chǎn)生電壓尖峰，使之承受較大的電壓應(yīng)力和電流沖擊，從而導(dǎo)致器件熱損壞及電擊穿 因此，為避免此現(xiàn)象，有必要對電壓尖峰的原因進(jìn)行分析研究，找出有效的解決辦法。
標(biāo)簽： BUCK 變換 尖峰
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶：youth25
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