隨著電力電子技術(shù)的迅速發(fā)展，電力電子裝置正在向著高頻化、大容量、小體積的方向發(fā)展，其電磁環(huán)境也變得更為復(fù)雜，隨之帶來(lái)的輻射電磁干擾也日益嚴(yán)重。在電力電子裝置設(shè)計(jì)初期開(kāi)展電磁兼容數(shù)值仿真和預(yù)測(cè)對(duì)解決復(fù)雜的電磁干擾問(wèn)題意義重大。 本文介紹了國(guó)內(nèi)外電力電子裝置電磁兼容的研究現(xiàn)狀。針對(duì)電力電子裝置電磁兼容的復(fù)雜性，討論了使用仿真軟件進(jìn)行電力電子裝置電磁兼容分析的策略，主要面向電源印制電路板(PCB)、控制箱和變流器機(jī)柜全波電磁仿真的具體應(yīng)用進(jìn)行了研究。 首先對(duì)PCB電源板進(jìn)行電磁兼容預(yù)測(cè)。采用軟件Protel99SE和CST微波工作室(R)(CST MICROWAVE STUDIO(R)，簡(jiǎn)稱(chēng)CST MWS(R))相結(jié)合進(jìn)行分析，得到．PCB板的表面電流和電場(chǎng)分布圖。根據(jù)分布圖，分析電源板的輻射特性，提出提高PCB電磁兼容性的優(yōu)化設(shè)計(jì)的設(shè)想，在PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中加入對(duì)PCB電磁兼容性分析的場(chǎng)仿真，使PCB的電磁兼容分析有一個(gè)直觀(guān)的參照物，有助于指導(dǎo)PCB的布局布線(xiàn)，對(duì)PCB優(yōu)化設(shè)計(jì)，提高產(chǎn)品性能有重要作用。根據(jù)仿真結(jié)果將PCB電源板近似等效成電偶極子模型。 其次應(yīng)用CST MICROSTRIPESTM軟件計(jì)算控制箱的屏蔽效能，并在控制箱插入PCB電源板后進(jìn)行輻射特性分析。 最后應(yīng)用全波電磁仿真軟件CST MWS(R)對(duì)變流器機(jī)柜進(jìn)行電磁輻射干擾瞬態(tài)仿真，分析過(guò)程中考慮到了IGBT的開(kāi)關(guān)尖峰、線(xiàn)纜和易產(chǎn)生干擾的電子元器件以及整個(gè)機(jī)箱機(jī)柜。運(yùn)用線(xiàn)性網(wǎng)絡(luò)理論對(duì)仿真結(jié)果進(jìn)行標(biāo)定，由此提出改進(jìn)措施—采用unit cell和微擾理論設(shè)計(jì)屏蔽網(wǎng)，有效地抑制了電磁輻射。
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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本項(xiàng)目完成的是中國(guó)地面數(shù)字電視融合方案發(fā)端系統(tǒng)的FPGA設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。采用Stratix系列的EP1S80F1020C5FPGA為基礎(chǔ)構(gòu)建了主硬件處理平臺(tái)。系統(tǒng)中能量擴(kuò)散、LDPC編碼、符號(hào)交織、星座映射、同步PN頭插入、3780點(diǎn)IFFTOFDM調(diào)制以及信號(hào)成形4倍插值滾降濾波器等都是基于FPGA硬件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的。本文首先介紹了數(shù)字電視的發(fā)展現(xiàn)狀，融合方案發(fā)端系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)以及FPGA設(shè)計(jì)的相關(guān)知識(shí)。第三章重點(diǎn)、詳細(xì)地介紹了基于FPGA的融合方案發(fā)端系統(tǒng)除LDPC編碼部分的各個(gè)模塊的具體實(shí)現(xiàn)，并對(duì)級(jí)連后的整個(gè)系統(tǒng)的性能進(jìn)行了仿真、分析和驗(yàn)證。第四章簡(jiǎn)要介紹了與融合方案發(fā)端系統(tǒng)結(jié)構(gòu)類(lèi)似的一個(gè)窄帶LDPC解碼-誤碼測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)發(fā)端的FPGA設(shè)計(jì)，并對(duì)該測(cè)試平臺(tái)的性能進(jìn)行了分析驗(yàn)證。我在項(xiàng)目中完成的工作主要有： 1.閱讀相關(guān)文獻(xiàn)資料，了解中國(guó)地面數(shù)字電視融合方案的整體結(jié)構(gòu)和原理。 2.制定了整個(gè)發(fā)端系統(tǒng)FPGA實(shí)現(xiàn)的框架以及各模塊的接口定義。 3.完成了3780點(diǎn)IFFTOFDM的FPGA設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。 4.完成了4倍插值169階滾降濾波器的算法改進(jìn)和FPGA設(shè)計(jì)與驗(yàn)證。 5.完成了整個(gè)融合方案系統(tǒng)的功能仿真、分析和驗(yàn)證。 6.完成了窄帶LDPC解碼-誤碼測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)發(fā)端的FPGA設(shè)計(jì)以及仿真、驗(yàn)證。
標(biāo)簽： FPGA 地面數(shù)字電視 仿真 方案
上傳時(shí)間： 2013-07-05
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在交流伺服系統(tǒng)中,永磁同步電動(dòng)機(jī)(PMSM)作為執(zhí)行元件具有高效、節(jié)能、便于維修的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于數(shù)控機(jī)床的進(jìn)給伺服單元及機(jī)器人等需精確定位的裝置中.由于PMSM驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)受電機(jī)參數(shù)變化、外部負(fù)載擾動(dòng)、對(duì)象未建模和非線(xiàn)性動(dòng)態(tài)特性等不確定性的影響,因此,采用并發(fā)展先進(jìn)的控制技術(shù),不斷改善與提高位置伺服系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)精度、動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性及對(duì)系統(tǒng)參數(shù)變化的自適應(yīng)性和抗干擾性是一個(gè)必然趨勢(shì).該文對(duì)PMSM的控制機(jī)理和特性作了較為深入的分析;建立了PMSM的數(shù)學(xué)模型,并采用了id=0的矢量控制策略;對(duì)控制系統(tǒng)組成及控制方式作了分析和比較,在此基礎(chǔ)上建立了電流環(huán)、速度環(huán)和位置環(huán)的三閉環(huán)控制系統(tǒng),對(duì)作為反饋主回路的位置環(huán)采用了模糊CMAC神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制方法,該方法兼具模糊控制器的快速性和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的自學(xué)習(xí)能力;構(gòu)建了針對(duì)PMSM位置伺服系統(tǒng)的模糊CMAC控制器結(jié)構(gòu)及其相應(yīng)的算法;利用先進(jìn)的計(jì)算機(jī)仿真工具(Matlab下的Simulink)對(duì)所提出的控制策略進(jìn)行了數(shù)字仿真和分析;仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明本文所提出的控制策略對(duì)PMSM位置伺服系統(tǒng)進(jìn)行控制具有良好的魯棒性能和快速性.該文首次提出將兼具快速性和自學(xué)習(xí)能力的模糊CMAC神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制器應(yīng)用于PMSM位置伺服系統(tǒng)中,可以說(shuō)該文為發(fā)展高性能PMSM位置伺服系統(tǒng)提供了充分的技術(shù)資料,也為今后進(jìn)一步提高其性能提出了新的思路和方法.
標(biāo)簽： CMAC PMSM 模糊 位置伺服系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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為了討論溫度對(duì)模擬電子電路的影響，采用Multisim10仿真軟件中的溫度掃描分析進(jìn)行仿真，分析了溫度對(duì)放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)以及輸出波形的影響，同時(shí)驗(yàn)證了負(fù)反饋對(duì)提高放大電路穩(wěn)定性的作用和差分放大電路能夠抑制零點(diǎn)漂移的性能特點(diǎn)。研究表明，在課堂上利用Multisim10對(duì)模擬電子電路進(jìn)行計(jì)算機(jī)仿真，再結(jié)合理論講解，可以提高教學(xué)質(zhì)量和教學(xué)效果。
標(biāo)簽： Multisim 溫度掃描分析 模擬電子技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-11-07
上傳用戶(hù)：qzhcao
對(duì)高速PCB中的微帶線(xiàn)在多種不同情況下進(jìn)行了有損傳輸?shù)拇當(dāng)_仿真和分析, 通過(guò)有、無(wú)端接時(shí)改變線(xiàn)間距、線(xiàn)長(zhǎng)和線(xiàn)寬等參數(shù)的仿真波形中近端串?dāng)_和遠(yuǎn)端串?dāng)_波形的直觀(guān)變化和對(duì)比, 研究了高速PCB設(shè)計(jì)中串?dāng)_的產(chǎn)生和有效抑制, 相關(guān)結(jié)論對(duì)在高速PCB中合理利用微帶線(xiàn)進(jìn)行信號(hào)傳輸提供了一定的依據(jù).
標(biāo)簽： PCB 微帶線(xiàn) 串?dāng)_分析
上傳時(shí)間： 2013-10-26
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Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配.下面以一個(gè)電路設(shè)計(jì)為例，簡(jiǎn)單介紹一下PCB仿真軟件在設(shè)計(jì)中的使用。下面是一個(gè)DSP硬件電路部分元件位置關(guān)系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設(shè)計(jì))，其中DRAM作為DSP的擴(kuò)展Memory(64位寬度，低8bit還經(jīng)過(guò)3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM時(shí)鐘頻率133M。因?yàn)轭l率較高，設(shè)計(jì)過(guò)程中我們需要考慮DRAM的數(shù)據(jù)、地址和控制線(xiàn)是否需加串阻。下面，我們以數(shù)據(jù)線(xiàn)D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網(wǎng)站下載各器件IBIS模型。然后打開(kāi)Hyperlynx,新建LineSim File(線(xiàn)路仿真—主要用于PCB前仿真驗(yàn)證)新建好的線(xiàn)路仿真文件里可以看到一些虛線(xiàn)勾出的傳輸線(xiàn)、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面，我們開(kāi)始導(dǎo)入主芯片DSP的數(shù)據(jù)線(xiàn)D0腳模型。左鍵點(diǎn)芯片管腳處的標(biāo)志，出現(xiàn)未知管腳，然后再按下圖的紅線(xiàn)所示線(xiàn)路選取芯片IBIS模型中的對(duì)應(yīng)管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術(shù)論壇 http://www.elecfans.com 電子發(fā)燒友點(diǎn)OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類(lèi)型。這樣，一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數(shù)據(jù)線(xiàn)對(duì)應(yīng)管腳和3245的對(duì)應(yīng)管腳IBIS模型加上(DSP輸出，3245高阻，DRAM輸入)。下面我們開(kāi)始建立傳輸線(xiàn)模型。左鍵點(diǎn)DSP芯片腳相連的傳輸線(xiàn)，增添傳輸線(xiàn)，然后右鍵編輯屬性。因?yàn)槲覀兪褂盟膶影澹诒韺幼呔€(xiàn)，所以要選用“Microstrip”，然后點(diǎn)“Value”進(jìn)行屬性編輯。這里，我們要編輯一些PCB的屬性，布線(xiàn)長(zhǎng)度、寬度和層間距等，屬性編輯界面如下：再將其它傳輸線(xiàn)也添加上。這就是沒(méi)有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠(yuǎn)直線(xiàn)間距1.4inch，對(duì)線(xiàn)長(zhǎng)為1.7inch)。現(xiàn)在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點(diǎn)加示波器探頭了，按照下圖紅線(xiàn)所示路徑為各測(cè)試點(diǎn)增加探頭：為發(fā)現(xiàn)更多的信息，我們使用眼圖觀(guān)察。因?yàn)闀r(shí)鐘是133M，數(shù)據(jù)單沿采樣，數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)最高頻率為66.7M，對(duì)應(yīng)位寬為7.58ns。所以設(shè)置參數(shù)如下：之后按照芯片手冊(cè)制作眼圖模板。因?yàn)槲覀冏铌P(guān)心的是接收端(DRAM)信號(hào)，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊(cè)的輸入需求設(shè)計(jì)。芯片手冊(cè)中要求輸入高電平VIH高于2.0V，輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個(gè)NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信號(hào)(不長(zhǎng)于3ns)：按下邊紅線(xiàn)路徑配置眼圖模板：低8位數(shù)據(jù)線(xiàn)沒(méi)有串阻可以滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求，而其他的56位都是一對(duì)一，經(jīng)過(guò)仿真沒(méi)有串阻也能通過(guò)。于是數(shù)據(jù)線(xiàn)不加串阻可以滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求，但有一點(diǎn)需注意，就是寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)因?yàn)榇嬖诨貨_，DRAM接收高電平在位中間會(huì)回沖到2V。因此會(huì)導(dǎo)致電平判決裕量較小，抗干擾能力差一些，如果調(diào)試過(guò)程中發(fā)現(xiàn)寫(xiě)RAM會(huì)出錯(cuò)，還需要改版加串阻。
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶(hù)：dudu121
目錄 第一章 傳輸線(xiàn)理論 一 傳輸線(xiàn)原理 二 微帶傳輸線(xiàn) 三 微帶傳輸線(xiàn)之不連續(xù)分析 第二章 被動(dòng)組件之電感設(shè)計(jì)與分析 一 電感原理 二 電感結(jié)構(gòu)與分析 三 電感設(shè)計(jì)與模擬 電感分析與量測(cè)
標(biāo)簽： 傳輸線(xiàn)
上傳時(shí)間： 2013-12-12
上傳用戶(hù)：浩子GG
SPROTEUS簡(jiǎn)介 SPROTEUS ISIS S原理圖輸入 S電路仿真與分析 S人性化測(cè)量方法 S高級(jí)電路設(shè)計(jì)與仿真 S微處理器系統(tǒng)仿真 S微處理器系統(tǒng)仿真概述 S微處理器系統(tǒng)仿真與分析 S第三方工具的應(yīng)用 SPROTEUS與Keil整合構(gòu)建單片機(jī)虛擬實(shí)驗(yàn)室 SPROTEUS綜合應(yīng)用
標(biāo)簽： PROTEUS 單片機(jī) 仿真 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-06
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Keil C51 V8 專(zhuān)業(yè)開(kāi)發(fā)工具（PK51） PK51是為8051系列單片機(jī)所設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)工具，支持所有8051系列衍生產(chǎn)品，，支持帶擴(kuò)展存儲(chǔ)器和擴(kuò)展指令集（例如Dallas390/5240/400,Philips 51MX,Analog Devices MicroConverters）的新設(shè)備,以及支持很多公司的一流的設(shè)備和IP內(nèi)核,比如Analog Devices, Atmel, Cypress Semiconductor, Dallas Semiconductor, Goal, Hynix, Infineon, Intel, NXP(founded by Philips), OKI, Silicon Labs,SMSC, STMicroeleectronics,Synopsis, TDK, Temic, Texas Instruments,Winbond等。 通過(guò)PK51專(zhuān)業(yè)級(jí)開(kāi)發(fā)工具，可以輕松地了解8051的On-chip peripherals與及其它關(guān)鍵特性。 The PK51專(zhuān)業(yè)級(jí)開(kāi)發(fā)工具包括… l μVision Ø 集成開(kāi)發(fā)環(huán)境 Ø 調(diào)試器 Ø 軟件模擬器 l Keil 8051擴(kuò)展編譯工具 Ø AX51宏匯編程序 Ø ANSI C編譯工具 Ø LX51 連接器 Ø OHX51 Object-HEX 轉(zhuǎn)換器 l Keil 8051編譯工具 Ø A51宏匯編程序 Ø C51 ANSI C編譯工具 Ø BL51 代碼庫(kù)連接器 Ø OHX51 Object-HEX 轉(zhuǎn)換器 Ø OC51 集合目標(biāo)轉(zhuǎn)換器 l 目標(biāo)調(diào)試器 Ø FlashMON51 目標(biāo)監(jiān)控器 Ø MON51目標(biāo)監(jiān)控器 Ø MON390 (Dallas 390)目標(biāo)監(jiān)控器 Ø MONADI (Analog Devices 812)目標(biāo)監(jiān)控器 Ø ISD51 在系統(tǒng)調(diào)試 l RTX51微實(shí)時(shí)內(nèi)核 你應(yīng)該考慮PK51開(kāi)發(fā)工具包,如果你… l 需要用8051系列單片機(jī)來(lái)開(kāi)發(fā) l 需要開(kāi)發(fā) Dallas 390 或者 Philips 51MX代碼 l 需要用C編寫(xiě)代碼 l 需要一個(gè)軟件模擬器或是沒(méi)有硬件仿真器 l 需要在單芯片上基于小實(shí)時(shí)內(nèi)核創(chuàng)建復(fù)雜的應(yīng)用
標(biāo)簽： C51 V8 開(kāi)發(fā)工具
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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多維多選擇背包問(wèn)題(MMKP)是0-1背包問(wèn)題的延伸，背包核已經(jīng)被用來(lái)設(shè)計(jì)解決背包問(wèn)題的高效算法。目的是研究如何獲得一種背包核，并以此高效處理多維多選擇背包問(wèn)題。首先給出了一種方法確定MMKP的核，然后闡述了利用核精確解決MMKP問(wèn)題的B&B算法，列出了具體的算法步驟。在分析了算法的存儲(chǔ)復(fù)雜度后，將算法在各種實(shí)例上的運(yùn)行效果與目前解決MMKP問(wèn)題的常用算法的運(yùn)行效果進(jìn)行了比較，發(fā)現(xiàn)本文的算法性能優(yōu)于以往任何算法。
上傳時(shí)間： 2013-11-20
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