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SMAL是short message abstract library的縮寫,是由風起水流軟件工作室（www.zealware.com）開發的一個支持短信網關系統開發的C++底層抽象接口庫，通過對移動、聯通、網通、電信等運營商使用的各種短信協議和底層通信的抽象封裝，SMAL實現了一個高度自適應的短信協議棧，包括CMPP，SGIP，SMPP，SMGP，CNGP，EMPP等短信協議，同時可以很方便地在上面擴展實現新的協議和自定義的內部協議等。 SMAL目前支持的協議包括中國移動的CMPP2.0,CMPP3.0,中國聯通的 SGIP1.2, SGIP1.2修訂版，中國電信的SMGP2.0，SMGP3.0，中國網通的CNGP2.0，和國際標準SMPP3.3，SMPP3.4，以及企信通協議EMPP等。
標簽： abstract zealware message library
上傳時間： 2013-12-14
上傳用戶：wuyuying
本文是以數位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構為主體的數位式溫度控制器開發，而其主要分為硬體電路與軟體程式兩部分來完成。而就硬體電路來看分為量測電路模組、DSP周邊電路及RS232通訊模組、輸出模組三個部分，其中在輸出上可分為電流輸出、電壓輸出以及binary command給加熱驅動裝置, RS232 除了可以與PC聯絡外也可以與具有CPU的熱能驅動器做命令傳輸。在計畫中分析現有工業用加熱驅動裝置和溫度曲線的關係，並瞭解其控制情況。軟體方面即是溫控器之中央處理器程式，亦即DSP控制程式，其中包括控制理論、感測器線性轉換程式、I/O介面及通訊協定相關程式。在控制法則上，提出一個新的加熱體描述模型，然後以前饋控制為主並輔以PID控制，得到不錯的控制結果。
標簽： Processor Digital Singal DSP
上傳時間： 2013-12-24
上傳用戶：zjf3110
「到Petzold的書中找找」仍然是解決Windows程式開發各種疑難雜癥時的靈丹妙藥。在第五版的《Windows程式開發設計指南》中，作者身違背受敬重的Windows Pioneer Award（Windows開路先鋒獎）得主，依據最新版本Windows作業系統，以可靠的取材資料校定這一本經典之作一再一次深入探索了Win32程式設計介面的根本重心。
上傳時間： 2014-01-08
上傳用戶：cx111111
公司人事檔案管理系統不但可以使公司的管理者在一定程度上掌握所聘用人員的基本人事信息，而且可以為公司人力資源管理工作提供相關的人事信息數據支持。譬如： 公司制定員工招聘計劃、培訓計劃、合理的使用人員等等。因此，系統的好壞不但可以直接影響到企的人力資源管理，而且會間接的影響到公司人事檔案管理系統整體管理。公司若想提高人事管理工作的效率必須擁有一個強大的人事檔案管理系統。我根據自己所學的專業和工作經驗來為設計一款小型人事檔案管理系統軟件在人事管理方面提高工作效率。
標簽： 管理系統
上傳時間： 2017-05-20
上傳用戶：qq521
無意間在網上找到這本書,已經絕版了也很難找到所以放上來分享給大家,提供大家學習 本書對SCSI的介紹偏重於軟件開發方面。在介紹了SCSI的基本概念後，介紹了SCSI編程的程序化方法，並在DOS和Windows下研究了ASPI（高級SCSI編程接口），在Windows和Windows NT下研究了ASPI32的擴展，在介紹SCSI在UNIX平臺的應用時，把重點放在了Linux平臺上
上傳時間： 2014-01-07
上傳用戶：qunquan
人事管理系統，適用于企、事業單位的人事管理系統
標簽： 管理系統
上傳時間： 2014-09-01
上傳用戶：caiiicc
管理信息系統(MIS)不僅是一個技術系統，而且也是一 看出，任何企事業單位的管理信息系統都是基于自己單位的實際情況而建立，即使是同行企 業建立的相同系統都會由于企業的實際情況而有所不同。
上傳時間： 2014-01-01
上傳用戶：梧桐
元件溫度與壽命的探討，可提供設計使用 高溫度作業範圍
標簽： 元件探討
上傳時間： 2015-06-28
上傳用戶：任金霞2018
幫助學習作業系統的 一些資料 我需要獲得3的 積分 請有興趣者可看
標簽： struct
上傳時間： 2016-06-14
上傳用戶：fp4397251
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
