電阻電路:由線性時不變電阻、線性受控源、和獨立源組成的電路稱為時不變的線性電阻電路,簡稱為電阻電路。 等效:如果電路N1的端口伏安特性與電路N2的端口伏安特性完全相同,則稱電路N1和N2是端口等效的;或稱電路N1與N2互為等效電路。
上傳時間: 2013-11-14
上傳用戶:luke5347
同步整流技術(shù)簡單介紹大家都知道,對于開關(guān)電源,在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件,通常用的是整流二極管(利用它的單向?qū)щ娞匦裕梢岳斫鉃橐环N被動式器件:只要有足夠的正向電壓它就開通,而不需要另外的控制電路。但其導通壓降較高,快恢復二極管(FRD)或超快恢復二極管(SRD)可達1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產(chǎn)生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功,并且整流二極管是一種固定壓降的器件,舉個例子:如有一個管子壓降為0.7V,其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓,損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當其為3.3V整流時,損耗為0.7/4(3.3+0.7)≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導致電源效率降低,損耗產(chǎn)生的熱能導致整流管進而開關(guān)電源的溫度上升、機箱溫度上升--------有時系統(tǒng)運行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術(shù)的飛速發(fā)展,如GeForce 8800GTX顯卡,其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流(如多核F1,四路12V,每路16A;3.3V和5V輸出電流各高達24A)的電源轉(zhuǎn)換器。而當前世界的能源緊張問題的凸現(xiàn),為廣大用戶提供更高轉(zhuǎn)換效率(如多核R80,完全符合80PLUS標準)的電源轉(zhuǎn)換器就是我們整個開關(guān)電源行業(yè)的不可回避的社會責任了。如何解決這些問題?尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術(shù)和通態(tài)電阻(幾毫歐到十幾毫歐)極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的歷史舞臺了!作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件,功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關(guān)系。因為用功率MOSFET做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件,必須要在其控制極(柵極)有一定電壓才能允許電流通過,這種復雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應用中,一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態(tài)電阻的乘積,故小電流時,其壓降和恒定壓降的肖特基不同,電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率(20%)尤為有效。這在80PLUS產(chǎn)品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案,我們可以通過灌溉農(nóng)田來理解:肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道,從源頭下來的水源在中途滲漏了很多,十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道,除了一點點被太陽曬掉的損失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召囈陨娴募Z食。我們的多核F1,多核R80,其3.3V整流電路采用了通態(tài)電阻僅為0.004歐的功率MOSFET,在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A,則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V,損耗比例為0.04/4=1%,比之于傳統(tǒng)肖特基加磁放大整流技術(shù)17.5%的損耗,其技術(shù)的進步已不僅僅是一個量的變化,而可以說是有了一個質(zhì)的飛躍了。也可以說,我們?yōu)橛脩粜藿艘粭l嚴絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。
標簽: 同步整流
上傳時間: 2013-10-27
上傳用戶:杏簾在望
第一章 虛擬儀器及l(fā)abview入門 1.1 虛擬儀器概述 1.2 labview是什么? 1.3 labview的運行機制 1.3.1 labview應用程序的構(gòu)成 1.3.2 labview的操作模板 1.4 labview的初步操作 1.4.1 創(chuàng)建VI和調(diào)用子VI 1.4.2 程序調(diào)試技術(shù) 1.4.3 子VI的建立 1.5 圖表(Chart)入門 第二章 程序結(jié)構(gòu) 2.1 循環(huán)結(jié)構(gòu) 2.1.1 While 循環(huán) 2.1.2 移位寄存器 2.1.3 For循環(huán) 2.2 分支結(jié)構(gòu):Case 2.3 順序結(jié)構(gòu)和公式節(jié)點 2.3.1 順序結(jié)構(gòu) 2.3.2 公式節(jié)點 第三章 數(shù)據(jù)類型:數(shù)組、簇和波形(Waveform) 3.1 數(shù)組和簇 3.2 數(shù)組的創(chuàng)建及自動索引 3.2.1 創(chuàng)建數(shù)組 3.2.2 數(shù)組控制對象、常數(shù)對象和顯示對象 3.2.3 自動索引 3.3 數(shù)組功能函數(shù) 3.4 什么是多態(tài)化(Polymorphism)? 3.5 簇 3.5.1 創(chuàng)建簇控制和顯示 3.5.2 使用簇與子VI傳遞數(shù)據(jù) 3.5.3 用名稱捆綁與分解簇 3.5.4 數(shù)組和簇的互換 3.6 波形(Waveform)類型 第四章 圖形顯示 4.1 概述 4.2 Graph控件 4.3 Chart的獨有控件 4.4 XY圖形控件(XY Graph) 4.5 強度圖形控件(Intensity Graph) 4.6 數(shù)字波形圖控件(Digital Waveform Graph) 4.7 3D圖形顯示控件(3D Graph) 第五章 字符串和文件I/ 5.1 字符串 5.2 文件的輸入/輸出(I/O) 5.2.1 文件 I/O 功能函數(shù) 5.2.2 將數(shù)據(jù)寫入電子表格文 5.3 數(shù)據(jù)記錄文件(datalog file) 第六章 數(shù)據(jù)采集 6.1 概述 6.1.1 采樣定理與抗混疊濾波器 6.1.2 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的構(gòu)成 6.1.3 模入信號類型與連接方式 6.1.4 信號調(diào)理 6.1.5 數(shù)據(jù)采集問題的復雜程度評估 6.2 緩沖與觸發(fā) 6.2.1 緩沖(Buffers) 6.2.2 觸發(fā)(Triggering) 6.3 模擬I/O(Analog I/O) 6.3.1 基本概念 6.3.2 簡單 Analog I/O 6.3.3 中級Analog I/O 6.4 數(shù)字I/O(Digital I/O) 6.5 采樣注意事項 6.5.1 采樣頻率的選擇 6.5.2 6.5.3 多任務環(huán)境 6.6 附:PCI-MIO-16E-4數(shù)據(jù)采集卡簡介 第七章 信號分析與處理 7.1 概述 7.2 信號的產(chǎn)生 7.3 標準頻率 7.4 數(shù)字信號處理 7.4.1 FFT變換 7.4.2 窗函數(shù) 7.4.3 頻譜分析 7.4.4 數(shù)字濾波 7.4.5 曲線擬合 第八章 labview程序設(shè)計技巧 8.1 局部變量和全局變量 8.2 屬性節(jié)點 8.3 VI選項設(shè)置 第九章 測量專題 9.1 概述 9.1.1 模入信號類型與連接方式 9.1.2 信號調(diào)理 9.2 電壓測量 9.3 頻率測量 9.4 相位測量 9.5 功率測量 9.6 阻抗測量 9.7 示波器 9.8 波形記錄與回放 9.9 元件伏安特性的自動測試 9.10 掃頻儀 9.11 函數(shù)發(fā)生器 9.12 實驗數(shù)據(jù)處理 9.13 頻域分析 9.14 時域分析 第十章 網(wǎng)絡(luò)與通訊 第十一章 儀器控制
上傳時間: 2013-11-06
上傳用戶:15070202241
整流二極管和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)及選擇原則電子愛好者經(jīng)常要用二極管。二極管具有單向?qū)щ娦裕?主要用于整流、穩(wěn)壓和混頻等電路中。本文介紹整流二極管和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)及選擇原則。(一)整流二極管的主要參數(shù)1.IF— 最大平均整流電流。指二極管長期工作時允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN 結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值, 并要滿足散熱條件。例如1N4000 系列二極管的IF 為1A。2.VR — 最大反向工作電壓。指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值, 則反向電流(IR)劇增,二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模?從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB) 的一半作為(VR)。例如1N4001 的VR 為50V,1N4007 的VR 為1OOOV.3.IR— 反向電流。指二極管未擊穿時反向電流值。溫度對IR 的影響很大。例如1N4000 系列二極管在100°C 條件IR 應小于500uA; 在25°C 時IR 應小于5uA 。4.VR — 擊穿電壓。指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時, 則指給定反向漏電流條件下的電壓值。
標簽: 整流二極管 穩(wěn)壓二極管
上傳時間: 2022-06-26
上傳用戶:xsr1983
集成鎖相環(huán)路 原理 特性 應用
標簽: 集成 鎖相環(huán)路
上傳時間: 2013-05-29
上傳用戶:eeworm
世界集成電路特性大全(菲利蒲、三星部分)
上傳時間: 2013-07-13
上傳用戶:eeworm
最新中外電子元器件特性參數(shù)及代換手冊
上傳時間: 2013-04-15
上傳用戶:eeworm
最新世界二極管特性代換手冊
上傳時間: 2013-07-21
上傳用戶:eeworm
最新世界場效應管特性代換手冊
上傳時間: 2013-04-15
上傳用戶:eeworm
最新世界二極管特性代換手冊
上傳時間: 2013-04-15
上傳用戶:eeworm
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1