基于數字信號處理的電能計量芯片,有測量正向和負向有功功率的功能。它可以通過選擇采用絕對值或代數和相加之一的方式來計量有功功率和。CF輸出以較高頻率的脈沖,用于校驗和計算機數據處理,F1和F2輸出較低頻率的脈沖用于驅動脈沖電機,間接驅動機械字輪計度器計算功率,記錄用電量。
上傳時間: 2017-07-02
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硬件上提供的低功耗機制,需要軟件實現上來發揮它的效能。理想的條件下,是希望在系統中,以“功率監控(power-aware)”的方法,管理不同的系統資源
上傳時間: 2014-01-27
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硬件上提供的低功耗機制,需要軟件實現上來發揮它的效能。理想的條件下,是希望在系統中,以“功率監控(power-aware)”的方法,管理不同的系統資源
上傳時間: 2013-12-22
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本文設計的電子提花機控制器,從紡織發展方 向出發,針對中小型紡織企業的需求,改進了傳統 提花機控制器的一些問題。從實際運行效果來看, 控制器運行穩定可靠。差分信號驅動以及反饋校驗 使系統具有很強的抗電磁干擾性,誤碼率很低。電 磁驅動電壓低,降低了電源功率,提高了系統的穩r 定性。采用光纖通信進行信號傳輸與驅動方案,提 高傳輸距離和可靠性,為電子提花機的升級打下了 良好的基礎。設計中芯片選取低功耗節能型芯片, 降低整機功耗,節約成本。使用U盤作為花型文件 的存儲介質,大大提高了花型設計的速度,降低了 設計成本。配合以雙路復合式電磁選針器和單動式 提針機構,整機造價可降低60%以上¨J。總的來 說,該控制器成本低廉,性能良好,維護方便,為 中小型紡織企業節省成本,提高效益,值得推廣。
上傳時間: 2015-05-05
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LT3095MPUDD雙通道低噪聲偏置發生器的典型應用電路凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙通道 IC LT3095,該器件從單一輸入提供兩路非常低噪聲、低紋波的偏置電源。每個通道都納入了單片升壓型 DC/DC 轉換器,一個集成的超低噪聲和高 PSRR (電源抑制比) 線性穩壓器對該轉換器進行了后置穩壓。LT3095 在輸出電壓高達 20V 時提供高達 50mA 的連續輸出電流,總紋波和噪聲 <100μVP-P。該器件在 3V 至 20V 輸入電壓范圍內工作,從而可與多種電源兼容。 LT3095 的固定頻率、峰值電流模式升壓型 DC/DC 轉換器包括一個集成的 950mA 電源開關、肖特基二極管和內部頻率補償。開關頻率在 450kHz 至 2MHz 內可通過單個電阻器編程,或可同步至一個外部時鐘,因此允許使用纖巧的外部組件。結合緊湊的 3mm x 5mm QFN 封裝,LT3095 可提供簡單、占板面積緊湊、高效率的解決方案,適用于儀表放大器、RF 和數據轉換系統、以及其他低噪聲偏置應用。 LT3095 的線性穩壓器運用凌力爾特專有的電流源基準架構,從而提供了很多優勢,例如能夠用單個電阻器設定輸出電壓,帶寬、噪聲、PSRR 和負載調節性能基本上不受輸出電壓影響。集成輸出噪聲 (在 10Hz 至 100kHz 帶寬) 僅為 4μVRMS,而且在整個開關頻率范圍內 PSRR 超過70dB,從而使總的噪聲和紋波 <100μVP-P。線性穩壓器調節升壓型轉換器的輸出電壓,使其比線性穩壓器輸出電壓高 2V,從而優化了功耗、瞬態響應和 PSRR 性能。為了提高系統可靠性,LT3095 提供短路和熱保護,還為每個通道提供獨立和精確的使能 / UVLO 門限。微功率工作時,兩個 EN 引腳均被拉低。
標簽: 噪聲偏置發生器
上傳時間: 2022-02-15
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射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用,是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比,射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點;由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要,使得功率放大器的研制變得十分重要,因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs,SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力,但其價格昂貴,工藝一致性差;CMOS工藝的功率輸出能力不大,很難應用于高輸出功率的場合;而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間,價格相對低廉并和CMOS電路兼容,非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和Ka波段的射頻集成功率放大器的設計和實現,分別使用了CMOS,SiGe BiCMOS,GaAs三種工藝.(1)由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz,采用了兩級共源共柵電路結構,在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右,1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%,最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%,芯片面積為1.4mm*0.96mm;(2)由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz,分為前置推動級和末級功率級,電源電壓為3.3V,仿真結果為小信號增益28dB左右,1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm,功率附加效率大于15%,最大飽和輸出功率為29.5dBm,芯片面積為1.56mm"1.2mm;(3)由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz,使用了三級功率放大器結構,在電源電壓為5V下仿真結果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm,增益在20dB以上,最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%,芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程,對三種工藝實現的功率放大器進行了對比,并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。
上傳時間: 2022-06-20
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幾十年來在音頻領域中,A 類、B 類、AB 類音頻功率放大器一直占據“統治”地位,其發展經歷了這樣幾個過程:所用器件從電子管、晶體管到集成電路過程;電路組成從單管到推挽過程;電路形成從變壓器輸出到OTL、OCL、BTL 形式過程。其基本類型是模擬音頻功率放大器,它的最大缺點是效率太低。全球音視頻領域數字化的浪潮以及人們對音視頻設備節能環保的要求,迫使人們盡快開發高效、節能、數字化的音頻功率放大器,它應該具有工作效率高,便于與其他數字化設備相連接的特點。D 類音頻功率放大器是PWM 型功率放大器,它符合上述要求。近幾年來,國際上加緊了對D 類音頻功率放大器的研究與開發,并取得了一定的進展,幾家著名的研究機構及公司已經試驗性地向市場提供了D 類音頻功率放大器評估模塊及技術。這一技術一經問世立即顯示出其高效、節能、數字化的顯著特點,引起了科研、教學、電子工業、商業界的特別關注,現在這一前沿的技術正迅猛發展,前景一片光明。
上傳時間: 2022-07-28
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微波功率合成技術
上傳時間: 2013-04-15
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高功率激光加工及其應用
上傳時間: 2013-04-15
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高功率連續CO2激光器
上傳時間: 2013-06-21
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