本文首次設計并驗證了基于macom三合一芯片設計的光模塊電路,該電路旨在提供一種滿足SFF-8472中規定的數字診斷功能的低成本SFP+模塊。電路采用激光器驅動、限幅放大器、控制器以及時鐘恢復單元集成的單芯片,在保證高精度數字診斷功能基礎上,實現了低成本高可靠的特點。該電路在光接收接口組件與激光器驅動和限幅放大器單元的限幅放大器部分之間接入濾波器來提高模塊的靈敏度及信號質量。在控制器單元的數字電位器的引腳上采用外加電阻的方式避免出現上電不發光的故障問題。該研究結果為下一代SFP-DD光模塊設計與開發工作,奠定了一定的理論與實踐基礎。This paper designs and validates the optical module circuit based on the MACOM Trinity chip for the first time.This circuit aims to provide a low-cost SFP module which meets the digital diagnosis function specified in SFF-8472.The circuit uses a single chip integrated with laser driver,limiting amplifier,controller and clock recovery unit.On the basis of ensuring high precision digital diagnosis function,it achieves the characteristics of low cost and high reliability.The circuit connects a filter between the optical receiving interface module and the limiting amplifier part of the laser driver and limiting amplifier unit to improve the sensitivity and signal quality of the module.The pin of the digital potentiometer in the controller unit is equipped with an external resistance to avoid the problem of power failure.The research results lay a theoretical and practical foundation for optical module design in high-speed data center.
上傳時間： 2022-04-03
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射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用，是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比，射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點；由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和Ka波段的射頻集成功率放大器的設計和實現，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級共源共柵電路結構，在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右，1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動級和末級功率級，電源電壓為3.3V，仿真結果為小信號增益28dB左右，1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級功率放大器結構，在電源電壓為5V下仿真結果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程，對三種工藝實現的功率放大器進行了對比，并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。
上傳時間： 2022-06-20
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本文針對傳統放大器信噪分離能力弱，無法檢測微弱信號這一現狀，設計了一個基于AD630的鎖相放大器。系統以開關式相關器為鎖相放大器的核心部分進行設計，具有電路簡單、運行速度快、線性度高、動態范圍大、抗過載能力強等優點。本文設計的鎖相放大器硬件主要包括信號通道模塊、參考通道模塊、相關器模塊、電源模塊、電壓檢測模塊、顯示模塊等部分。信號通道模塊的輸入級通過并聯多個放大器的方式有效降低了噪聲，通過跟蹤帶通濾波電路提高了信噪比；參考通道模塊包含參考電壓放大器、鎖相環電路和相移器電路三個部分，可以將輸入信號放大10~10000倍：相關器模塊是鎖相放大器的核心部分，采用高信噪比的AD630芯片進行電路設計，包括相敏檢波電路（PSD）和低通濾波電路；電源模塊由集成三端穩壓器構成，通過模擬電源和數字電源隔離的方式有效降低了電源紋波：電壓檢測模塊通過電阻分壓的方式提高了可檢測范圍；顯示模塊為數字電壓表ZF5135-DC2V，直觀顯示被檢測信號。本文利用Altium Designer軟件繪制PCB板對電路進行了測試，結果表明系統能夠準確檢測到uV級別的信號，并且信噪比較高。相位差在0~360°范圍內連續調節時，能夠將較微弱的信號從噪聲的背景中提取出來并進行放大。同時該系統各級電路之間采用直接耦合的方式，對于頻率較低的信號，仍然能進行鎖相放大。設計中對鎖相放大器理想和非理想模型進行了仿真對比，結果表明在未摻雜噪聲時，信號通道將輸入信號放大10倍，相位改變180°。最后根據行為級建模和電路實物焊接兩種方法進一步分析驗證了鎖相放大器的工作機理。
上傳時間： 2022-07-11
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幾十年來在音頻領域中，A 類、B 類、AB 類音頻功率放大器一直占據“統治”地位，其發展經歷了這樣幾個過程：所用器件從電子管、晶體管到集成電路過程；電路組成從單管到推挽過程；電路形成從變壓器輸出到OTL、OCL、BTL 形式過程。其基本類型是模擬音頻功率放大器，它的最大缺點是效率太低。全球音視頻領域數字化的浪潮以及人們對音視頻設備節能環保的要求，迫使人們盡快開發高效、節能、數字化的音頻功率放大器，它應該具有工作效率高，便于與其他數字化設備相連接的特點。D 類音頻功率放大器是PWM 型功率放大器，它符合上述要求。近幾年來，國際上加緊了對D 類音頻功率放大器的研究與開發，并取得了一定的進展，幾家著名的研究機構及公司已經試驗性地向市場提供了D 類音頻功率放大器評估模塊及技術。這一技術一經問世立即顯示出其高效、節能、數字化的顯著特點，引起了科研、教學、電子工業、商業界的特別關注，現在這一前沿的技術正迅猛發展，前景一片光明。
上傳時間： 2022-07-28
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圖解OP放大器應用技巧100例 松井
上傳時間： 2013-04-15
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電子器件及放大器（上冊 電子器件部分）
上傳時間： 2013-06-28
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電子器件及放大器（下冊 放大器部分）
上傳時間： 2013-07-29
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基于運算放大器和模擬集成電路的電路設計 習題答案 pdf
上傳時間： 2013-05-26
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圖解運算放大器電路 內山
上傳時間： 2013-04-15
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運算放大器應用基礎
標簽： 運算放大器
上傳時間： 2013-07-01
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