一．產(chǎn)品描述 提供6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，一對一直接輸出，輸出為開漏(opendrain)型態(tài)，適合作AD鍵。對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二。產(chǎn)品特色 1.工作電壓範(fàn)圍：3.1V – 5.5V 2.工作電流： 3mA@5V 3.6 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4.提供一對一的直接輸出，未按鍵為開漏(open drain)型態(tài)輸出，按鍵時(shí)為低電平。 5.可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 7.內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三。 產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四．功能描述 1.VK3606OM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會做復(fù)位。 4.環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會有按鍵承認(rèn)輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.K0~K5 中不使用的按鍵請接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動。 8.D0~D5 中不使用的輸出請接地，避免浮接會有漏電流的情 況。
標(biāo)簽： KEYS 3606 SOP 16 VK OM 抗干擾 防水
上傳時(shí)間： 2019-08-08
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一．產(chǎn)品描述 提供10個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵及兩線式串列界面，並有中斷輸出INT腳與MCU聯(lián)繫。特性上對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二。產(chǎn)品特色 1. 工作電壓範(fàn)圍：3.1V – 5.5V 2. 工作電流：3mA@5V 3. 10 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4. 提供串列界面 SCK、SDA、INT 作為與 MCU 溝通方式。 5. 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 7. 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三。產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四．功能描述 1.VK3610IM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會做復(fù)位。 4.環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會有按鍵承認(rèn)輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.不使用的按鍵請接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動。
標(biāo)簽： KEYS VK3610 SOP 10 16 IM VK 抗干擾
上傳時(shí)間： 2019-08-08
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在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
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安裝塌所1、通凰良好少溫策及灰座之塌所。2、雜腐蝕性、引火性氛髓、油急、切削液、切前粉、戴粉等聚境。3、雜振勤的場所。4、雜水氟及踢光直射的場所。1、本距勤器探用自然封流冷御方式正隨安裝方向局垂直站立方式2、在配電箱中需考感溫升情況未連有效散熟及冷御效果需保留足豹的空固以取得充分的空氟。3、如想要使控制箱內(nèi)溫度連到一致需增加凰扇等散熱毅倩。4、組裝睛廊注意避免贊孔屑及其他翼物掉落距勤器內(nèi)。5、安裝睛請硫資以M5螺練固定。6、附近有振勤源時(shí)請使用振勤吸收器防振橡腥來作腐噩勤器的防振支撐。7、勤器附近有大型磁性陰嗣、熔接樓等雄部干援源睛，容易使距勤器受外界干攝造成誤勤作，此時(shí)需加裝雄部濾波器。但雍訊濾波器舍增加波漏電流，因此需在愿勤器的輸入端裝上經(jīng)緣羹愿器（Transformer）。*配象材料依照使用電象規(guī)格]使用。*配象的喪度：指令輸入象3公尺以內(nèi)。編碼器輸入綜20公尺以內(nèi)。配象時(shí)請以最短距薄速接。*硫賞依照操單接象圈配象，未使用到的信貌請勿接出。*局連輸出端（端子U、V、W）要正硫的速接。否則伺服焉速勤作舍不正常。*隔雄綜必須速接在FG端子上。*接地請以使用第3砸接地（接地電阻值腐100Ω以下），而且必須罩黏接地。若希望易速輿械之周腐紀(jì)緣狀懲畸，請將連接地。*伺服距勤器的輸出端不要加裝電容器，或遇（突波）吸收器及雅訊濾波器。*裝在控制輸出信號的DC繼電器，其遏（突波）吸收用的二梗溜的方向要速接正硫，否則食造成故障，因而雜法輸出信猶，也可能影馨緊急停止的保渡迎路不座生作用。*腐了防止雍部造成的錯(cuò)溪勤作，請?zhí)较铝械耐茫赫堅(jiān)陔娫瓷霞尤虢?jīng)緣雯愿器及雅亂濾波器等裝置。請將勤力緣（雷源象、焉連緣等的蘊(yùn)雷回路）奧信蔬緣相距30公分以上來配練，不要放置在同一配緣管內(nèi)。
標(biāo)簽： tsda
上傳時(shí)間： 2022-05-28
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抄電 力 線 載 波 擴(kuò) 頻 通 信 技 術(shù) —— 多表抄控管理解決方案 表系統(tǒng)方案
標(biāo)簽： 方案 系統(tǒng)方案
上傳時(shí)間： 2016-12-24
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這是最近蒐集資料找到的Java PSO Swarm 大家可以下載回去參考使用 理面文件有原出處以及作者 請大家要記得尊重版權(quán)
上傳時(shí)間： 2014-12-22
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CBC7寫的撥號上網(wǎng)DLL 可獲取IP,檢測連接狀態(tài),掛斷 不足之處請見諒
上傳時(shí)間： 2015-12-29
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摘要 ： 介紹 丁 DSP技 術(shù) 中的雙音 多頻 (DTMF)技術(shù) ．以及產(chǎn)生 與檢測 Drl?,IF信 號 的幾 種方 法 ．提 出并 詳細(xì) 推導(dǎo) 了利 用 Gt~rtze]算法實(shí)現(xiàn)濾波器組的方法 及利用仿真軟件對 DTMF進(jìn)芋亍模擬設(shè)計(jì)的過程 ．
上傳時(shí)間： 2013-12-22
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客 戶 信 息 管 理 系 統(tǒng)
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2014-05-31
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地 理 信 息 系 統(tǒng) 經(jīng) 典 教 程 之 一
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2017-03-26
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