GB-T 2689.4-1981 命試驗和加速壽命試驗的最好線性無偏估計法 (用于威布爾分布)
標簽： 2689.4 GB-T 1981 壽命
上傳時間： 2013-05-18
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GB-T 2689.3-1981 壽命試驗和加速壽命試驗的簡單線性無偏估計法 (用于威布爾分布)
標簽： 2689.3 GB-T 1981 壽命
上傳時間： 2013-06-14
直流偏磁是變壓器的一種非正常工作狀態，是指在變壓器的勵磁電流中出現了直流分量。在直流輸電系統中，由于換流站的工作特性，有直流電流分量流過換流變壓器的繞組，產生直流偏磁現象，這一現象將對換流變壓器的正常運行產生不利的影響，如勵磁電流發生畸變、變壓器鐵心損耗增加及鐵心高度飽和引起的漏磁通增加。因此，從電磁場的角度分析這一現象是必要的。 由于鐵磁材料的非線性，不能應用疊加原理分析直流偏磁時的勵磁情況。為此，本文應用了二維瞬態場路直接耦合有限元法，借助大型有限元分析軟件Ansoft，定量分析了在不同等級直流偏磁電流作用下，換流變壓器空載運行狀態下的勵磁電流波形情況，結果表明，直流偏磁使鐵心中的磁通密度發生偏移，對應的勵磁電流波形呈現正負半波極不對稱的形狀，并且直流偏磁量越大勵磁電流的畸變越嚴重。 在求出直流偏磁量與勵磁電流峰值關系的基礎上，應用一種基于鐵心空載損耗數據的方法，定量分析了在不同等級直流偏磁電流作用下，換流變壓器鐵心損耗情況，結果表明，隨著直流偏磁電流的增加，鐵心損耗也會隨之增加，這會導致鐵心溫升上升，嚴重時會導致鐵心局部過熱，影響變壓器的正常運行。 在漏磁場分析中，討論了變壓器漏磁場的類型和作用，經過合理簡化，建立了換流變壓器二維漏磁場計算模型，應用二維瞬態場路直接耦合有限元法，分析了不同等級直流偏磁電流作用下，換流變壓器漏磁場分布情況，結果表明，隨著直流偏磁量的增加，不同位置處漏磁場分量的變化規律基本不變，但漏磁在增加，且不同位置漏磁分量增加的速率不同。
標簽： 大型 變壓器 直流偏磁
上傳時間： 2013-06-25
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介紹了單電源運放為什么需要加偏置電源，以及試驗單電源運放的注意事項。
標簽： 單電源 分 運放
上傳時間： 2013-07-29
上傳用戶：kgylah
iSensor IMU快速入門指南和偏置優化技巧
標簽： iSensor IMU 快速入門
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：小草123
為了模擬圖像分類任務中待分類目標的可能分布，使特征采樣點盡可能集中于目標區域，基于Yang的有偏采樣算法提出了一種改進的有偏采樣算法。原算法將目標基于區域特征出現的概率和顯著圖結合起來，計算用于特征采樣的概率分布圖，使用硬編碼方式對區域特征進行編碼，導致量化誤差較大。改進的算法使用局部約束性編碼代替硬編碼，并且使用更為精確的后驗概率計算方式以及空間金字塔框架，改善了算法性能。在PASCAL VOC 2007和2010兩個數據集上進行實驗，平均精度比隨機選取的特征采樣方法能夠提高約0.5%，驗證了算法的有效性。
標簽： 圖像分類 特征采樣
上傳時間： 2013-10-24
上傳用戶：wawjj
共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應，在放大器領域有很多的應用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應用于任意電流密度。根據飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關系,并設計一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。
標簽： CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路
上傳時間： 2013-10-08
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我國的骨干通信網上的傳輸速率已經向40 GB/s甚至是160 GB/s發展，傳輸線路以光纖作為主要的傳輸通道。與光纖相關的損耗和單模光纖的主要色散，即偏振模色散，不僅僅限制了光信號在通信過程中的傳輸距離，還很大程度上影響其通信容量。其中，偏振模色散對單模光纖高速和長距離通信的影響尤為突出。因此應現代光纖通信技術網的高速發展的需要，把當前流行的FPGA技術應用到單模光纖的偏振模色散的自適應補償技術中，用硬件描述語言來實現，可以大大提高光纖的偏振模色散自適應補償對實時性和穩定性的要求。
標簽： FPGA 偏振模 仿真 補償技術
上傳時間： 2013-11-15
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反輻射導彈是現代戰爭條件下通信設備等電磁輻射源所面對的最具威脅性的武器之一，而有源誘偏是對抗反輻射導彈攻擊的一種相對簡單而有效的方法。基于有源相參和有源非相參條件下的幾種模型，從反輻射導彈的攻擊過程入手，得到Matlab仿真結果。最后根據仿真彈著點位置分布和位置分布的概率統計曲線，為通信輻射源的布設提供理論依據。
標簽： ARM 通信輻射源 有源
上傳時間： 2013-11-16
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第1章 微帶扇形偏置電路基本理論之一 1 第2章 扇形微帶偏置理論之二 4 第3章 利用ADS仿真設計扇形微帶偏置的整個過程 6 3.1 計算10GHz時四分之一波長高阻線（假設設計阻抗為100歐）的長度和寬度。 7 3.2 將高阻線和扇形微帶放入電路中，并仿真和優化（注意優化的變量都有哪些） 7 3.3 仿真結果分析（關鍵） 9 3.4 生成版圖 10 3.5 導出到autoCAD中并填充 11 第4章 有助于加深理解扇形微帶偏置原理的ADS仿真分析 11 4.1 單根四分之一波長微帶線的仿真 11 4.2 四分之一波長微帶線+扇形微帶線的仿真 12 4.3 我的理解 12
標簽： ADS 詳細設計 過程
上傳時間： 2013-10-15
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