新唐科技(原華邦電子邏輯事業群)，自2010年成功推出ARM® Cortex™-M0為內核的32位單片機 - NuMicro™ 家族后，持續專注于新一代微控制器系列產品的開發。同時，32位單片機的發展前景備受各方矚目，在工業控制、消費電子、汽車電子、高速計算與通訊控制等應用領域的推波助瀾下，32位單片機的成本和性價比展現令人期待的成長爆發力。2012年新唐再度大展身手，開發出帶有 超低功耗，高集成外設的32位單片機Nano系列。
上傳時間： 2013-11-16
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新唐科技(原華邦電子邏輯事業群)，自2010年成功推出ARM® Cortex™-M0為內核的32位單片機 - NuMicro™ 家族后，持續專注于新一代微控制器系列產品的開發。同時，32位單片機的發展前景備受各方矚目，在工業控制、消費電子、汽車電子、高速計算與通訊控制等應用領域的推波助瀾下，32位單片機的成本和性價比展現令人期待的成長爆發力。2012年新唐再度大展身手，開發出多款新系列32位帶有 CAN BUS 設備的低功耗NUC130與NUC140系列單片機。
上傳時間： 2013-10-17
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新唐科技(原華邦電子邏輯事業群)，自2010年成功推出ARM® Cortex™-M0為內核的32位單片機 - NuMicro™ 家族后，持續專注于新一代微控制器系列產品的開發。同時，32位MCU的發展前景備受各方矚目，在工業控制、消費電子、汽車電子、高速計算與通訊控制等應用領域的推波助瀾下，32位MCU的成本和性價比展現令人期待的成長爆發力。2012年新唐再度大展身手，開發出多款新系列32位元帶有 USB 全速2.0設備的低功耗NUC122系列，NUC123系列。為了使更多用戶快速了解新唐32-bit Cortex-M0 USB MCU的競爭優勢，本次我們特別選擇以NuMicro USB系列為研討會主題，歡迎您的參加與討論。
上傳時間： 2013-11-22
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MSP430系列單機實用C語言(新)
上傳時間： 2013-10-11
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51開發板原理圖（新）
上傳時間： 2014-12-26
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摘 要 針對現有單相機單光源視線追蹤系統存在的幾個問題：精度不高、頭動受限以及標定復雜，提出了一種新的基于瞳孔?角膜反射（ＰＣＣＲ）技術的視線追蹤方法．通過提出的瞳孔邊緣濾波算法（ＲＤＰＥＦ）和三通道偽彩色圖（ＴＣＰＣＭ）解決了近紅外條件下瞳孔定位誤差較大、瞳孔跟蹤魯棒性較差的問題，進而提高了視線特征提取的精度．通過提出的頭部位置補償方法以及個體差異轉化模型，使二維映射模型允許使用者頭部運動并且只需要單點標定．該方法提高了單相機視線追蹤的精度和應用范圍，為面向人機交互的視線追蹤系統提供了有效的低成本解決方案．關鍵詞 視線追蹤；瞳孔定位；瞳孔跟蹤；視線估計；瞳孔?角膜反射（ＰＣＣＲ）技術
上傳時間： 2013-10-21
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新一代的可攜式電子產品不但日趨輕巧纖薄，而且內建的數位電路也越來越多，以便可以支援復雜的運算工作。這類能快速處理大量資料的電子產品迅速普及起來，使系統設計工程師在設計上面對新挑戰。為了在產品添加更多功能及確保外型更吸引，設計工程師一方面要為處理器提供足夠的供電來執行各種新功能，其中包括聲頻/視訊錄播，電玩，網頁瀏覽，電子郵件傳送及一般的辦公室文檔處理，但另一方面又不能為應付更大的耗電量而加大電池。超小型的可攜式電子產品近來很受市場歡迎，這個趨勢顯示電池體積會進一步縮小，令系統很易便耗盡電池的儲電。這些儲電量如此有限的電池還要為其他新加的元件，例如高解析度彩色顯示器及攝影鏡頭，提供所需的供電。電池技術固然在效能上有一定的提升，但基本上仍不足以解決電源的供求失衡問題。此外，新一代的半導體技術也令這個問題雪上加霜，因為深層次微米制程技術有漏電的問題，進一步增加系統的整體功耗。電源轉換技術也達到瓶頸，效能出現大幅提升的機會十分渺茫。（目前市場上各大開關穩壓器的電源轉換效率已高達90％以上。）面對這樣的情況，我們必須重新思考電源管理的問題，以及采用周密完善的方式來開發新系統。頭痛醫頭，腳痛醫腳的方法只能暫時解決個別的電源轉換效率問題，對問題的徹底解決沒有幫助。因此，我們必須全面審視整個系統的供電需要，并確保系統內的不同元件能在運作上互通，才可進一步提升能源效益以滿足消費者的要求。
上傳時間： 2013-12-19
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常用三星單片機燒寫電壓設置參考表 燒寫電壓說明:Vdd 電壓指燒寫時加載到芯片Vdd 端子的邏輯電壓,Vpp 電壓指燒寫時加載到芯片Vpp(Test)端子的編程電壓, Vpp=12V 是編程器的默認燒寫電壓,無須特別設置. 由于編程器的默認輸出Vpp 電壓均為12V,因此在燒寫Vpp=3.3V/5.0V 的芯片時,需要對燒寫轉換適配器作以下改動:將燒寫器燒寫座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在適配器上將Vdd端子直接連接Vpp 端即可.當用戶采用在PCB板上燒寫方式時,建議最好能在PCB芯片端的Vpp腳并接一個104 的電容入地,可有效保護在燒寫電壓加載時板子電路共同作用產生的瞬間過壓脈沖不會輸入到Vpp 腳而造成Vpp 擊穿.S3F84K4 燒寫特別說明,由于三星半導體DATA SHEET 要求在對該芯片進行燒寫時,須在Vpp 腳加接一個101 的電容到地,因此在使用我站各款燒寫器燒寫84K4 時,須將燒寫器主板上的Vpp 端原來并接的10uf/50V-電解電容和104 電容去掉,另行并接一個101 電容入地即可.不過,據本人特別測試結果,其實不做以上處理對燒寫過程沒有任何影響, 估計可能是三星半導體對芯片有做過改版,老版本的84K4 才會有以上特別要求,新版本是沒有這個要求的.
上傳時間： 2013-10-10
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新茂單片機資料包20050225
上傳時間： 2013-11-24
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賽靈思選用 28nm 高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低 功耗技術，并將該技術與新型一體化 ASMBLTM 架構相結合，從而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。這些器件實現了前所未有的高集成度和高帶寬，為系統架構師和設計人員提供了一種可替代 ASSP和 ASIC 的全面可編程解決方案。
上傳時間： 2013-10-10
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