超聲波測(cè)距器，可以應(yīng)用于汽車倒車、建筑施工工地以及一些工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的位置監(jiān)控，也可用于如液位、井深、管道長(zhǎng)度的測(cè)量等場(chǎng)合。要求測(cè)量范圍在0.10-5.00m，測(cè)量精度1cm，測(cè)量時(shí)與被測(cè)物體無(wú)直接接觸，能夠清晰穩(wěn)定地顯示測(cè)量結(jié)果。由于超聲波指向性強(qiáng)，能量消耗緩慢，在介質(zhì)中傳播的距離較遠(yuǎn)，因而超聲波經(jīng)常用于距離的測(cè)量，如測(cè)距儀和物位測(cè)量?jī)x等都可以通過(guò)超聲波來(lái)實(shí)現(xiàn)。利用超聲波檢測(cè)往往比較迅速、方便、計(jì)算簡(jiǎn)單、易于做到實(shí)時(shí)控制，并且在測(cè)量精度方面能達(dá)到工業(yè)實(shí)用的要求，因此在移動(dòng)機(jī)器人的研制上也得到了廣泛的應(yīng)用。
標(biāo)簽： 超聲波測(cè)距
上傳時(shí)間： 2014-01-08
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在電子產(chǎn)品迅速發(fā)展的今天，電源設(shè)計(jì)，特別是開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)，在新產(chǎn)品的研制中占了相當(dāng)重要的位置。對(duì)于廣大的電源設(shè)計(jì)師而言，單純靠經(jīng)驗(yàn)來(lái)搭建試驗(yàn)電路的傳統(tǒng)辦法已經(jīng)不可能滿足當(dāng)今電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)要求，而且無(wú)論從設(shè)計(jì)周期方面還是開(kāi)發(fā)成本方面也都是難以承受的。因此借助先進(jìn)的CAD技術(shù)，可提高電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)質(zhì)量。本文首先簡(jiǎn)要介紹了開(kāi)關(guān)電源基本原理和基本結(jié)構(gòu)，然后結(jié)合一款具體產(chǎn)品，詳細(xì)分析了推挽式開(kāi)關(guān)電源的基本原理，并對(duì)各部分電路進(jìn)行分別設(shè)計(jì)，尤其詳細(xì)說(shuō)明了磁性器件的設(shè)計(jì)，所搭建的實(shí)驗(yàn)電路能夠基本滿足設(shè)計(jì)要求，但仿真結(jié)果不理想，本文分析了仿真結(jié)果不理想的原因。為下一步改進(jìn)工作提供基礎(chǔ)關(guān)鍵詞：厚膜混合電路、開(kāi)關(guān)電源、推挽模式、PWM、磁性器件任何電子設(shè)備都離不開(kāi)可靠的電源，它們對(duì)電源的要求也越來(lái)越高。電子設(shè)備的小型化和低成木化使電源以輕、薄、小和高效率為發(fā)展方向。傳統(tǒng)的品體管串聯(lián)調(diào)整穩(wěn)壓電源是連續(xù)控制的線性穩(wěn)壓電源。這種傳統(tǒng)的穩(wěn)壓電源技術(shù)比較成熟，但是其通常都需要體積大且笨重的工頻變壓器與體積和重量都很大的濾波器而且調(diào)整管功耗較大，電源效率很低，一般只有45%左右。另外，由于在調(diào)整管上消耗較大的功率，所以需要采用大功率調(diào)整管并裝有體積很大的散熱器，很難滿足現(xiàn)代電子設(shè)備發(fā)展的要求。20世紀(jì)50年代，美國(guó)宇航局以小型化、重量輕為目標(biāo)，為搭載火箭開(kāi)發(fā)了開(kāi)關(guān)電源。在近半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展過(guò)程中，開(kāi)關(guān)電源因具有體積小、重量輕、效率高、發(fā)熱量低、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)而逐漸取代傳統(tǒng)技術(shù)制造的連續(xù)工作電源，并廣泛應(yīng)用于電子整機(jī)與設(shè)備中，20世紀(jì)80年代，計(jì)算機(jī)全面實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)電源化，率先完成計(jì)算機(jī)的電源換代。20世紀(jì)9年代，開(kāi)關(guān)電源在電子、電器設(shè)備、家電領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)進(jìn)入了快速發(fā)展期
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-03-16
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有源相控陣?yán)走_(dá)技術(shù)在世界各國(guó)的國(guó)防與經(jīng)濟(jì)建設(shè)中發(fā)揮著重要的作用。為了全面展現(xiàn)有源相控陣?yán)走_(dá)天線結(jié)構(gòu)的研制，本書(shū)較詳盡地闡述了有源相控陣?yán)走_(dá)天線結(jié)構(gòu)在總體技術(shù)、工業(yè)造型技術(shù)、熱控技術(shù)、仿真與試驗(yàn)技術(shù)、有源模塊結(jié)構(gòu)技術(shù)、新材料與工藝技術(shù)等方面的研究，并介紹了許多國(guó)內(nèi)外雷達(dá)領(lǐng)域的設(shè)計(jì)實(shí)例，本書(shū)的內(nèi)容具有較強(qiáng)的實(shí)用性。
標(biāo)簽： 雷達(dá)
上傳時(shí)間： 2022-04-07
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激光探測(cè)技術(shù)是激光技術(shù)的一個(gè)最重要的方面。激光由于具有高亮度和方向性、單色性好等特點(diǎn)，因此在國(guó)防和民用領(lǐng)域中正發(fā)揮著越來(lái)越重的作用。脈沖激光探測(cè)技術(shù)作為激光探測(cè)技術(shù)的一種方式，正在成為世界研究的熱點(diǎn)。本文以激光雷達(dá)為研究背景，在通過(guò)增大接收系統(tǒng)口徑提高回波信號(hào)信噪比的前提下，從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了脈沖激光回波信號(hào)特性對(duì)探測(cè)性能的影響。在理論和設(shè)計(jì)方面，本文首先對(duì)幾種激光探測(cè)技術(shù)進(jìn)行深入的研究。對(duì)脈沖激光測(cè)距中回波信號(hào)進(jìn)行分析，并建立信噪比測(cè)距方程，在此基礎(chǔ)上，推導(dǎo)回波信號(hào)功率和系統(tǒng)噪聲公式。定量分析了接收系統(tǒng)三種主要的噪聲，并從接收系統(tǒng)出發(fā)，研究接收口徑和接收視場(chǎng)對(duì)探測(cè)信噪比的影響，在設(shè)計(jì)上，采用大口徑物鏡以提高回波信號(hào)強(qiáng)度，采用雪崩光電二極管（APD）作為光電探測(cè)器件，通過(guò)干涉濾光片和視場(chǎng)光闌降低系統(tǒng)背景噪聲以提高回波信號(hào)信噪比。前置放大電路采用跨導(dǎo)放大電路結(jié)構(gòu)，有效地對(duì)APD所輸出的微弱電流信號(hào)進(jìn)行放大。在實(shí)驗(yàn)方面，通過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，研究了回波信號(hào)幅值和測(cè)距誤差以及測(cè)距不確定度的關(guān)系，發(fā)現(xiàn)回波信號(hào)幅值越大，系統(tǒng)的測(cè)距誤差和測(cè)距不確定度越小。研究了脈沖激光回波信號(hào)的幅值和上升時(shí)間的統(tǒng)計(jì)分布。分析了測(cè)距系統(tǒng)帶寬對(duì)于系統(tǒng)探測(cè)概率和漏測(cè)率的影響，發(fā)現(xiàn)過(guò)小的系統(tǒng)帶寬會(huì)使系統(tǒng)探測(cè)特性發(fā)生惡化。最后，對(duì)信噪比和探測(cè)概率的關(guān)系做了實(shí)驗(yàn)研究。本文的研究對(duì)脈沖激光探測(cè)理論有一定的完善作用，對(duì)后續(xù)系統(tǒng)的研制和探測(cè)指標(biāo)的改善有很好的參考價(jià)值。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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射頻功率放大器在雷達(dá)、無(wú)線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對(duì)抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代無(wú)線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比，射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、壽命長(zhǎng)等一系列優(yōu)點(diǎn)；由于射頻功率放大器在軍事和個(gè)人通信系統(tǒng)中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對(duì)該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計(jì)射頻集成功率放大器的常見(jiàn)工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價(jià)格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應(yīng)用于高輸出功率的場(chǎng)合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價(jià)格相對(duì)低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應(yīng)用場(chǎng)合.本文介紹了應(yīng)用與無(wú)線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級(jí)共源共柵電路結(jié)構(gòu)，在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號(hào)增益22dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動(dòng)級(jí)和末級(jí)功率級(jí)，電源電壓為3.3V，仿真結(jié)果為小信號(hào)增益28dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級(jí)功率放大器結(jié)構(gòu)，在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點(diǎn)的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計(jì)、仿真、版圖設(shè)計(jì)、流片和芯片測(cè)試的順序詳細(xì)介紹了功率放大器芯片的設(shè)計(jì)過(guò)程，對(duì)三種工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器進(jìn)行了對(duì)比，并通過(guò)各自的仿真結(jié)果對(duì)出現(xiàn)的問(wèn)題進(jìn)行了詳盡的分析。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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現(xiàn)代雷達(dá)系統(tǒng)日益復(fù)雜，在設(shè)計(jì)、調(diào)試?yán)走_(dá)系統(tǒng)的過(guò)程中，不可避免的需要雷達(dá)的回波信號(hào)，為了提高雷達(dá)設(shè)計(jì)效率，人們逐漸開(kāi)始對(duì)雷達(dá)回波信號(hào)模擬技術(shù)進(jìn)行研究，以求用模擬產(chǎn)生的信號(hào)代替實(shí)際的雷達(dá)回波信號(hào)，把雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)和維護(hù)過(guò)程中所需的費(fèi)用降到最低。現(xiàn)在，雷達(dá)信號(hào)模擬技術(shù)逐步取得發(fā)展，成為雷達(dá)技術(shù)的一個(gè)重要分支，而雷達(dá)信號(hào)模擬器的研制成為國(guó)內(nèi)外軍事研究領(lǐng)域的熱門方向.所有無(wú)線電系統(tǒng)中都會(huì)包含射頻前端，射頻前端的主要作用是將基帶信號(hào)經(jīng)過(guò)調(diào)制、上混頻、放大后送至天線發(fā)射，或是將天線接收到的信號(hào)放大、下混頻、解調(diào)，最后輸出基帶信號(hào).本課題正是對(duì)某機(jī)載相控陣?yán)走_(dá)目標(biāo)模擬器射頻前端的研究。該射頻前端系統(tǒng)包括兩個(gè)部分：發(fā)射機(jī)通道和射頻功率合成網(wǎng)絡(luò)，發(fā)射機(jī)通道由三條雜波信號(hào)通道和一條目標(biāo)信號(hào)通道組成，每條通道相當(dāng)于一臺(tái)射頻發(fā)射機(jī).在發(fā)射機(jī)通道中首先對(duì)基帶1、Q信號(hào)進(jìn)行調(diào)制，然后兩次上混頻使輸出信號(hào)到達(dá)x波段。射頻功率合成網(wǎng)絡(luò)主要的功能是使用功分器將目標(biāo)信號(hào)一分為四，利用數(shù)控衰減器對(duì)四路目標(biāo)信號(hào)進(jìn)行方向圖增益調(diào)制，調(diào)制后其中一路信號(hào)送至天線系統(tǒng)，另外三路分別與三路雜波信號(hào)功率合成，最后輸出至雷達(dá)，該項(xiàng)目中筆者主要負(fù)責(zé)對(duì)整體方案和指標(biāo)的論證，多路信號(hào)幅相平衡度的調(diào)整，x波段0/i移相器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，整機(jī)的功能指標(biāo)測(cè)試，與其它分機(jī)聯(lián)調(diào)等工作.本文首先介紹了該機(jī)載相控陣?yán)走_(dá)目標(biāo)模擬器的整體方案，然后對(duì)無(wú)線發(fā)射機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行了分析，接下來(lái)對(duì)射頻前端方案進(jìn)行論證，之后詳述了多路信號(hào)幅相校正的方法與0/n移相器的研制，給出了射頻前端系統(tǒng)的測(cè)試結(jié)果.
標(biāo)簽： 雷達(dá)
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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源技術(shù)尤其是數(shù)控電源技術(shù)是一門實(shí)踐性很強(qiáng)的工程技術(shù)，服務(wù)于各行各業(yè)。電力電子技術(shù)是電能的最佳應(yīng)用技術(shù)之一。當(dāng)今電源技術(shù)融合了電氣、電子、系統(tǒng)集成、控制理論、材料等諸多學(xué)科領(lǐng)域。隨著計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù)發(fā)展而來(lái)的現(xiàn)代信息技術(shù)革命，給電力電子技術(shù)提供了廣闊的發(fā)展前景，同時(shí)也給電源提出了更高的要求。隨著數(shù)控電源在電子裝置中的普遍使用，普通電源在工作時(shí)產(chǎn)生的誤差，會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的精確度。電源在使用時(shí)會(huì)造成很多不良后果，世界各國(guó)紛紛對(duì)電源產(chǎn)品提出了不同要求并制定了一系列的產(chǎn)品精度標(biāo)準(zhǔn)。只有滿足產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，才能夠進(jìn)入市場(chǎng)。隨著經(jīng)濟(jì)全球化的發(fā)展，滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品才能獲得進(jìn)出的通行證。數(shù)控電源是從80 年代才真正的發(fā)展起來(lái)的，期間系統(tǒng)的電力電子理論開(kāi)始建立。這些理論為其后來(lái)的發(fā)展提供了一個(gè)良好的基礎(chǔ)。在以后的一段時(shí)間里，數(shù)控電源技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展。但其產(chǎn)品存在數(shù)控程度達(dá)不到要求、分辨率不高、功率密度比較低、可靠性較差的缺點(diǎn)。因此數(shù)控電源主要的發(fā)展方向，是針對(duì)上述缺點(diǎn)不斷加以改善。單片機(jī)技術(shù)及電壓轉(zhuǎn)換模塊的出現(xiàn)為精確數(shù)控電源的發(fā)展提供了有利的條件。新的變換技術(shù)和控制理論的不斷發(fā)展，各種類型專用集成電路、數(shù)字信號(hào)處理器件的研制應(yīng)用，到90 年代，己出現(xiàn)了數(shù)控精度達(dá)到0.05V 的數(shù)控電源，功率密度達(dá)到每立方英寸50W 的數(shù)控電源。從組成上，數(shù)控電源可分成器件、主電路與控制等三部分。目前在電力電子器件方面，幾乎都為旋紐開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)精度不高，而且經(jīng)常跳變，使用麻煩
標(biāo)簽： 直流穩(wěn)壓電源
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標(biāo)簽： Matlab 7.0 基礎(chǔ)教程 清華大學(xué)
上傳時(shí)間： 2013-05-15
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標(biāo)簽： 數(shù)字電子技術(shù) 電子教案
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