計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能?；诩捎?jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
標(biāo)簽： 單端應(yīng)用 差分 放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-23
上傳用戶：rocketrevenge
LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時(shí)間： 2013-12-20
上傳用戶：康郎
LTC®4223 是一款符合微通信計(jì)算架構(gòu) (MicroTCA) 規(guī)範(fàn)電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器，該規(guī)範(fàn)於近期得到了 PCI 工業(yè)計(jì)算機(jī)制造商組織 (PICMG) 的批準(zhǔn)。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：我累個(gè)乖乖
LTC3260 可利用反相輸入電壓在其充電泵輸出端(VOUT) 上提供高達(dá) 100mA 電流。另外，VOUT 還充當(dāng)一個(gè)負(fù) LDO 穩(wěn)壓器 (LDO-) 的輸入電源。充電泵頻率可由單個(gè)外部電阻器在 50kHz 至 500kHz 的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：zgz317
N+緩沖層設(shè)計(jì)對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
PC電源測試系統(tǒng)chroma8000簡介
標(biāo)簽： chroma 8000 電源測試系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：xiehao13
數(shù)字電子技朮
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上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：1101055045
鋰離子正極電池材料 1. 目前主要的技術(shù)工藝制法： 1.1. 高溫固相反應(yīng)法：高溫固相反應(yīng)法是以FeC2O4·2H2O，(NH4)H2PO4，Li2CO3等為原料，按LiFePO4的化學(xué)組成配料研磨混合均勻，在惰性氣氛（如Ar，N2）的保護(hù)下高溫焙燒反應(yīng)制得。目前，由于高溫固相反應(yīng)法存在合成溫度高、粒徑分布大、顆粒粗大等缺點(diǎn)，極大地限制了L iFePO4的電化學(xué)性能。 1.2. 溶膠——凝膠合成法：溶膠——凝膠法以三價(jià)鐵的醋酸鹽或硝酸鹽為原料，按化學(xué)計(jì)量加入LiOH后加入檸檬酸，然后再將其加入到H3PO4中，用氨水調(diào)節(jié)pH，加熱至60℃得到凝膠，加熱使凝膠分解，高溫?zé)Y(jié)得到LiFePO4。溶膠——凝膠法的優(yōu)點(diǎn)是前驅(qū)體溶液化學(xué)均勻性好，凝膠熱處理溫度低，粉體顆粒粒徑小而且分布窄，粉體燒結(jié)性能好，反應(yīng)過程易于控制，設(shè)備簡單；但是在干燥時(shí)收縮大，工業(yè)化生產(chǎn)難度較大，合成周期較長。
上傳時(shí)間： 2013-11-16
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