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N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

  • 資源大小:796 K
  • 上傳時(shí)間: 2013-11-12
  • 上傳用戶:a369100057
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標(biāo)      簽: PT-IGBT 緩沖層

資 源 簡(jiǎn) 介

 N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

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