LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時(shí)間: 2013-10-29
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這裡對(duì)linux系統(tǒng)下的CGI的開發(fā)用很好的入門學(xué)習(xí)指導(dǎo)作用。是學(xué)習(xí)CGI 的初學(xué)者非常好的實(shí)例材料。
標(biāo)簽: CGI linux 系統(tǒng) 材料
上傳時(shí)間: 2014-11-05
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磁光材料和磁光器件 劉湘林.pdf磁光材料和磁光器件 劉湘林.pdf
標(biāo)簽: 磁光材料
上傳時(shí)間: 2022-01-10
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第一講 光纖的分類 一, 光纖的分類 光纖是光導(dǎo)纖維(OF:Optical Fiber)的簡(jiǎn)稱。但光通信系統(tǒng)中常常將 Optical Fibe(光纖)又簡(jiǎn)化為 Fiber,例如:光纖放大器(Fiber Amplifier)或光纖干線(Fiber Backbone)等等。有人忽略了Fiber雖有纖維的含義,但在光系統(tǒng)中卻是指光纖而言的。因此,有些光產(chǎn)品的說(shuō)明中,把fiber直譯成“纖維”,顯然是不可取的。 光纖實(shí)際是指由透明材料作成的纖芯和在它周圍采用比纖芯的折射率稍低的材料作成的包層所被覆,并將射入纖芯的光信號(hào),經(jīng)包層界面反射,使光信號(hào)在纖芯中傳播前進(jìn)的媒體?! 」饫w的種類很多,根據(jù)用途不同,所需要的功能和性能也有所差異。但對(duì)于有線電視和通信用的光纖,其設(shè)計(jì)和制造的原則基本相同,諸如:①損耗?。虎谟幸欢◣捛疑⑿?;③接線容易;④易于成統(tǒng);⑤可靠性高;⑥制造比較簡(jiǎn)單;⑦價(jià)廉等。
標(biāo)簽: 光纖 光接入網(wǎng)
上傳時(shí)間: 2013-10-27
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針對(duì)室溫(293 K)條件下使用要求,采用InAsSb單晶材料加浸沒(méi)透鏡制作成2~9 μm波段高靈敏度光導(dǎo)型InAsSb紅外探測(cè)器。實(shí)測(cè)光譜響應(yīng)值出現(xiàn)在1.656 5~8.989 μm。在光譜響應(yīng)波段范圍內(nèi),最大響應(yīng)度值為對(duì)比組C2、C3組。初步實(shí)現(xiàn)了室溫(293 K)使用要求,響應(yīng)光譜2~9 μm波段光導(dǎo)型InAsSb紅外探測(cè)器設(shè)計(jì)目的。
標(biāo)簽: InAsSb 光導(dǎo) 紅外探測(cè)器
上傳時(shí)間: 2013-11-23
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提出了一個(gè)考慮FP 效應(yīng)的半導(dǎo)體材料參數(shù)測(cè)量方案。利用該方案可以在時(shí)域波形中,截取多個(gè)反射回峰,以提高材料參數(shù)提取的精確度。另外,考慮到多重反射對(duì)樣品厚度的準(zhǔn)確性要求較高,提出了一種有效的厚度優(yōu)化方法。以GaAs 為待測(cè)樣品,利用上述方法精確提取了其折射率與消光系數(shù)譜.
標(biāo)簽: 太赫茲 光譜 半導(dǎo)體材料 參數(shù)測(cè)量
上傳時(shí)間: 2013-12-16
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Mie散射數(shù)值計(jì)算的Delphi代碼,用來(lái)計(jì)算粒子的光散射,在粒子檢測(cè),材料測(cè)試上有廣泛的應(yīng)用。
上傳時(shí)間: 2014-01-09
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芯片制造技術(shù)-半導(dǎo)體拋光類技術(shù)資料合集:300mm硅單晶及拋光片標(biāo)準(zhǔn).pdf6-英寸重?fù)缴楣鑶尉Ъ皰伖馄?pdf666化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的研究進(jìn)展.pdf化學(xué)機(jī)械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問(wèn)題.pdf化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)及SiO2拋光漿料研究進(jìn)展.pdf化學(xué)機(jī)械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc半導(dǎo)體-第十四講-CMP.ppt半導(dǎo)體制程培訓(xùn)CMP和蝕刻.pptx.ppt半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf半導(dǎo)體工藝.ppt半導(dǎo)體工藝化學(xué).ppt拋光技術(shù)及拋光液.docx直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf硅拋光片-CMP-市場(chǎng)和技術(shù)現(xiàn)狀-張志堅(jiān).pdf硅片腐蝕和拋光工藝的化學(xué)原理.doc表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用.pdf
上傳時(shí)間: 2021-11-02
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后,從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開了討論。其中材料屬性部分,介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍,然后根據(jù)實(shí)驗(yàn)分析了TEM圖片,包括GaN多量子阱,重點(diǎn)分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形,分析了他們對(duì)材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜,并解釋其光譜藍(lán)移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)部分,本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),分別是基于雙光子晶體的LED芯片,基于微球模型的LED芯片,基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論,蒙特卡羅理論及激光剝離理論,本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ),并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層,出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來(lái)大大提高LED芯片的外量子效率?;诩す鈩冸x襯底的大功率LED可以實(shí)現(xiàn)較好散熱效果和功率。
標(biāo)簽: led
上傳時(shí)間: 2022-06-25
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半導(dǎo)體切片 保存到我的百度網(wǎng)盤 下載 芯片封裝詳細(xì)圖解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片機(jī)張刀對(duì)切片質(zhì)量的影響-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 內(nèi)圓切片機(jī)設(shè)計(jì).pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生產(chǎn)工藝介紹.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半導(dǎo)體集成電路(最終版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半導(dǎo)體晶體的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半導(dǎo)體材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰凍切片的制備.docx 23KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體全制程介紹.doc 728KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝技術(shù).ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工業(yè)簡(jiǎn)介-簡(jiǎn)體中文...ppt 半導(dǎo)體清洗 新型半導(dǎo)體清洗劑的清洗工藝.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工藝提升中的半導(dǎo)體清洗技術(shù).pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超聲波清洗技術(shù)的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半導(dǎo)體制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制造工藝第3章-清-洗-工-藝.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程培訓(xùn)清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體清洗技術(shù)面臨變革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓自動(dòng)清洗設(shè)備.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓的污染雜質(zhì)及清洗技術(shù).pdf 412KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝-晶圓清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體第五講硅片清洗(4課時(shí)).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC清洗技術(shù).pdf 52KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC清洗技術(shù).doc 半導(dǎo)體拋光 直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 拋光技術(shù)及拋光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機(jī)械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)及SiO2拋光漿料研究進(jìn)展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機(jī)械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問(wèn)題.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蝕和拋光工藝的化學(xué)原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅拋光片-CMP-市場(chǎng)和技術(shù)現(xiàn)狀-張志堅(jiān).pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程培訓(xùn)CMP和蝕刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝化學(xué).ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體-第十四講-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的研究進(jìn)展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重?fù)缴楣鑶尉Ъ皰伖馄?pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅單晶及拋光片標(biāo)準(zhǔn).pdf 半導(dǎo)體研磨 半導(dǎo)體制造工藝第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝流程介紹.docx 18KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體硅材料研磨液研究進(jìn)展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體封裝制程及其設(shè)備介紹.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC工藝流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體CMP工藝介紹.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體-第十六講-新型封裝.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí).pdf
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