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光觸發(fā)(fā)

  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2013-11-04

    上傳用戶:372825274

  • 新代數(shù)控系統(tǒng)OpenCNC_PLC發(fā)展工具操作手冊(cè)V2.5

    新代數(shù)控系統(tǒng)OpenCNC_PLC發(fā)展工具操作手冊(cè)V2.5。

    標(biāo)簽: OpenCNC_PLC 2.5 數(shù)控系統(tǒng) 操作

    上傳時(shí)間: 2013-11-07

    上傳用戶:shanxiliuxu

  • 基于T-F變換的多點(diǎn)流體溫度測(cè)量系統(tǒng)

    針對(duì)一般測(cè)溫方法在進(jìn)行流體多點(diǎn)溫度測(cè)量時(shí)存在系統(tǒng)復(fù)雜,準(zhǔn)確度和速度難以兼顧的問(wèn)題,提出了一種基于溫度-頻率(T-F)變換的測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)使用PIC18F6722單片機(jī)控制MOS管開關(guān)陣列,使多個(gè)測(cè)點(diǎn)的熱敏電阻分別與TLC555構(gòu)成振蕩電路,將測(cè)點(diǎn)的溫度變化轉(zhuǎn)化為振蕩頻率的變化,使用8253計(jì)數(shù)芯片對(duì)TLC555的輸出信號(hào)進(jìn)行測(cè)量并產(chǎn)生中斷,單片機(jī)讀取8253計(jì)數(shù)值反演為測(cè)點(diǎn)溫度。實(shí)驗(yàn)表明,測(cè)點(diǎn)數(shù)目增多不會(huì)增加測(cè)量系統(tǒng)的復(fù)雜程度,通過(guò)設(shè)置8253的計(jì)數(shù)初值,可以在不改變硬件的情況下靈活選擇測(cè)量的準(zhǔn)確度和速度,滿足了流體多點(diǎn)精確快速測(cè)溫的需求。同時(shí)該系統(tǒng)具備簡(jiǎn)潔實(shí)用,成本低的優(yōu)點(diǎn)。

    標(biāo)簽: T-F 變換 多點(diǎn) 流體

    上傳時(shí)間: 2013-10-23

    上傳用戶:assef

  • 野戰(zhàn)光纖光功率精密測(cè)量裝置研究

    針對(duì)野戰(zhàn)光纖光路損耗介紹一種精密光功率測(cè)量方法,分析了+,-光電接收元件的+%,(光功率%光電流)特性,并建立了實(shí)際模型&設(shè)計(jì)的裝置測(cè)量范圍為%#)!)./(光功率的相對(duì)衰減值),經(jīng)實(shí)踐檢驗(yàn)具有較好 的精度.

    標(biāo)簽: 光纖 光功率 精密測(cè)量 裝置

    上傳時(shí)間: 2013-11-20

    上傳用戶:yy_cn

  • 光回波損耗(后向反射)測(cè)試儀的校準(zhǔn)

    本文介紹了采用光連續(xù)波反射法(OCWR) 技術(shù)的光回波損耗測(cè)試儀的校準(zhǔn)內(nèi)容和校準(zhǔn)方法。校準(zhǔn)內(nèi)容包括內(nèi)部光源的校準(zhǔn)、光功率計(jì)的校準(zhǔn)、回波損耗校準(zhǔn)件的校準(zhǔn)、回波損耗測(cè)量準(zhǔn)確度的校準(zhǔn)等諸多方面,著重介紹了校準(zhǔn)回波損耗測(cè)量準(zhǔn)確度的校準(zhǔn)方法- 光回波損耗無(wú)源模擬法和有源模擬法,并介紹了無(wú)源模擬法和有源模擬法所使用的標(biāo)準(zhǔn)儀器和計(jì)算公式以及不確定度評(píng)定。經(jīng)對(duì)多臺(tái)光回波損耗測(cè)試儀的校準(zhǔn),表明本校準(zhǔn)方法準(zhǔn)確可行,滿足了客戶的需求。

    標(biāo)簽: 光回波 損耗 反射 測(cè)試儀

    上傳時(shí)間: 2015-01-03

    上傳用戶:as275944189

  • 固態(tài)繼電器應(yīng)用光耦TLP3231,TLP4222G基本參數(shù)及應(yīng)用

    潮光內(nèi)部整理資料

    標(biāo)簽: TLP 4222G 3231 4222

    上傳時(shí)間: 2013-10-28

    上傳用戶:chenhr

  • 過(guò)零雙向可控硅光耦MOC3063,MOC3041,TLP363J實(shí)際參數(shù)應(yīng)用實(shí)例

    潮光整理資料:過(guò)零雙向可控硅光耦應(yīng)用原理

    標(biāo)簽: MOC 3063 3041 363

    上傳時(shí)間: 2013-11-10

    上傳用戶:xcy122677

  • 開關(guān)電源應(yīng)用光耦

    開關(guān)電源應(yīng)用光耦應(yīng)用方案

    標(biāo)簽: 開關(guān) 光耦 電源應(yīng)用

    上傳時(shí)間: 2013-11-03

    上傳用戶:王成林。

  • TLP265J,TLP266J 小貼片SOP封裝雙向可控硅輸出光耦

    TLP265J,TLP266J是東芝新推出的2款4pin SO6封裝的雙向可控硅輸出光耦,它們的耐壓能力能達(dá)到600V,它旨在取代以前采用4pin MFSOP6封裝的TLP260J和TLP261J,因?yàn)镸FSOP6封裝的爬電距離較小,使其的隔離電壓只能達(dá)到BVS=3000 Vrms ,這使得東芝的這系列產(chǎn)品在與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品對(duì)比中處于劣勢(shì),因?yàn)槟壳癝OP封裝的光耦隔離電壓普遍能達(dá)到BVS=3750 Vrms 。而東芝新推出的TLP265J,TLP266J也能達(dá)到這個(gè)隔離能力。

    標(biāo)簽: TLP 265J 266J 265

    上傳時(shí)間: 2013-10-22

    上傳用戶:zhouli

  • 小封裝四通道交流光耦TLP180,PS2705,TLP620,PS2805C-4電路應(yīng)用及功能介紹

    小封裝四通道交流光耦電路應(yīng)用及功能介紹

    標(biāo)簽: TLP PS 2705 2805

    上傳時(shí)間: 2015-01-03

    上傳用戶:talenthn

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