玩法: 一開始先下數(shù)字 下完25個數(shù)字後 再開始圈選數(shù)字 先達(dá)到5條連線者獲勝 在下數(shù)字跟選數(shù)字時 按滑鼠右鍵都能無限反悔 當(dāng)然 電腦部分仍然是兩光兩光的... 還有畫面也是粉差啦...
上傳時間： 2014-01-09
上傳用戶：cazjing
CPLD器件的4種實際應(yīng)用列子。歡迎下載并評價。
標(biāo)簽： CPLD 器件 實際應(yīng)用
上傳時間： 2013-12-12
上傳用戶：來茴
關(guān)于光耦器件參數(shù)的詳細(xì)說明，和選型等。介紹了國產(chǎn)光耦件型號及其可替換外國器件型號。
上傳時間： 2016-06-07
上傳用戶：ynwbosss
光耦合器件的應(yīng)用 光耦合器件的應(yīng)用
標(biāo)簽： 光耦合器件
上傳時間： 2016-07-04
上傳用戶：xieguodong1234
光敏器件包括光敏電阻、光敏二極管及光敏三極管等。光敏器件可以用來以可見光或紅外光的形式控制報警器、測試儀、自動開關(guān)、繼電器等多種裝置或執(zhí)行機(jī)構(gòu)。因此光敏器件在自動化技術(shù)中起著極其重要的作用。
標(biāo)簽： 光敏器件 光敏二極管 光敏三極管 光敏電阻
上傳時間： 2013-12-26
上傳用戶：小草123
主要是f040的分解列子。包括不少其中數(shù)字器件……
上傳時間： 2017-03-31
上傳用戶：familiarsmile
作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ，其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點 ，業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。
標(biāo)簽： 第三代半導(dǎo)體 GaN 功率開關(guān)器件
上傳時間： 2021-12-08
上傳用戶：XuVshu
磁光材料和磁光器件 劉湘林.pdf磁光材料和磁光器件 劉湘林.pdf
標(biāo)簽： 磁光材料
上傳時間： 2022-01-10
上傳用戶：
專輯類-器件數(shù)據(jù)手冊專輯-120冊-2.15G 常用光耦合器選用指南-6頁-3.5M.pdf
上傳時間： 2013-08-06
上傳用戶：763274289
有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實驗，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個重要因素，其厚度在1.2μm左右時，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實驗一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮氣保護(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實驗二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實驗一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測試與討論。通過對比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
上傳時間： 2013-07-11
上傳用戶：liuwei6419
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1
