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GaN

氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(directbandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumpedsolid-statelaser)的條件下,產生紫光(405nm)激光。
  • suanfa de shiyan xw dui GaN xingqu de pengyou you bangzhu

    suanfa de shiyan xw dui GaN xingqu de pengyou you bangzhu

    標簽: bangzhu pengyou suanfa shiyan

    上傳時間: 2013-12-08

    上傳用戶:咔樂塢

  • GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC

    GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For about 10 years, GaN devices have also been developed for RF wireless applications where they can replace Silicon transistors in some selected systems. That incursion in the RF field has open the door to the power switching capability in the lower frequency range and thus to the power electronic applications. Compared to Silicon, GaN exhibits largely better figures for most of the key specifications: Electric field, energy gap, electron mobility and melting point. Intrinsically, GaN could offer better performance than Silicon in terms of: breakdown voltage, switching frequency and Overall systems efficiency.

    標簽: GaN-on-Si Displace and SiC Si

    上傳時間: 2020-06-07

    上傳用戶:shancjb

  • 第三代半導體GaN功率開關器件的發展現狀及面臨的挑戰

    作者:何亮,劉揚論文摘要:氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ,非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ,具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術 路 線 ,其 中 結 型 柵 結 構 (p 型 柵 )和 共 源 共 柵 級 聯 結 構 (C asco de)的 常 關 型 器 件 已 經 逐 步 實 現 產 業 化 ,并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領 域 得 到 應 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結 構 存 在 的 缺 點 ,業 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ,仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩 定 性 方 面 的 挑 戰 。

    標簽: 第三代半導體 GaN 功率開關器件

    上傳時間: 2021-12-08

    上傳用戶:XuVshu

  • 硅基GaN功率半導體技術總結

    該文檔為硅基GaN功率半導體技術總結文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………

    標簽: GaN 功率半導體

    上傳時間: 2021-12-17

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  • 基于GaN器件射頻功率放大電路的設計總結

    該文檔為基于GaN器件射頻功率放大電路的設計總結文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………

    標簽: GaN器件 射頻功率放大電路

    上傳時間: 2021-12-23

    上傳用戶:XuVshu

  • 半導體云講堂——寬禁帶半導體(GaN SiC)材料及器件測試

    半導體云講堂——寬禁帶半導體(GaN、SiC)材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術要求樣品為薄膜樣品或塊狀, 范德堡法為更通用的四探針測量技術,對樣品形狀沒有要求, 且不需要測量樣品所有尺寸, 但需滿足以下四個條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質和各向同性的。? 所有四個觸點必須位于樣品的邊緣。

    標簽: 半導體 GaN sic

    上傳時間: 2022-01-03

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  • 硅基GaN功率半導體技術

    該文檔為硅基GaN功率半導體技術講解文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………

    標簽: GaN 功率半導體

    上傳時間: 2022-02-28

    上傳用戶:qingfengchizhu

  • 基于GaN器件射頻功率放大電路的設計

    本文主要是基于氮化鋅(GaN)器件射頻功率放大電路的設計,在s波段頻率范圍內,應用CREE公司的氮化稼(GaN)高電子遷移速率品體管(CGH40010和CGH40045)進行的寬帶功率放大電路設計.主要工作有以下幾個方面:首先,設計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內,對中間級和末級功放晶體管進行穩定性分析并設置其靜態工作點,繼而進行寬帶阻抗匹配電路的設計。本文采用雙分支平衡漸變線拓撲電路結構,使用ADS軟件對其進行仿真優化,設計出滿足指標要求的匹配電路。具體指標如下:通帶寬度為800MHz,在通帶范圍內的增益dB(S(2,1)>)10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2,3dB輸出功率壓縮點分別大于40dBm46dBm,效率大于40%.其次,設計功放偏置電源電路。電路要求是負電壓控制正電壓并帶有過流保護功能,借助Orcad模擬電路仿真軟件,設計出滿足要求的電源電路。最后,分別運用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件,繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板,并通過對硬件電路的調試,最終使得整體電路滿足了設計性能的要求。

    標簽: GaN器件 射頻功率放大電路

    上傳時間: 2022-06-20

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  • GaN基LED材料特性研究及芯片結構設計

    本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后,從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分,介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍,然后根據實驗分析了TEM圖片,包括GaN多量子阱,重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形,分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發光譜和電致發光譜,并解釋其光譜藍移和紅移現象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應用。在芯片結構設計部分,本文提出了三種高效率LED芯片的設計結構,分別是基于雙光子晶體的LED芯片,基于微球模型的LED芯片,基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論,蒙特卡羅理論及激光剝離理論,本文分別介紹和分析了各類理論基礎,并在此基礎上提出新的設計結構,給出仿真分析結果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層,出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結構來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現較好散熱效果和功率。

    標簽: led

    上傳時間: 2022-06-25

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  • EMC封裝材料

    松下2015年最新研究的適用于SiC,GaN等大功率器件的封裝材料介紹

    標簽: 封裝 熱穩定性

    上傳時間: 2016-04-20

    上傳用戶:吉林輝仔

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