LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時(shí)間: 2013-10-29
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間: 2013-11-04
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針對(duì)野戰(zhàn)光纖光路損耗介紹一種精密光功率測(cè)量方法,分析了+,-光電接收元件的+%,(光功率%光電流)特性,并建立了實(shí)際模型&設(shè)計(jì)的裝置測(cè)量范圍為%#)!)./(光功率的相對(duì)衰減值),經(jīng)實(shí)踐檢驗(yàn)具有較好 的精度.
上傳時(shí)間: 2013-11-20
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本文介紹了采用光連續(xù)波反射法(OCWR) 技術(shù)的光回波損耗測(cè)試儀的校準(zhǔn)內(nèi)容和校準(zhǔn)方法。校準(zhǔn)內(nèi)容包括內(nèi)部光源的校準(zhǔn)、光功率計(jì)的校準(zhǔn)、回波損耗校準(zhǔn)件的校準(zhǔn)、回波損耗測(cè)量準(zhǔn)確度的校準(zhǔn)等諸多方面,著重介紹了校準(zhǔn)回波損耗測(cè)量準(zhǔn)確度的校準(zhǔn)方法- 光回波損耗無(wú)源模擬法和有源模擬法,并介紹了無(wú)源模擬法和有源模擬法所使用的標(biāo)準(zhǔn)儀器和計(jì)算公式以及不確定度評(píng)定。經(jīng)對(duì)多臺(tái)光回波損耗測(cè)試儀的校準(zhǔn),表明本校準(zhǔn)方法準(zhǔn)確可行,滿足了客戶的需求。
上傳時(shí)間: 2015-01-03
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潮光內(nèi)部整理資料
上傳時(shí)間: 2013-10-28
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潮光整理資料:過(guò)零雙向可控硅光耦應(yīng)用原理
上傳時(shí)間: 2013-11-10
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開關(guān)電源應(yīng)用光耦應(yīng)用方案
標(biāo)簽: 開關(guān) 光耦 電源應(yīng)用
上傳時(shí)間: 2013-11-03
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TLP265J,TLP266J是東芝新推出的2款4pin SO6封裝的雙向可控硅輸出光耦,它們的耐壓能力能達(dá)到600V,它旨在取代以前采用4pin MFSOP6封裝的TLP260J和TLP261J,因?yàn)镸FSOP6封裝的爬電距離較小,使其的隔離電壓只能達(dá)到BVS=3000 Vrms ,這使得東芝的這系列產(chǎn)品在與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品對(duì)比中處于劣勢(shì),因?yàn)槟壳癝OP封裝的光耦隔離電壓普遍能達(dá)到BVS=3750 Vrms 。而東芝新推出的TLP265J,TLP266J也能達(dá)到這個(gè)隔離能力。
上傳時(shí)間: 2013-10-22
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小封裝四通道交流光耦電路應(yīng)用及功能介紹
上傳時(shí)間: 2015-01-03
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TLP2301是東芝新推出的一款SOP封裝晶體管輸出光耦合器,相比傳統(tǒng)的晶體管輸出光耦TLP2301在晶片上進(jìn)行了改善,可以在低至1mA的輸入電流下進(jìn)行驅(qū)動(dòng),同時(shí)保證了20k的傳輸速率,并且有非常廣的工作溫度:-55至125°C。TLP2303則采用達(dá)靈頓輸出。
標(biāo)簽: 2301 TLP 關(guān)斷時(shí)間 光耦
上傳時(shí)間: 2013-11-08
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