LM3S系列微控制器I2C應用文檔基于LM5749的I2C從機功能，模擬24C02傳輸協議操作。
上傳時間： 2013-11-23
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LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應用 在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統，該存儲器系統可用作代碼和數據的存儲。它在整個存儲器中所處的位置在最起始的位置，一般其起始地址從零開始。
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：aix008
LM3S系列微控制器中斷優先級應用筆記 正常的程序被暫時中止，處理器便進入異常。所有異常可以通過NVIC（嵌套向量中斷控制器）進行控制，通過NVIC 可以設置各個異常的優先等級并對異常進行處理。異常可分為系統異常和外部中斷，它們通過不同的寄存器組進行控制（包括優先級的設置）
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：我叫李小進
NEC78K0/KF1用戶手冊 8位單片微控制器 本手冊適用于那些希望了解78K0/KF1產品功能，并設計開發相關應用系統和程序的用戶。主要產品如下。78K0/KF1： μPD780143，780144，780146，780148，78F0148，780143(A)，780144(A)，780146(A)，780148(A)，78F0148(A)，780143(A1)，780144(A1)，780146(A1)，780148(A1)，78F0148(A1)，780143(A2)，780144(A2)，780146(A2)和780148(A2)
上傳時間： 2014-12-27
上傳用戶：魚哥哥你好
利用LPC微控制器進行低成本的模/數轉換 AN10187 datasheet 要想利用數字計算機來處理連續變化的數據，就必須將模擬值轉換成數字量。模/數轉換器（ADC）根據不同的原理工作，其性能、效果和成本都會發生變化。某些微控制器具有能夠提供10位及更高分辨率的集成ADC，但所需的芯片面積和為了保證要求精度而進行的全面試驗增加了此類裝置的成本。
上傳時間： 2013-12-26
上傳用戶：清山綠水
LPC1700系列ARM是基于第二代ARM Cortex-M3內核的微控制器，是為嵌入式系統應用而設計的高性能、低功耗的32位微處理器，適用于儀器儀表、工業通訊、電機控制、燈光控制、報警系統等領域。其操作頻率高達100MHz，采用3級流水線和哈佛結構，帶獨立的本地指令和數據總線以及用于外設的低性能的第三條總線，使得代碼執行速度高達1.25MIPS/MHz，并包含1個支持隨機跳轉的內部預取指單元。
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：wyc199288
LPC1311/13/42/43是基于第二代ARM Cortex-M3內核的微控制器，其系統性能大大提高，增強了調試特性，令所支持模塊的集成級別更高，其最大亮點在于具有極高的代碼集成度和極低的功耗。
上傳時間： 2014-12-27
上傳用戶：chfanjiang
HCS12微控制器MC9S12DP256 第一步： 1) HCS12 技術概述2) Operating Modes工作模式3) Resource Mapping資源映射4) External Bus Interface外部總線接口5) Port Integration Module端口集成模塊6) Background Debug Mode背景調試模塊
上傳時間： 2013-12-20
上傳用戶：源碼3
Luminary Micro在Stellaris系列微控制器的部分產品中提供了模數轉換器（ADC）模塊。ADC的硬件分辨率為10位，但由于噪音和其它使精度變小的因素的影響，實際的精度小于10位。本應用文檔提供了一個基于軟件的過采樣技術，從而使轉換結果的有效位數（ENOB）得到了改善。文檔中描述了對輸入信號執行過采樣的方法，以及在精度和整個系統性能上的影響。
上傳時間： 2014-05-07
上傳用戶：drink！
家電制造業的競爭日益激烈，市場調整壓力越來越大，原始設備制造商們（OEM）為了面對這一挑戰，必須在滿足電磁兼容性的條件下，不斷降低產品的成本。由于強調成本控制，為防止由電源和信號線的瞬變所產生的電器故障而實施必要的瞬態免疫保護，對于家電設計者來說變得更具挑戰性。由于傳統的電源設計和電磁干擾（EMI）控制措施為節約成本讓路，家電設計者必須開發出新的技術來滿足不斷調整的電磁兼容（EMC）需求。本應用筆記探討了瞬態電氣干擾對嵌入式微控制器（MCU）的影響，并提供了切實可行的硬件和軟件設計技術，這些技術可以為電快速瞬變（EFT）、靜電放電（ESD）以及其它電源線或信號線的短時瞬變提供低成本的保護措施。雖然這種探討是主要針對家電制造商，但是也適用于消費電子、工業以及汽車電子方面的應用。 低成本的基于MCU 的嵌入式應用特別容易受到ESD 和EFT 影響降低性能。即使是運行在較低時鐘頻率下的微控制器，通常對快速上升時間瞬變也很敏感。這種敏感性歸咎于所使用的工藝技術。如今針對低成本8/16位的MCU的半導體工藝技術所實現的晶體管柵極長度在0.65 μm～0.25 μm范圍內。此范圍內的柵極長度能產生和響應上升時間在次納秒范圍內（或超過300 MHz 的等同帶寬）的信號。因此， MCU 能夠響應進入其引腳的ESD 或EFT 信號。除上述工藝技術之外， MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能還會受到IC 設計及其封裝、印刷電路板（PCB）的設計、MCU 上運行的軟件、系統設計以及ESD 或EFT 波形特征的影響。各因素的相對影響（強調對最大影響的貢獻）如圖1 所示。
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：Jerry_Chow
