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pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經驗

PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

標簽： layout design pcb 硬件工程師

上傳時間： 2013-10-22

上傳用戶：pei5
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
如何對STM8S的閃存存儲器和數(shù)據(jù)EEPROM編程

如何對STM8S的閃存存儲器和數(shù)據(jù)EEPROM編程

標簽： EEPROM STM8S 閃存存儲器

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：jennyzai
HT45F23 OPA 功能

HT45F23 MCU 含有兩個運算放大器，OPA1 和OPA2，可用於用戶特定的模擬信號處理，通過控制暫存器，OPA 相關的應用可以很容易實現(xiàn)。本文主要介紹OPA 的操作，暫存器設定以及基本OPA 應用，例如：同相放大器、反相放大器和電壓跟隨器。 HT45F23 運算放大器OPA1/OPA2 具有多個開關，輸入路徑可選以及多種參考電壓選擇，此外OPA2 內部有8 種增益選項，直接通過軟體設定。適應於各種廣泛的應用。

標簽： 45F F23 OPA HT

上傳時間： 2013-11-21

上傳用戶：immanuel2006
采用納瓦技術的8/14引腳閃存8位CMOS單片機 PIC12

采用納瓦技術的8/14引腳閃存8位CMOS單片機 PIC12F635/PIC16F636/639數(shù)據(jù)手冊目錄1.0 器件概述 2.0 存儲器構成3.0 時鐘源4.0 I/O 端口 5.0 Timer0 模塊6.0 具備門控功能的Timer1 模塊 7.0 比較器模塊8.0 可編程低壓檢測（PLVD）模塊9.0 數(shù)據(jù)EEPROM 存儲器10.0 KeeLoq® 兼容加密模塊 11.0 模擬前端（AFE）功能說明（僅限PIC16F639）12.0 CPU 的特殊功能13.0 指令集概述14.0 開發(fā)支持15.0 電氣特性16.0 DC 和AC 特性圖表17.0 封裝信息Microchip 網站變更通知客戶服務客戶支持讀者反饋表附錄A：數(shù)據(jù)手冊版本歷史產品標識體系全球銷售及服務網點

標簽： CMOS PIC 14 12

上傳時間： 2013-11-17

上傳用戶：qlpqlq
6引腳8位閃存單片機 PIC10F200/202/204/2

6引腳8位閃存單片機 PIC10F200/202/204/206數(shù)據(jù)手冊目錄1.0 器件概述2.0 PIC10F200/202/204/206 器件種類3.0 架構概述4.0 存儲器構成5.0 I/O 端口6.0 Timer0 模塊和TMR0 寄存器（PIC10F200/202）7.0 Timer0 模塊和TMR0 寄存器（PIC10F204/206）8.0 比較器模塊9.0 CPU 的特性10.0 指令集匯總11.0 開發(fā)支持 12.0 電氣規(guī)范 13.0 DC 及AC 特性圖表14.0 封裝信息索引客戶支持變更通知客戶服務讀者反饋表產品標識體系

標簽： 200 202 204 PIC

上傳時間： 2013-10-09

上傳用戶：chenhr
NEC閃光胸牌及閃存編程器原理及設計

NEC閃光胸牌電路板的構成電路板是由單片機應用電路部分和閃存編程器兩部分構成的。■單片機應用電路部分單片機應用電路部分主要是由電池（1220），開關和NEC 78K0/KB2(uPD78F0500)8位閃存單片機構成。把程序寫入單片機內置的閃存存儲器，就可以進行各種控制了。■閃存編程器部分閃存編程器是把PC里的程序寫入單片機的閃存存儲器的裝置。您得到的電路板上的閃存編程器部分只有配線沒有零部件，要寫入程序必須購置零部件后焊接，您只要花費很少的經費和精力即可完成。關于閃存編程器的制作方法下面會做詳細說明。

標簽： NEC 閃存編程器

上傳時間： 2013-10-31

上傳用戶：frank1234
基于閃存的大容量存儲陣列

文中研究并實現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲系統(tǒng),成果為實際研制應用于星的基于閃存的大容量存儲器奠定了基礎,具體較好的指導和借鑒意義。

標簽： 閃存大容量存儲陣列

上傳時間： 2014-10-15

上傳用戶：guanliya
STM32F10xxx閃存編程參考手冊

STM32F10xxx閃存編程參考手冊

標簽： STM 32F F10 xxx

上傳時間： 2013-11-06

上傳用戶：zhaoke2005
嵌入式系統(tǒng)中基于閃存平臺的存儲管理策略

開發(fā)了一個基于閃存平臺的嵌入式文件系統(tǒng)。為保證閃存扇區(qū)的平均使用率和均衡擦寫次數(shù)，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動態(tài)存儲空間管理模式和先入先出（FIFO）策略。所采用的冗余設計、快速計算和跟蹤策略還可以延長核心扇區(qū)使用壽命，保證系統(tǒng)啟動可靠的服務。

標簽： 嵌入式系統(tǒng) 存儲管理閃存策略

上傳時間： 2014-12-30

上傳用戶：lingzhichao