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內(nèi)核微控制器

  • LM3S系列微控制器I2C應(yīng)用文檔

    LM3S系列微控制器I2C應(yīng)用文檔基于LM5749的I2C從機(jī)功能,模擬24C02傳輸協(xié)議操作。

    標(biāo)簽: LM3S I2C 微控制器 文檔

    上傳時(shí)間: 2013-11-23

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  • LM3S 系列微控制器Flash 存儲(chǔ)器應(yīng)用

    LM3S 系列微控制器Flash 存儲(chǔ)器應(yīng)用 在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲(chǔ)器系統(tǒng),該存儲(chǔ)器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。它在整個(gè)存儲(chǔ)器中所處的位置在最起始的位置,一般其起始地址從零開始。

    標(biāo)簽: Flash LM3S 微控制器 存儲(chǔ)器

    上傳時(shí)間: 2013-10-09

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  • LM3S系列微控制器中斷優(yōu)先級(jí)應(yīng)用筆記

    LM3S系列微控制器中斷優(yōu)先級(jí)應(yīng)用筆記 正常的程序被暫時(shí)中止,處理器便進(jìn)入異常。所有異常可以通過(guò)NVIC(嵌套向量中斷控制器)進(jìn)行控制,通過(guò)NVIC 可以設(shè)置各個(gè)異常的優(yōu)先等級(jí)并對(duì)異常進(jìn)行處理。異常可分為系統(tǒng)異常和外部中斷,它們通過(guò)不同的寄存器組進(jìn)行控制(包括優(yōu)先級(jí)的設(shè)置)

    標(biāo)簽: LM3S 微控制器 中斷優(yōu)先級(jí) 應(yīng)用筆記

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

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  • NEC78K0/KF1用戶手冊(cè) 8位單片微控制器

    NEC78K0/KF1用戶手冊(cè) 8位單片微控制器 本手冊(cè)適用于那些希望了解78K0/KF1產(chǎn)品功能,并設(shè)計(jì)開發(fā)相關(guān)應(yīng)用系統(tǒng)和程序的用戶。主要產(chǎn)品如下。78K0/KF1: μPD780143,780144,780146,780148,78F0148,780143(A),780144(A),780146(A),780148(A),78F0148(A),780143(A1),780144(A1),780146(A1),780148(A1),78F0148(A1),780143(A2),780144(A2),780146(A2)和780148(A2)

    標(biāo)簽: NEC 78 KF 8位

    上傳時(shí)間: 2014-12-27

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  • 利用LPC微控制器進(jìn)行低成本的模/數(shù)轉(zhuǎn)換 AN10187

    利用LPC微控制器進(jìn)行低成本的模/數(shù)轉(zhuǎn)換  AN10187 datasheet 要想利用數(shù)字計(jì)算機(jī)來(lái)處理連續(xù)變化的數(shù)據(jù),就必須將模擬值轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)根據(jù)不同的原理工作,其性能、效果和成本都會(huì)發(fā)生變化。某些微控制器具有能夠提供10位及更高分辨率的集成ADC,但所需的芯片面積和為了保證要求精度而進(jìn)行的全面試驗(yàn)增加了此類裝置的成本。

    標(biāo)簽: 10187 LPC AN 微控制器

    上傳時(shí)間: 2013-12-26

    上傳用戶:清山綠水

  • NXP Cortex-M3 LPC1700系列微控制器簡(jiǎn)介

    LPC1700系列ARM是基于第二代ARM Cortex-M3內(nèi)核的微控制器,是為嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的高性能、低功耗的32位微處理器,適用于儀器儀表、工業(yè)通訊、電機(jī)控制、燈光控制、報(bào)警系統(tǒng)等領(lǐng)域。其操作頻率高達(dá)100MHz,采用3級(jí)流水線和哈佛結(jié)構(gòu),帶獨(dú)立的本地指令和數(shù)據(jù)總線以及用于外設(shè)的低性能的第三條總線,使得代碼執(zhí)行速度高達(dá)1.25MIPS/MHz,并包含1個(gè)支持隨機(jī)跳轉(zhuǎn)的內(nèi)部預(yù)取指單元。

    標(biāo)簽: Cortex-M 1700 NXP LPC

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

    上傳用戶:wyc199288

  • LPC13XX系列微控制器USB使用指南

    LPC1311/13/42/43是基于第二代ARM Cortex-M3內(nèi)核的微控制器,其系統(tǒng)性能大大提高,增強(qiáng)了調(diào)試特性,令所支持模塊的集成級(jí)別更高,其最大亮點(diǎn)在于具有極高的代碼集成度和極低的功耗。

    標(biāo)簽: LPC USB 13 XX

    上傳時(shí)間: 2014-12-27

    上傳用戶:chfanjiang

  • HCS12微控制器MC9S12DP256使用指南 ppt

    HCS12微控制器MC9S12DP256 第一步: 1) HCS12 技術(shù)概述2) Operating Modes工作模式3) Resource  Mapping資源映射4) External Bus Interface外部總線接口5) Port Integration Module端口集成模塊6) Background Debug Mode背景調(diào)試模塊

    標(biāo)簽: 12 HCS 256 MC9

    上傳時(shí)間: 2013-12-20

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  • Stellaris系列微控制器的ADC過(guò)采樣技術(shù)

    Luminary Micro在Stellaris系列微控制器的部分產(chǎn)品中提供了模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)模塊。ADC的硬件分辨率為10位,但由于噪音和其它使精度變小的因素的影響,實(shí)際的精度小于10位。本應(yīng)用文檔提供了一個(gè)基于軟件的過(guò)采樣技術(shù),從而使轉(zhuǎn)換結(jié)果的有效位數(shù)(ENOB)得到了改善。文檔中描述了對(duì)輸入信號(hào)執(zhí)行過(guò)采樣的方法,以及在精度和整個(gè)系統(tǒng)性能上的影響。

    標(biāo)簽: Stellaris ADC 微控制器 過(guò)采樣

    上傳時(shí)間: 2014-05-07

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  • 改善基于微控制器的應(yīng)用的瞬態(tài)免疫性能

    家電制造業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈,市場(chǎng)調(diào)整壓力越來(lái)越大,原始設(shè)備制造商們(OEM)為了面對(duì)這一挑戰(zhàn),必須在滿足電磁兼容性的條件下,不斷降低產(chǎn)品的成本。由于強(qiáng)調(diào)成本控制,為防止由電源和信號(hào)線的瞬變所產(chǎn)生的電器故障而實(shí)施必要的瞬態(tài)免疫保護(hù),對(duì)于家電設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)變得更具挑戰(zhàn)性。由于傳統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)和電磁干擾(EMI)控制措施為節(jié)約成本讓路,家電設(shè)計(jì)者必須開發(fā)出新的技術(shù)來(lái)滿足不斷調(diào)整的電磁兼容(EMC)需求。本應(yīng)用筆記探討了瞬態(tài)電氣干擾對(duì)嵌入式微控制器(MCU)的影響,并提供了切實(shí)可行的硬件和軟件設(shè)計(jì)技術(shù),這些技術(shù)可以為電快速瞬變(EFT)、靜電放電(ESD)以及其它電源線或信號(hào)線的短時(shí)瞬變提供低成本的保護(hù)措施。雖然這種探討是主要針對(duì)家電制造商,但是也適用于消費(fèi)電子、工業(yè)以及汽車電子方面的應(yīng)用。 低成本的基于MCU 的嵌入式應(yīng)用特別容易受到ESD 和EFT 影響降低性能。即使是運(yùn)行在較低時(shí)鐘頻率下的微控制器,通常對(duì)快速上升時(shí)間瞬變也很敏感。這種敏感性歸咎于所使用的工藝技術(shù)。如今針對(duì)低成本8/16位的MCU的半導(dǎo)體工藝技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的晶體管柵極長(zhǎng)度在0.65 μm~0.25 μm范圍內(nèi)。此范圍內(nèi)的柵極長(zhǎng)度能產(chǎn)生和響應(yīng)上升時(shí)間在次納秒范圍內(nèi)(或超過(guò)300 MHz 的等同帶寬)的信號(hào)。因此, MCU 能夠響應(yīng)進(jìn)入其引腳的ESD 或EFT 信號(hào)。除上述工藝技術(shù)之外, MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能還會(huì)受到IC 設(shè)計(jì)及其封裝、印刷電路板(PCB)的設(shè)計(jì)、MCU 上運(yùn)行的軟件、系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及ESD 或EFT 波形特征的影響。各因素的相對(duì)影響(強(qiáng)調(diào)對(duì)最大影響的貢獻(xiàn))如圖1 所示。

    標(biāo)簽: 微控制器 瞬態(tài)免疫 性能

    上傳時(shí)間: 2013-11-09

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