大整數(shù)計(jì)算，包含個(gè)有關(guān)于大整數(shù)的各種計(jì)算方法的C語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)
標(biāo)簽： 整數(shù) 計(jì)算
上傳時(shí)間： 2017-03-21
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下面又是翻譯： 韓國(guó)人 Silhwan Hyun 改寫。 TMagnetic Class 是一個(gè) Delphi 版本的"cMagneticWnd" 類， Visual Basic "cMagneticWnd" 為 Emil Weiss 所寫. TMagnetic Class 讓應(yīng)用程序的每個(gè)窗體有磁性的相互粘在一起, 并可以一起拖動(dòng)。 當(dāng)子窗體改變尺寸大小時(shí)可以象 Winamp 的窗體一樣控制對(duì)齊效果.
標(biāo)簽： cMagneticWnd TMagnetic Silhwan Delphi
上傳時(shí)間： 2013-12-28
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完整的敘述如何開發(fā)即時(shí)中文辨識(shí)軟體，此為大學(xué)專題報(bào)告
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上傳時(shí)間： 2017-06-16
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國(guó)外最新出版的慣性導(dǎo)航系統(tǒng)專著，全英文版，對(duì)全面了解慣性知識(shí)有很大的幫助，能提升讀者的理論水平。
標(biāo)簽： 慣性導(dǎo)航
上傳時(shí)間： 2014-09-06
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藍(lán)牙是一種支持設(shè)備短距離通信(一般是10 m之內(nèi))的無(wú)線電技術(shù)，能在包括移動(dòng)電話、PDA、無(wú)線耳機(jī)、筆記本電腦等眾多設(shè)備之間進(jìn)行無(wú)線信息交換，工作頻段是工業(yè)、科研、醫(yī)療(2.4～2.483 GHz)全球通信自由頻段，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用在移動(dòng)通信設(shè)備中。天線是藍(lán)牙無(wú)線系統(tǒng)中用來(lái)傳送電磁波的重要器件，目前尚無(wú)法整合到半導(dǎo)體芯片中。在藍(lán)牙產(chǎn)品中，藍(lán)牙天線的尺寸和性能決定了整個(gè)藍(lán)牙模塊的尺寸和性能。隨著移動(dòng)通信的發(fā)展，個(gè)人移動(dòng)設(shè)備趨于小型化和輕薄化，為了適應(yīng)這一發(fā)展，藍(lán)牙天線的尺寸有了嚴(yán)格的要求。單極子天線尺寸過(guò)大，不適應(yīng)于移動(dòng)通信設(shè)備中。傳統(tǒng)的PIFA天線雖然將尺寸減小了一半，但相對(duì)快速小型化的移動(dòng)通信產(chǎn)品而言還是尺寸過(guò)大。
標(biāo)簽： 折疊 PIFA 天線 藍(lán)牙
上傳時(shí)間： 2015-04-09
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探討電容可以使用的壽命，以便cost down
標(biāo)簽： 電容元件
上傳時(shí)間： 2015-06-28
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阿達(dá)的撒收到愛迪生阿達(dá)阿達(dá)從大處說(shuō)是攝氏度的所得稅是多少收到 的撒的
標(biāo)簽： mid_four
上傳時(shí)間： 2015-10-09
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《駕馭大數(shù)據(jù)-如何實(shí)現(xiàn)大數(shù)據(jù)的應(yīng)用性》講述了關(guān)于大數(shù)據(jù)的只是及相關(guān)應(yīng)用
標(biāo)簽： 大數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間： 2016-06-18
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LM2576驅(qū)動(dòng)方案最大3A，電源驅(qū)動(dòng)方案，最大3A，測(cè)試通過(guò)
標(biāo)簽： LM2576驅(qū)動(dòng)方案最大3A
上傳時(shí)間： 2016-08-22
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作者：何亮，劉揚(yáng)論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場(chǎng)前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ，其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級(jí) 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實(shí) 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點(diǎn) ，業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實(shí)用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。
標(biāo)簽： 第三代半導(dǎo)體 GaN 功率開關(guān)器件
上傳時(shí)間： 2021-12-08
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