共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應，在放大器領域有很多的應用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應用于任意電流密度。根據飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關系,并設計一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。
標簽： CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路
上傳時間： 2013-10-08
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本文針對傳統儀用放大電路的特點，介紹了一種高共模抑制比儀用放大電路，引入共模負反饋，大大提高了通用儀表放大器的共模抑制能力。
標簽： 共模抑制比 儀用放大 電路 方案
上傳時間： 2013-11-10
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2SJ系列場效應管參數大全:
標簽： 2SJ 場效應管 參數大全
上傳時間： 2013-11-24
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共發射單級放大電路 1.掌握其放大電路的工作原理 ; 2.掌握靜態工作點的設置及其對電路參數的影響。
標簽： 發射 放大電路 實驗
上傳時間： 2013-10-24
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共集電極放大電路 共基極放大電路 放大電路三種組態的比較
標簽： 放大電路 共集電極 共基
上傳時間： 2014-12-23
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運用PROTEL DXP 2004設計的項目“單管放大”視頻教學，完整展現了從原理圖到PCB的過程
標簽： PCB 單管放大 原理圖
上傳時間： 2013-11-25
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創建PCB元件管腳封裝
標簽： PCB 元件 管腳 封裝
上傳時間： 2014-12-24
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共模干擾和差模干擾是電子、 電氣產品上重要的干擾之一，它們 可以對周圍產品的穩定性產生嚴重 的影響。在對某些電子、電氣產品 進行電磁兼容性設計和測試的過程 中，由于對各種電磁干擾采取的抑 制措施不當而造成產品在進行電磁 兼容檢測時部分測試項目超標或通 不過EMC 測試，從而造成了大量人 力、財力的浪費。為了掌握電磁干 擾抑制技術的一些特點，正確理解 一些概念是十分必要的。共模干擾 和差模干擾的概念就是這樣一種重 要概念。正確理解和區分共模和差 模干擾對于電子、電氣產品在設計 過程中采取相應的抗干擾技術十分 重要，也有利于提高產品的電磁兼 容性。
標簽： 共模干擾 差模 分 干擾
上傳時間： 2014-01-16
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結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
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帶數碼管顯示的 移動電源原理圖
標簽： 移動電源 原理圖 數碼管
上傳時間： 2013-10-21
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