共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應，在放大器領域有很多的應用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關系,并設計一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。
標簽： CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：debuchangshi
本文針對傳統(tǒng)儀用放大電路的特點，介紹了一種高共模抑制比儀用放大電路，引入共模負反饋，大大提高了通用儀表放大器的共模抑制能力。
標簽： 共模抑制比 儀用放大 電路 方案
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：lingfei
2SJ系列場效應管參數(shù)大全:
標簽： 2SJ 場效應管 參數(shù)大全
上傳時間： 2013-11-24
上傳用戶：wlcaption
共發(fā)射單級放大電路 1.掌握其放大電路的工作原理 ; 2.掌握靜態(tài)工作點的設置及其對電路參數(shù)的影響。
標簽： 發(fā)射 放大電路 實驗
上傳時間： 2013-10-24
上傳用戶：破曉sunshine
共集電極放大電路 共基極放大電路 放大電路三種組態(tài)的比較
標簽： 放大電路 共集電極 共基
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：JIEWENYU
運用PROTEL DXP 2004設計的項目“單管放大”視頻教學，完整展現(xiàn)了從原理圖到PCB的過程
標簽： PCB 單管放大 原理圖
上傳時間： 2013-11-25
上傳用戶：龍飛艇
創(chuàng)建PCB元件管腳封裝
標簽： PCB 元件 管腳 封裝
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：chenjjer
共模干擾和差模干擾是電子、 電氣產(chǎn)品上重要的干擾之一，它們 可以對周圍產(chǎn)品的穩(wěn)定性產(chǎn)生嚴重 的影響。在對某些電子、電氣產(chǎn)品 進行電磁兼容性設計和測試的過程 中，由于對各種電磁干擾采取的抑 制措施不當而造成產(chǎn)品在進行電磁 兼容檢測時部分測試項目超標或通 不過EMC 測試，從而造成了大量人 力、財力的浪費。為了掌握電磁干 擾抑制技術的一些特點，正確理解 一些概念是十分必要的。共模干擾 和差模干擾的概念就是這樣一種重 要概念。正確理解和區(qū)分共模和差 模干擾對于電子、電氣產(chǎn)品在設計 過程中采取相應的抗干擾技術十分 重要，也有利于提高產(chǎn)品的電磁兼 容性。
標簽： 共模干擾 差模 分 干擾
上傳時間： 2014-01-16
上傳用戶：tdyoung
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
帶數(shù)碼管顯示的 移動電源原理圖
標簽： 移動電源 原理圖 數(shù)碼管
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：拔絲土豆
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1
