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切比雪夫

基于單片機的電流比任意可調并聯電源設計與實現

開關電源并聯系統中往往存在兩個并聯電源性能參數不同甚至差異較大的情況，因此不能采用傳統的并聯均流方案來平均分攤電流，這就需要按各個電源模塊的輸出能力分擔輸出功率?；谶@種靈活性的需要，本設計在采用主從設置法設計并聯均流開關電源的基礎上新增加了單片機控制模塊，實現了分流比可任意調節、各模塊電流可實時監控的半智能化并聯開關電源系統。實測結果表明，該并聯開關電源系統分流比設置誤差小于0.5%，具有總過流和單路過流保護功能。

標簽： 單片機電流并聯電源設計

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：guojin_0704
光伏電池的自適應占空比擾動MPPT算法研究

環境溫度、光照強度和負載等因素對光伏電池的輸出特性影響很大，為了提高光伏電池的工作效率，需要準確快速地跟蹤光伏電池的最大功率點。在分析了光伏電池的輸出特性的基礎上，建立了光伏電池的仿真模型；針對傳統爬山法的不足，采用了自適應占空比擾動法對最大功率點進行了跟蹤控制。給出了上述兩種算法的工作原理及設計過程。仿真結果表明：自適應占空比擾動算法跟蹤迅速，減少了系統在最大功率點附近的振蕩現象，提高了系統的跟蹤速度和精度。

標簽： MPPT 光伏電池算法研究

上傳時間： 2013-12-04

上傳用戶：bakdesec
一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準電壓源設計

介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個電路功耗僅僅只有30 μA?？梢院芎玫貞迷诘凸母唠娫匆种票鹊腖DO芯片設計中。

標簽： CMOS 高電源抑制帶隙基準電壓源

上傳時間： 2013-10-27

上傳用戶：thesk123
基于占空比模糊控制的光伏發電系統MPPT技術

為了有效地利用太陽能，有必要對光伏發電系統進行最大功率點跟蹤（MPPT）控制研究。文中以兩級式光伏并網發電系統為研究對象，建立了任意外界環境下的光伏陣列數學模型。由于光伏陣列的非線性輸出特性，將模糊控制思想引入最大功率點跟蹤，提出占空比模糊控制的擾動觀察法的MPPT控制策略，并通過計算機進行仿真驗證。與傳統的占空比擾動觀察法相比較，該方法能夠更加快速、準確地跟蹤上太陽能電池的最大功率點。

標簽： MPPT 模糊控制光伏發電系統

上傳時間： 2014-01-07

上傳用戶：ls530720646
高電源抑制比帶隙基準電路設計

介紹一種高電源抑制比帶隙基準電路的設計與驗證

標簽： 高電源抑制帶隙基準電路設計

上傳時間： 2013-10-08

上傳用戶：642778338
一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準電壓源

基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。

標簽： CMOS 高電源抑制工藝基準電壓源

上傳時間： 2014-12-03

上傳用戶：88mao
開關電源占空比學習實例及全圖

開關電源占空比學習實例及全圖

標簽： 開關電源

上傳時間： 2013-10-08

上傳用戶：wtrl
多用等離子切焊機中的軟開關主電路

根據多用等鴦子切焊機的開關電源變壓器漏盛大的特點，采用全橋移相電路，并在其兩臂之間串聯D—L—R電路，實現摹電匾切換。

標簽： 多用切焊機主電路等離子

上傳時間： 2013-10-24

上傳用戶：432234
一種高電源抑制比帶隙基準電壓源的設計

摘要：采用共源共柵運算放大器作為驅動，設計了一種高電源抑制比和低溫度系數的帶隙基準電壓源電路，并在TSMC0.18Um CMOS工藝下，采用HSPICE進行了仿真.仿真結果表明：在-25耀115益溫度范圍內電路的溫漂系數為9.69伊10-6/益，電源抑制比達到-100dB，電源電壓在2.5耀4.5V之間時輸出電壓Vref的擺動為0.2mV，是一種有效的基準電壓實現方法.關鍵詞：帶隙基準電壓源；電源抑制比；溫度系數

標簽： 高電源抑制帶隙基準電壓源

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：王成林。
分比功率架構和V•I晶片靈活、優越的功率系統方案

當今電子系統如高端處理器及記憶體，對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應用。同時、對負載的反應速度也要提高。因此功率系統工程師要面對的挑戰，是要設計出符合系統要求的細小、價廉但高效率的電源系統。而這些要求都不是傳統功率架構能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉換方案，應付以上提及的各項挑戰。這些功率元件稱為V•I晶片。

標簽： 8226 分功率架構功率

上傳時間： 2013-11-15

上傳用戶：yan2267246