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一種高電源抑制比帶隙基準電壓源的設計

資 源 簡 介

摘要:采用共源共柵運算放大器作為驅(qū)動,設計了一種高電源抑制比和低溫度系數(shù)的帶隙基準電壓源電路,并在TSMC0.18Um CMOS工藝下,采用HSPICE進行了仿真.仿真結果表明:在-25耀115益溫度范圍內(nèi)電路的溫漂系數(shù)為9.69伊10-6/益,電源抑制比達到-100dB,電源電壓在2.5耀4.5V之間時輸出電壓Vref的擺動為0.2mV,是一種有效的基準電壓實現(xiàn)方法.
關鍵詞:帶隙基準電壓源;電源抑制比;溫度系數(shù)

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