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判別巖性

  • PCB的可制造性與可測試性

    PCB的可制造性與可測試性,很詳細(xì)的pcb學(xué)習(xí)資料。

    標(biāo)簽: PCB 可制造性 測試

    上傳時(shí)間: 2014-06-22

    上傳用戶:熊少鋒

  • 撓性印制板拐角防撕裂結(jié)構(gòu)信號傳輸性能分析

    撓性印制板很容易在大應(yīng)力的作用下造成開裂或斷裂,在設(shè)計(jì)時(shí)常在拐角處采用抗撕裂結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以更好地改善FPC的抗撕裂的性能。

    標(biāo)簽: 撓性印制 信號傳輸 性能分析

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:crazyer

  • 通孔插裝PCB的可制造性設(shè)計(jì)

    對于電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)師尤其是線路板設(shè)計(jì)人員來說,產(chǎn)品的可制造性設(shè)計(jì)(Design For Manufacture,簡稱DFM)是一個(gè)必須要考慮的因素,如果線路板設(shè)計(jì)不符合可制造性設(shè)計(jì)要求,將大大降低產(chǎn)品的生產(chǎn)效率,嚴(yán)重的情況下甚至?xí)?dǎo)致所設(shè)計(jì)的產(chǎn)品根本無法制造出來。目前通孔插裝技術(shù)(Through Hole Technology,簡稱THT)仍然在使用,DFM在提高通孔插裝制造的效率和可靠性方面可以起到很大作用,DFM方法能有助于通孔插裝制造商降低缺陷并保持競爭力。本文介紹一些和通孔插裝有關(guān)的DFM方法,這些原則從本質(zhì)上來講具有普遍性,但不一定在任何情況下都適用,不過,對于與通孔插裝技術(shù)打交道的PCB設(shè)計(jì)人員和工程師來說相信還是有一定的幫助。1、排版與布局在設(shè)計(jì)階段排版得當(dāng)可避免很多制造過程中的麻煩。(1)用大的板子可以節(jié)約材料,但由于翹曲和重量原因,在生產(chǎn)中運(yùn)輸會比較困難,它需要用特殊的夾具進(jìn)行固定,因此應(yīng)盡量避免使用大于23cm×30cm的板面。最好是將所有板子的尺寸控制在兩三種之內(nèi),這樣有助于在產(chǎn)品更換時(shí)縮短調(diào)整導(dǎo)軌、重新擺放條形碼閱讀器位置等所導(dǎo)致的停機(jī)時(shí)間,而且板面尺寸種類少還可以減少波峰焊溫度曲線的數(shù)量。(2)在一個(gè)板子里包含不同種拼板是一個(gè)不錯(cuò)的設(shè)計(jì)方法,但只有那些最終做到一個(gè)產(chǎn)品里并具有相同生產(chǎn)工藝要求的板才能這樣設(shè)計(jì)。(3)在板子的周圍應(yīng)提供一些邊框,尤其在板邊緣有元件時(shí),大多數(shù)自動裝配設(shè)備要求板邊至少要預(yù)留5mm的區(qū)域。(4)盡量在板子的頂面(元件面)進(jìn)行布線,線路板底面(焊接面)容易受到損壞。不要在靠近板子邊緣的地方布線,因?yàn)樯a(chǎn)過程中都是通過板邊進(jìn)行抓持,邊上的線路會被波峰焊設(shè)備的卡爪或邊框傳送器損壞。(5)對于具有較多引腳數(shù)的器件(如接線座或扁平電纜),應(yīng)使用橢圓形焊盤而不是圓形,以防止波峰焊時(shí)出現(xiàn)錫橋(圖1)。

    標(biāo)簽: PCB 通孔插裝 可制造性

    上傳時(shí)間: 2013-11-07

    上傳用戶:refent

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 小電流接地系統(tǒng)單相接地選線裝置設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    針對小電流接地故障診斷難的問題,設(shè)計(jì)了一個(gè)基于零序電流、零序電壓的實(shí)時(shí)檢測系統(tǒng),對供電系統(tǒng)進(jìn)行檢測并對故障線路進(jìn)行選線。采用了多任務(wù)、可移植、可裁剪的嵌入式操作系統(tǒng)μC/OS-II。為防止中性點(diǎn)帶補(bǔ)償系統(tǒng)對于故障線路的過補(bǔ)償影響,系統(tǒng)還加入了補(bǔ)償零序?qū)Ъ{判據(jù)對這種接地情況下的故障進(jìn)行檢測。選線系統(tǒng)采用零序電壓觸發(fā)方式,既提高了實(shí)時(shí)性,也增大了選線的準(zhǔn)確性。

    標(biāo)簽: 小電流 單相接地 接地系統(tǒng) 選線裝置

    上傳時(shí)間: 2014-01-18

    上傳用戶:海陸空653

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 關(guān)鍵電源系統(tǒng)可見性及管理

    Active Power提供各種系統(tǒng)可見性和管理工具,使您能更好了解有關(guān)電源的各種事件并最終提高電源系統(tǒng)的可靠性。從將基本數(shù)據(jù)集成 Active Power獨(dú)有的CleanSource View(CSView)監(jiān)控軟件,到全托管式遠(yuǎn)程監(jiān)控服務(wù) – 我們都可為您提供相應(yīng)管理關(guān)鍵電源基礎(chǔ)架構(gòu)所需的系統(tǒng)可見性和服務(wù)。

    標(biāo)簽: 關(guān)鍵電源

    上傳時(shí)間: 2013-11-24

    上傳用戶:685

  • PCB可測性設(shè)計(jì)布線規(guī)則之建議―從源頭改善可測率

    P C B 可測性設(shè)計(jì)布線規(guī)則之建議― ― 從源頭改善可測率PCB 設(shè)計(jì)除需考慮功能性與安全性等要求外,亦需考慮可生產(chǎn)與可測試。這里提供可測性設(shè)計(jì)建議供設(shè)計(jì)布線工程師參考。1. 每一個(gè)銅箔電路支點(diǎn),至少需要一個(gè)可測試點(diǎn)。如無對應(yīng)的測試點(diǎn),將可導(dǎo)致與之相關(guān)的開短路不可檢出,并且與之相連的零件會因無測試點(diǎn)而不可測。2. 雙面治具會增加制作成本,且上針板的測試針定位準(zhǔn)確度差。所以Layout 時(shí)應(yīng)通過Via Hole 盡可能將測試點(diǎn)放置于同一面。這樣就只要做單面治具即可。3. 測試選點(diǎn)優(yōu)先級:A.測墊(Test Pad) B.通孔(Through Hole) C.零件腳(Component Lead) D.貫穿孔(Via Hole)(未Mask)。而對于零件腳,應(yīng)以AI 零件腳及其它較細(xì)較短腳為優(yōu)先,較粗或較長的引腳接觸性誤判多。4. PCB 厚度至少要62mil(1.35mm),厚度少于此值之PCB 容易板彎變形,影響測點(diǎn)精準(zhǔn)度,制作治具需特殊處理。5. 避免將測點(diǎn)置于SMT 之PAD 上,因SMT 零件會偏移,故不可靠,且易傷及零件。6. 避免使用過長零件腳(>170mil(4.3mm))或過大的孔(直徑>1.5mm)為測點(diǎn)。7. 對于電池(Battery)最好預(yù)留Jumper,在ICT 測試時(shí)能有效隔離電池的影響。8. 定位孔要求:(a) 定位孔(Tooling Hole)直徑最好為125mil(3.175mm)及其以上。(b) 每一片PCB 須有2 個(gè)定位孔和一個(gè)防呆孔(也可說成定位孔,用以預(yù)防將PCB反放而導(dǎo)致機(jī)器壓破板),且孔內(nèi)不能沾錫。(c) 選擇以對角線,距離最遠(yuǎn)之2 孔為定位孔。(d) 各定位孔(含防呆孔)不應(yīng)設(shè)計(jì)成中心對稱,即PCB 旋轉(zhuǎn)180 度角后仍能放入PCB,這樣,作業(yè)員易于反放而致機(jī)器壓破板)9. 測試點(diǎn)要求:(e) 兩測點(diǎn)或測點(diǎn)與預(yù)鉆孔之中心距不得小于50mil(1.27mm),否則有一測點(diǎn)無法植針。以大于100mil(2.54mm)為佳,其次是75mil(1.905mm)。(f) 測點(diǎn)應(yīng)離其附近零件(位于同一面者)至少100mil,如為高于3mm 零件,則應(yīng)至少間距120mil,方便治具制作。(g) 測點(diǎn)應(yīng)平均分布于PCB 表面,避免局部密度過高,影響治具測試時(shí)測試針壓力平衡。(h) 測點(diǎn)直徑最好能不小于35mil(0.9mm),如在上針板,則最好不小于40mil(1.00mm),圓形、正方形均可。小于0.030”(30mil)之測點(diǎn)需額外加工,以導(dǎo)正目標(biāo)。(i) 測點(diǎn)的Pad 及Via 不應(yīng)有防焊漆(Solder Mask)。(j) 測點(diǎn)應(yīng)離板邊或折邊至少100mil。(k) 錫點(diǎn)被實(shí)踐證實(shí)是最好的測試探針接觸點(diǎn)。因?yàn)殄a的氧化物較輕且容易刺穿。以錫點(diǎn)作測試點(diǎn),因接觸不良導(dǎo)致誤判的機(jī)會極少且可延長探針使用壽命。錫點(diǎn)尤其以PCB 光板制作時(shí)的噴錫點(diǎn)最佳。PCB 裸銅測點(diǎn),高溫后已氧化,且其硬度高,所以探針接觸電阻變化而致測試誤判率很高。如果裸銅測點(diǎn)在SMT 時(shí)加上錫膏再經(jīng)回流焊固化為錫點(diǎn),雖可大幅改善,但因助焊劑或吃錫不完全的緣故,仍會出現(xiàn)較多的接觸誤判。

    標(biāo)簽: PCB 可測性設(shè)計(jì) 布線規(guī)則

    上傳時(shí)間: 2014-01-14

    上傳用戶:cylnpy

  • GNSS接收機(jī)自主完好性監(jiān)測算法研究

    隨著GPS、GALILEO、GLONASS以及我國北斗導(dǎo)航定位系統(tǒng)的不斷發(fā)展,基于多星座下的GNSS接收機(jī)自主完好性監(jiān)測算法也已被國內(nèi)外學(xué)者廣泛研究。本文首先介紹了接收機(jī)自主完好性監(jiān)測(RAIM)算法的原理,然后分別對單星座、多星座組合下的RAIM算法進(jìn)行了研究和仿真,圖形化和數(shù)據(jù)化的仿真結(jié)果充分證明了多星座組合下的完好性監(jiān)測性能優(yōu)于單星座下完好性監(jiān)測性能。

    標(biāo)簽: GNSS 接收機(jī) 監(jiān)測 算法研究

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:止絮那夏

  • Linux內(nèi)核可移植性

    Linux內(nèi)核可移植性

    標(biāo)簽: Linux 內(nèi)核 可移植性

    上傳時(shí)間: 2013-10-17

    上傳用戶:stvnash

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